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对比文件列表
2004-04-20_US6723600B_发明授权_US06723600B2 Method for making a metal-insulator-metal capacitor using plate-through mask techniques_+++D_G_j+++.docx
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2004-06-24_JP2004179419A_发明专利_JP2004179419A Semiconductor device and manufacturing method thereof_+++d_h_i_j+++.docx
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2004-08-05_US2004152258A_发明申请_US20040152258A1 Semiconductor device and method of manufacturing the same_+++D_H_I_j+++.docx
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2004-08-17_US6777777B_发明授权_US06777777B1 High density composite MIM capacitor with flexible routing in semiconductor dies_+++D_H_I_g_j+++.docx
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2004-12-14_US6830971B_发明授权_US06830971B2 High K artificial lattices for capacitor applications to use in CU or AL BEOL_+++D_a_b_c_e+++.docx
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2006-02-16_JP2006049486A_发明专利_JP2006049486A Semiconductor device and its manufacturing method_+++D_H_I_J+++.docx
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2006-05-10_CN1771603A_发明公开_CN1771603A 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器_+++D_H_I_g+++.docx
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2006-08-16_CN1819194A_发明公开_CN1819194A 具有多种垂直排列电容区域的电容元件_+++D_E_G_a_b_c+++.docx
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2006-08-17_US2006180895A_发明申请_US20060180895A1 Capacitor device with vertically arranged capacitor regions of various kinds_+++C_D+++.docx
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2006-09-28_JP2006522464A_发明专利_JP2006522464A In a semiconductor die, a high density composite mim capacitor with reduced voltage dependence_+++D_F_G_I_h_j+++.docx
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2007-05-10_US2007102745A_发明申请_US20070102745A1 CAPACITOR STRUCTURE_+++B_E_a_d_g+++.docx
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2007-06-12_US7230434B_发明授权_US07230434B1 Multi-layered capacitor_+++A_C_D_E_j+++.docx
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2007-10-11_JP2007528604A_发明专利_JP2007528604A Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device produced by the present method_+++d_f_g_h_i+++.docx
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2008-01-08_US7317221B_发明授权_US07317221B2 High density MIM capacitor structure and fabrication process_+++D_g_h_j+++.docx
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2008-03-01_TW200811915A_发明专利_TW200811915A 高良率高密度晶片電容設計 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++A_B_C_D_E_g_j+++.docx
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2008-09-25_US2008230820A_发明申请_US20080230820A1 SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_B_C_D_E_G+++.docx
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2008-12-12_KR1020080108351A_发明公开_KR1020080108351A 고수율 고밀도 온-칩 커패시터 설계_+++B_E_G_a_c_d+++.docx
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2009-01-15_DE102008028554A_发明专利_DE102008028554A1 Semiconductor device with reduced capacitance tolerance value_+++A_C_D_E_G_b_j+++.docx
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2009-01-15_US2009014832A_发明申请_US20090014832A1 Semiconductor Device with Reduced Capacitance Tolerance Value_+++B_C_D_E_a_j+++.docx
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2009-02-11_EP2022081A_发明公开_EP2022081A1 HIGH YIELD HIGH DENSITY ON-CHIP CAPACITOR DESIGN_+++b_c_d_j+++.docx
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2009-04-15_CN101410944A_发明公开_CN101410944A 高成品率高密度芯片上电容器设计_+++d+++.docx
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2010-11-11_JP2010258130A_发明专利_JP2010258130A Semiconductor device and layout method of the same_+++D_G_j+++.docx
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US2011086487A1_Description_20260318_1917_+++D_G_j+++.docx
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2007-05-10_US2007102745A_发明申请_US20070102745A1 CAPACITOR STRUCTURE_+++B_E_a_d_g+++.docx

