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对比文件列表
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2026-07-22 17:35
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1999-09-07_None_发明专利_JPH11242182A Picture display device_+++A_D+++.docx
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1999-09-28_None_发明专利_JPH11266036A Planar light source device and manufacture thereof_+++A_B_C_F_P_Q_R+++.docx
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2002-06-21_JP2002176201A_发明专利_JP2002176201A Semiconductor light emitting element_+++B_a_c+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2002-10-03_US2002141006A_发明申请_US20020141006A1 Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction_+++B_C_Q_a+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
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2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
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2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
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2003-05-15_US2003089914A_发明申请_US20030089914A1 Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens_+++B_C_a_u_v_w_x+++.docx
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2003-05-23_JP2003152227A_发明专利_JP2003152227A Means and method for correcting color of led_+++B_C_F_R_a_q+++.docx
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2003-06-10_US6576488B_发明授权_US06576488B2 Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor_+++U_V_a+++.docx
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2003-07-04_JP2003188421A_发明专利_JP2003188421A Light emitter_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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2003-11-18_US6649440B_发明授权_US06649440B1 Aluminum indium gallium nitride-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction_+++a+++.docx
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2003-11-20_US2003214233A_发明申请_US20030214233A1 Light emitting diode_+++A_R_U_V_b_c+++.docx
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2003-11-25_US6653157B_发明授权_US06653157B2 Manufacturing method for device including function block, and light transmitting device_+++B_C_Q_a+++.docx
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2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
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2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx
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2004-01-27_US6682331B_发明授权_US06682331B1 Molding apparatus for molding light emitting diode lamps_+++A_B_W_c_r+++.docx
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2004-02-26_US2004036081A_发明申请_US20040036081A1 Chip-type LED and process of manufacturing the same_+++A_B_R_c+++.docx
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2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
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2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
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2004-05-25_US6741029B_发明授权_US06741029B2 Light emission apparatus and method of fabricating the same_+++R_a+++.docx
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2004-05-27_WO2004044995A_发明申请_WO2004044995A1 LIGHT EMITTING DEVICE_+++B_C_a+++.docx
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2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
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2004-08-12_JP2004524710A_发明专利_JP2004524710A Semiconductor chip for optoelectronics_+++A_B_C+++.docx
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2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
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2004-09-22_EP1460738A_发明公开_EP1460738A2 Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices_+++A_C_b_q+++.docx
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2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-07_US2004195641A_发明申请_US20040195641A1 Semiconductor chip for optoelectronics_+++B_C_a+++.docx
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2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led_+++A_B_C_F_R_U_V_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
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2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
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2004-11-18_US2004227149A_发明申请_US20040227149A1 High powered light emitter packages with compact optics_+++A_B_C_R_a_f_o_q_t_u_v+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
2026-07-22 17:36
2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
2026-07-22 17:36
2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
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DE10245946C1_Description_20260712_1508_+++U_V_W_a_b_c+++.docx
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对比文件名称:2000-08-04_JP2000216443A_发明专利_JP2000216443A Surface mounted type led and its manufacture

