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对比文件列表
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2026-07-22 17:35
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1999-09-07_None_发明专利_JPH11242182A Picture display device_+++A_D+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_W_Y_Z_x+++.docx
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2002-10-03_US2002141006A_发明申请_US20020141006A1 Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction_+++B_C_Q_a+++.docx
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2002-11-06_EP1255306A_发明公开_EP1255306A2 Side emitting LED_+++A_B_C_P_R_V_f_g_m_n_o_q_t_u+++.docx
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2002-11-22_JP2002335019A_发明专利_JP2002335019A Light emitting device_+++A_B_C_F_G_Q_R_U_V_W_X_Y_Z_p+++.docx
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2003-03-19_JP2003080537A_发明专利_JP2003080537A Mold for molding plastics and molding method_+++B_C_F_Q_W_Y_a_r+++.docx
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2003-04-25_JP2003124524A_发明专利_JP2003124524A High-flux led array_+++B_F_Q_R_U_V_W_X_a_c+++.docx
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2003-05-15_US2003089914A_发明申请_US20030089914A1 Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens_+++B_C_a_u_v_w_x+++.docx
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2003-05-23_JP2003152227A_发明专利_JP2003152227A Means and method for correcting color of led_+++B_C_F_R_a_q+++.docx
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2003-06-10_US6576488B_发明授权_US06576488B2 Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor_+++U_V_a+++.docx
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2003-07-04_JP2003188421A_发明专利_JP2003188421A Light emitter_+++A_B_C_F_Q_R+++.docx
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2003-11-18_US6649440B_发明授权_US06649440B1 Aluminum indium gallium nitride-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction_+++a+++.docx
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2003-11-20_US2003214233A_发明申请_US20030214233A1 Light emitting diode_+++A_R_U_V_b_c+++.docx
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2003-11-25_US6653157B_发明授权_US06653157B2 Manufacturing method for device including function block, and light transmitting device_+++B_C_Q_a+++.docx
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2003-12-25_US2003235050A_发明申请_US20030235050A1 SIDE EMITTING LED AND LENS_+++A_B_C_R_V_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_s_t_u+++.docx
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2004-01-20_US6679621B_发明授权_US06679621B2 Side emitting LED and lens_+++A_B_C_G_P_f_r+++.docx
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2004-01-27_US6682331B_发明授权_US06682331B1 Molding apparatus for molding light emitting diode lamps_+++A_B_W_c_r+++.docx
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2004-02-26_US2004036081A_发明申请_US20040036081A1 Chip-type LED and process of manufacturing the same_+++A_B_R_c+++.docx
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2004-04-15_US2004070990A_发明申请_US20040070990A1 LED illuminator and method of manufacture_+++A_B_C_F_P_R_W_Y_g+++.docx
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2004-05-06_US2004084681A_发明申请_US20040084681A1 Radiation emitter device having an integral micro-groove lens_+++A_B_C_F_Q_R_U_V_W_X+++.docx
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2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting_+++B_C_F_Q_R_a_g_w+++.docx
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2004-05-25_US6741029B_发明授权_US06741029B2 Light emission apparatus and method of fabricating the same_+++R_a+++.docx
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2004-05-27_WO2004044995A_发明申请_WO2004044995A1 LIGHT EMITTING DEVICE_+++B_C_a+++.docx
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2004-08-12_JP2004228143A_发明专利_JP2004228143A Solid-state light source lighting device, projector, and optical apparatus_+++A_B_C_F_P_R_Y_w+++.docx
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2004-08-12_JP2004524710A_发明专利_JP2004524710A Semiconductor chip for optoelectronics_+++A_B_C+++.docx
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2004-08-12_WO2004068182A_发明申请_WO2004068182A2 HIGH DENSITY ILLUMINATION SYSTEM_+++A_B_C_P_U_V_f_r_w_x+++.docx
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2004-09-22_EP1460738A_发明公开_EP1460738A2 Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices_+++A_C_b_q+++.docx
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2004-09-30_US2004188700A_发明申请_US20040188700A1 Light emitting diode_+++B_C_F_P_R_W_Y_a_q+++.docx
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2004-10-07_US2004195641A_发明申请_US20040195641A1 Semiconductor chip for optoelectronics_+++B_C_a+++.docx
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2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led_+++A_B_C_F_R_U_V_q+++.docx
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2004-10-21_JP2004532533A_发明专利_JP2004532533A Manufacturing method of optoelectronic components and optoelectronic element_+++A_B_C_F_Q_R_p+++.docx
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2004-10-21_US2004207999A_发明申请_US20040207999A1 LED package_+++A_B_C_F_M_P_R_U_V_W_Y_g_q+++.docx
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2004-11-11_JP2004319591A_发明专利_JP2004319591A Semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B_C_F_Q_R_W+++.docx
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2004-11-18_US2004227149A_发明申请_US20040227149A1 High powered light emitter packages with compact optics_+++A_B_C_R_a_f_o_q_t_u_v+++.docx
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2005-02-03_US2005024744A_发明申请_US20050024744A1 Circumferentially emitting luminaires and lens-elements formed by transverse-axis profile-sweeps_+++B_C_F_G_H_I_M_O_P_R_U_V_W_Y_a_d_e_j_k_l_n_q_s_t_z+++.docx
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2005-02-24_JP2005050827A_发明专利_JP2005050827A Process for manufacturing illumination light source and illumination light source_+++a_b_c_f_g_q_r_t_w_y+++.docx
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2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_C_F_P_Q_R_U_V_X_Z+++.docx
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对比文件名称:2004-10-14_JP2004288698A_发明专利_JP2004288698A Chip led