对比文件名称:2007-05-10_US2007102745A_发明申请_US20070102745A1 CAPACITOR STRUCTURE

目标专利名称:互补后端制程(BEOL)电容器 CN105074915B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构,《隐含公开》[0022]段: “The MOM capacitor 104 is disposed under the MIM capacitor 102, including an insulating layer 22, and multiple patterned metal layers 20 and via plugs 24 that constitute a third electrode and a fourth electrode.”对比文件公开了MOM电容器结构(104)。根据图1及说明书上下文,MIM电容器(102)位于MOM电容器(104)之上。在集成电路的互连堆叠中,MIM电容器通常形成于较高的金属层(即上互连层)。因此,MIM电容器的下电极(12)可以被视为与一个上互连层(即第一上互连层)相关联或构成其一部分。MOM电容器(104)通过其构成电极的图案化金属层(20)和通孔(24)与上方的结构(包括MIM电容器)电连接,这种连接关系隐含了MOM电容器结构耦合到了互连堆叠中的一个上互连层(对应于MIM电容器的电极层)。虽然对比文件未明确使用“第一上互连层”的表述,但本领域技术人员结合其互连堆叠结构可以合理推断,MOM电容器必然与上层金属结构(可视为上互连层)耦合以实现并联连接。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征B**:所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层,《直接公开》[0022]段: “...multiple patterned metal layers 20 and via plugs 24 that constitute a third electrode and a fourth electrode. The patterned metal layers 20 are stacked in the insulating layer 22 and connected by the via plugs 24...”对比文件明确描述了MOM电容器(104)包括多个图案化金属层(20)。在集成电路制造中,这些图案化金属层就是互连堆叠中的导电互连层。由于MOM电容器(104)位于MIM电容器(102)之下,其图案化金属层(20)相对于上方的MIM电容器而言,属于“下互连层”。说明书明确记载MOM电容器由这些堆叠的金属层构成,因此,技术特征“MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层”已被对比文件直接公开。
**技术特征C**:所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层,《未公开》无对应内容对比文件描述了MIM电容器(102)和MOM电容器(104)并联连接(参见[0021]段),但并未明确描述存在一个独立于MIM电容器极板的、专门作为“第二上互连层”并与MOM电容器结构耦合的结构。图1中MIM电容器上方的金属层(10)是其第一电极,而非一个独立的、功能上作为互连导线的“上互连层”。目标专利中“第二上互连层”(如M10)是与“第一上互连层”(如M9)同属互连堆叠上层的、用于布线的导电层,其作用不仅仅是作为电容器极板。对比文件未公开此特征。
**技术特征D**:位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层,《隐含公开》[0021]段: “The MIM capacitor 102 includes a first electrode 10, a second electrode 12 under the first electrode 10 and an insulating layer 14 between the two electrodes 10 and 12...” 结合图1,MIM电容器102位于MOM电容器104之上。对比文件直接公开了MIM电容器(102),其包括两个电极(10, 12)和中间的绝缘层(14),这构成了一个“MIM电容器层”。图1显示该MIM电容器层位于MOM电容器(由下层金属层20构成)之上。结合对技术特征A的隐含公开推理,MIM电容器的下电极(12)可关联于“第一上互连层”,而其上电极(10)可关联于一个更上层的结构。因此,该MIM电容器层实质上位于是“第一上互连层”(关联于电极12)与另一个上层金属结构(电极10)之间。虽然对比文件没有明确区分“第一”和“第二”上互连层,但本领域技术人员可以理解,在互连堆叠中,MIM电容器必然位于两个导电层(可视为上互连层)之间。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征E**:耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构,《直接公开》[0021]段: “...the capacitor structure 100 includes a MIM capacitor 102, a MOM capacitor 104 and a MIS capacitor 106, which three are coupled in parallel.”对比文件说明书[0021]段明确指出,MIM电容器(102)与MOM电容器(104)是并联耦合(coupled in parallel)的。图1也清晰地展示了MIM电容器102位于MOM电容器104上方并电连接的结构。因此,“耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构”这一技术特征被对比文件直接且明确地公开。
**技术特征F**:所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板,所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分,《未公开》[0021]段: “The MIM capacitor 102 includes a first electrode 10, a second electrode 12...”对比文件公开了MIM电容器具有第一电极(10)和第二电极(12)。然而,目标专利的该特征限定了“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”,这是一个非常具体的结构限制,意味着上互连层(如M9)的一部分被专门用作MIM电容器的极板,而非整个独立的金属层。对比文件中的第一电极(10)和第二电极(12)是独立沉积形成的、专用于电容器的金属层(见图1),并未被描述为是互连堆叠中用于布线的“上互连层”的一部分。因此,对比文件没有公开第一电容器极板“仅包括第一上互连层的一部分”这一特定技术方案。
**技术特征G**:所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分,《隐含公开》[0021]段: “The MIM capacitor 102 includes a first electrode 10, a second electrode 12 under the first electrode 10 and an insulating layer 14 between the two electrodes 10 and 12...”对比文件公开的MIM电容器(102)本身即是一个“MIM电容器层”,其包含第一电极(10)、第二电极(12)和绝缘层(14)。该MIM电容器的第二电极(12)即是该“MIM电容器层”的组成部分。因此,“第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”这一特征在对比文件中体现为:第二电极(12)是MIM电容器层(102)的一部分。虽然目标专利的表述可能特指极板由MIM电容器层中的特定部分(如高K介电层上的金属层)构成,而对比文件是传统的上下电极板结构,但就“第二极板是MIM电容器结构的一部分”这一基本关系而言,本领域技术人员可以从对比文件直接公开的内容中毫无疑义地推导出该关系。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征H**:其特征在于,进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构,所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板,所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板,《未公开》无对应内容该特征描述了在两层上互连层之间设置两个MIM电容器结构,且它们共享一个极板(即一个MIM结构的极板同时作为另一个MIM结构的极板)。这是目标专利图4所示的特定堆叠结构。对比文件全文(包括所有附图)仅公开了单个MIM电容器(102)与MOM电容器(104)的组合,并未公开任何形式的、共享极板的双MIM电容器堆叠结构。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板,并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板,《未公开》无对应内容该特征依赖于技术特征H中描述的“附加MIM电容器结构”。由于对比文件未公开技术特征H,自然也就不存在与该附加结构相关的、第二上互连层不同部分分别耦合至其两个极板的连接关系。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中,《未公开》无对应内容对比文件仅描述了一种电容器结构及其在集成电路中的一般应用,并未具体公开将该电容器结构集成到任何具体的终端设备中,例如蜂窝电话、PCS单元、机顶盒等。该特征属于具体的应用领域限定,未被对比文件公开。

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