目标专利名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片 **《直接公开》**[0012] “发光二极管素子16”对比文件明确公开了“发光二极管素子”(即LED芯片),而LED芯片本身具有几何中心轴,本领域技术人员能毫无疑义地确定其具有中心轴,因此该特征被直接公开。
技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜 **《直接公开》**[0015] “上面中央部には半球状の集光レンズ部25が一体に突出形成されている。この集光レンズ部25は、反射カップ部17に収容された発光ダイオード素子16の真上に位置しており”<br>(翻译:上面中央部一体突出形成有半球状的聚光透镜部25,该聚光透镜部25位于收纳在反射杯部17中的发光二极管素子16的正上方)对比文件公开了聚光透镜部固定于LED芯片上方,即相对于LED芯片固定,因此该特征被直接公开。
技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射 **《直接公开》**[0015] “発光ダイオード素子16から発した光を集光する凸レンズとしての働きを持つ。”<br>(翻译:具有作为凸透镜将发光二极管素子16发出的光进行聚光的作用)对比文件明确透镜使光折射(聚光),因此该特征被直接公开。
技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件透镜为聚光透镜,使光向中心轴集中,峰值强度出现在中心轴附近,没有任何教导或暗示峰值强度偏离中心轴50-80度,因此未公开。
技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件未涉及中心轴强度与峰值强度的比例关系,因此未公开。
技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜 **《未公开》**[0015] “発光ダイオード素子16及びボンディングワイヤ23は、その上方をエポキシ系の樹脂体24によって封止される。”<br>(翻译:发光二极管素子16及接合线23,其上方由环氧类树脂体24密封)对比文件中密封LED的是树脂体,而非透镜;透镜是树脂体上方的集光透镜部,不包括密封功能,因此未公开透镜包括密封LED的第一透镜。
技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件仅有一个集光透镜部,没有围绕第一透镜和LED的辅透镜,因此未公开。
技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件没有辅透镜,也没有空气间隙,因此未公开。
技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件不存在所述间隙及折射界面,因此未公开。
技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内 **《未公开》**未公开相关技术内容同特征D,无任何教导,因此未公开。
技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内 **《未公开》**未公开相关技术内容同特征J,未公开。
技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15% **《未公开》**未公开相关技术内容无相关教导,因此未公开。
技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件没有辅透镜,也未涉及非球面,因此未公开。
技术特征N:和非球面圆顶形内表面 **《未公开》**未公开相关技术内容同特征M,未公开。
技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件没有辅透镜,也没有TIR部分,因此未公开。
技术特征P:其中该第一透镜为半球形 **《未公开》**[0015] “半球状の集光レンズ部”<br>(翻译:半球状的聚光透镜部)对比文件公开了半球形透镜,但该透镜是集光透镜部,并非目标专利中密封LED的第一透镜;且对比文件未公开第一透镜,故该特征未公开。
技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜 **《未公开》**[0021] “成形金型34内にエポキシ系の樹脂液を注ぎ込み、その上に集合基板31をフェースダウンすることで、...樹脂体24を形成する。”<br>(翻译:在成形模具34内注入环氧类树脂液,将集合基板31面朝下放置,形成树脂体24)对比文件通过模制形成树脂体,但树脂体并非第一透镜,且透镜部是树脂体的一部分,并非直接模制在LED上的独立透镜,因此未公开。
技术特征R:密封了该LED电路小片 **《未公开》**[0015] (同特征F引用)对比文件中密封LED的是树脂体,而非第一透镜,因此未公开第一透镜密封LED。
技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件无空气间隙,因此未公开。
技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件第一树脂体为环氧树脂,无硅树脂,无辅透镜,因此未公开。
技术特征U:进一步包括次级载具 **《未公开》**未公开相关技术内容对比文件使用薄板金属基板作为主载具,无次级载具,因此未公开。
技术特征V:其上安装了LED电路小片 **《未公开》**未公开相关技术内容次级载具不存在,故未公开其上安装LED。
技术特征W:印刷电路板 **《直接公开》**[0017] “マザーボード28”<br>(翻译:母板28)对比文件公开了母板,即印刷电路板,因此该特征被直接公开。
技术特征X:其上安装了次级载具 **《未公开》**未公开相关技术内容无次级载具,故未公开。
技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板 **《未公开》**[0017] 图2显示透镜位于顶部,不接触母板对比文件透镜位于LED上方,通过基板与母板连接,不直接接触,因此未公开。
技术特征Z:围绕该次级载具 **《未公开》**未公开相关技术内容无次级载具,故未公开。

根据上述比对,对比文件直接公开了技术特征A、B、C、W,未公开其他技术特征。

<<<A>>> <<<B>>> <<<C>>> <<<W>>>

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