目标专利名称:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B

本次调用的模型名称:DeepSeek AI

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括具有中心轴的LED电路小片【直接公开】【0014】原文:“発光ダイオードチップ15”(发光二极管芯片15)对比文件明确公开了LED芯片(发光二极管芯片),该芯片具有中心轴(垂直于芯片表面的轴线),因此技术特征A被直接公开。
技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜【直接公开】【0016】原文:“パッケージ体16における側面のうち、平面視において、前記発光ダイオードチップ15における四つの角部15bに該当する部分を、レンズ部16aに形成する。”(在包封体16的侧面中,在平面视图中与发光二极管芯片15的四个角部15b对应的部分形成为透镜部16a)透镜部16a是包封体16的一部分,包封体固定于绝缘基板12,芯片也固定于绝缘基板,故透镜相对于芯片固定,直接公开。
技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射【直接公开】【0017】原文:“発光ダイオードチップ15における各側面15aから外向きに出射された光は、パッケージ体16における四つの各レンズ部16aによって集光されることにより、”(从发光二极管芯片15的各侧面15a向外射出的光被包封体16的各透镜部16a会聚)透镜部会聚(集光)入射光,即通过折射改变光线方向,直接公开了透镜使光折射的作用。
技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内【未公开】对比文件全文未记载任何关于峰值强度角度数值的内容。对比文件仅指出光沿对角线方向出射,但未公开峰值强度与中心轴的具体偏离角度,未给出任何度数范围,因此未公开。
技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间【未公开】对比文件全文未记载中心轴强度与峰值强度的比例关系。对比文件未涉及中心轴强度的数值,也未公开其与峰值强度的相对比例,未公开。
技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜【直接公开】【0014】原文:“前記絶縁基板12の上面に、前記発光ダイオードチップ15を密封するように設けた透明体製のパッケージ体16”(在绝缘基板12的上表面设置的用于密封发光二极管芯片15的透明包封体16)包封体16密封芯片,相当于第一透镜,直接公开了“密封LED电路小片的第一透镜”。
技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜【未公开】对比文件全文未记载任何辅透镜。对比文件仅有一个包封体(第一透镜),没有围绕该第一透镜的辅透镜,未公开。
技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分【未公开】对比文件全文未记载空气间隙。对比文件无辅透镜,也无任何空气间隙,未公开。
技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面【未公开】对比文件全文未记载间隙折射界面。未公开。
技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内【未公开】对比文件全文未记载峰值强度角度。对比文件未公开任何峰值强度角度数值,更未涉及70-80度范围,未公开。
技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内【未公开】同特征J。未公开。
技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%【未公开】对比文件全文未记载中心轴强度比例。未公开。
技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面【未公开】对比文件全文未记载辅透镜。未公开。
技术特征N:和非球面圆顶形内表面【未公开】对比文件全文未记载辅透镜表面形状。未公开。
技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面【未公开】对比文件全文未记载全内反射部分。未公开。
技术特征P:其中该第一透镜为半球形【未公开】对比文件全文未记载第一透镜为半球形;从附图(图1、图2)看,包封体16的上表面大致平坦,并非半球形。对比文件未公开第一透镜的形状为半球形,且附图显示非半球形,未公开。
技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜【隐含公开】【0014】原文:“透明体製のパッケージ体16”(透明包封体16);【0016】原文:“密封するように設けた”(设置为密封)。本领域技术人员公知,LED芯片的密封通常通过直接模制透明树脂实现,包封体直接接触芯片表面并固化,从而密封芯片。对比文件虽未明确描述模制过程,但公开了包封体密封芯片,结合公知常识,可合理推断该包封体是直接模制在LED芯片上的,因此隐含公开。
技术特征R:密封了该LED电路小片【直接公开】【0014】原文:“密封するように設けた”(设置为密封)。对比文件明确记载包封体用于密封LED芯片,直接公开。
技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙【未公开】对比文件全文未记载空气间隙。未公开。
技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料【未公开】对比文件全文未记载包封体材料为硅树脂,也未记载辅透镜。对比文件未公开具体材料,未公开。
技术特征U:进一步包括次级载具【直接公开】【0014】原文:“絶縁基板12”(绝缘基板12)。绝缘基板12作为芯片的载体,相当于次级载具,直接公开。
技术特征V:其上安装了LED电路小片【直接公开】【0014】原文:“前記絶縁基板12の上面に両極を前記両端子電極13,14に対して電気的に接続するようにして搭載した発光ダイオードチップ15”(在绝缘基板12的上表面搭载发光二极管芯片15,使其两极与端子电极13、14电连接)直接公开了LED芯片安装在次级载具(绝缘基板)上。
技术特征W:印刷电路板【未公开】对比文件全文未记载印刷电路板。对比文件仅提及绝缘基板,未涉及PCB,未公开。
技术特征X:其上安装了次级载具【未公开】对比文件全文未记载次级载具安装到PCB上。对比文件未公开PCB及次级载具与PCB的连接,未公开。
技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板【未公开】对比文件全文未记载透镜接触PCB。对比文件中的透镜(包封体)设置在绝缘基板上,未提及与PCB接触,未公开。
技术特征Z:围绕该次级载具【未公开】对比文件全文未记载透镜围绕次级载具。对比文件包封体设置于绝缘基板上表面,可能覆盖部分基板,但未明确“围绕”次级载具,且未公开该特征。

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