**对比文件名称**：1998-01-02_DE19625622A_发明专利_DE19625622A1 Light radiating semiconductor constructional element
**目标专利名称**：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称**：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何类似目标专利中基底片（第一支撑构件）的结构，其描述的电接头或壳体仅用于单个器件固定，且功能不同，因此未直接或隐含公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 无 | 对比文件仅公开了单个焊料或粘合剂用于连接芯片，未提及至少两个结合层，也未公开结合层的布置方式，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 无 | 结合层及第一支撑构件均未公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 无 | 对比文件未公开导电支撑基板（第二支撑构件），其半导体本体直接通过焊料固定到电接头，无独立的支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 图1描述：“Halbleiterkörper 1 weist einen Unterseitenkontakt 11, einen Oberseitenkontakt 12 und eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schichtenfolge 7 auf, die mindestens eine eine Strahlung aussendende aktive Zone besitzt.”（翻译：半导体本体1具有下接触11、上接触12和由多个不同层组成的层序列7，该层序列具有至少一个发射辐射的有源区。） | 对比文件公开了包括层序列的发光半导体本体，该层序列具有有源区，对应于目标专利的发光结构，故直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 无 | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构直接焊接到电接头，因此未公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | 图9描述：“... einer n-leitenden GaN-Schicht 20, einer n-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 21, einer weiteren n-leitenden GaN- oder einer GaxIn1-xN-Schicht 22 ...”（翻译：n型GaN层20，n型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层21，另一个n型GaN或GaxIn1-xN层22） | 对比文件公开了n型半导体层，对应于目标专利的第一导电类型半导体层，故直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 图9描述：“... einer p-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 23 und einer p-leitenden GaN-Schicht 24 ...”（翻译：p型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层23和p型GaN层24） | 对比文件公开了p型半导体层，对应于目标专利的第二导电类型半导体层，故直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 图1描述：“... eine Schichtenfolge 7 auf, die mindestens eine eine Strahlung aussendende aktive Zone besitzt.”（翻译：层序列7具有至少一个发射辐射的有源区。）以及图9所示的层顺序，有源区位于n型和p型层之间。 | 对比文件公开了有源区位于n型和p型层之间，对应于目标专利的有源层，故直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 图1描述：“Oberseitenkontakt 12”；图9描述：“Auf einer Oberseite 25 der p-leitenden GaN-Schicht 24 ... ist eine Kontaktmetallisierung 27 aufgebracht.”（翻译：在p型GaN层24的上表面25上形成接触金属化层27。） | 对比文件公开了上接触电极（上接触金属化），对应于目标专利的第一电极，故直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上，接触金属化27形成在p型GaN层24的上表面，即发光结构上。 | 对比文件公开了第一电极直接布置在发光结构的上表面，故直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 无 | 对比文件未涉及多个发光器件的阵列，也未公开任何金属层连接相邻器件的支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无 | 对比文件未公开结合层，也未公开任何尺寸限制，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 无 | 对比文件未公开结合层及凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 无 | 无具体技术内容，且后续特征未公开，故未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 无 | 对比文件未明确公开欧姆层，其接触金属化虽可形成欧姆接触，但并非独立于电极的欧姆层，且材料不同于目标专利，故未直接或隐含公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无 | 对比文件未公开第二支撑构件，且欧姆层未公开，故未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 无 | 对比文件虽公开了反射器（Reflektor 17）作为壳体的一部分，但并非布置在欧姆层和第二支撑构件之间的反射层，故未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无 | 未公开。 |
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