对比文件名称：2016-11-01_None_发明专利_BRPI9715293B1 elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI专利代理师
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开与目标专利第一支撑构件（基底片230）对应的结构。对比文件仅描述了基座壳体8、电连接2等用于单个元件的支撑，无阵列基底片。 | 目标专利的第一支撑构件是用于支撑多个发光器件的基底片（如UV带），而对比文件涉及单个发光元件，其支撑结构（如基座壳体）用于封装，并非用于阵列的基底片，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。对比文件仅使用导电粘合剂将半导体体固定到电连接，无多个结合层布置。 | 目标专利的结合层（如170）用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件，且至少两个。对比文件无此结构，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件及结合层，无相关内容。 | 由于第一支撑构件和结合层均未公开，本特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件（导电支撑基板160）。对比文件中半导体体通过粘合剂或直接固定到电连接2，无导电支撑基板。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板（如Mo、Si等），作为电极和支撑，对比文件无此结构，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件和结合层，无相关内容。 | 由于第二支撑构件和结合层均未公开，本特征未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件公开：“发光半导体体1具有层序列7，该层序列由多个不同层组成，在半导体元件操作中具有至少一个发射辐射的有源区。”以及“该半导体体具有层序列，特别是具有由GaxIni.xN或GaxAli.xN制成的半导体层的层序列，该半导体层在操作中发射第一波长范围的电磁辐射。” | 对比文件明确公开了包含有源区的半导体体层序列，即发光结构，与目标专利的发光结构（包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层）实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构通过导电粘合剂直接固定到电连接2，或通过透明壳体固定，而非布置在第二支撑构件上。 | 对比文件没有公开与目标专利第二支撑构件对应的结构，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件公开：“p-导电GaN层24”（图9描述）以及“n-导电GaN层20/22”。 | 对比文件明确公开了导电类型半导体层（p型或n型），与目标专利的第一导电类型半导体层实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 同上，对比文件公开了相反导电类型的半导体层（如n-导电GaN层22或p-导电GaN层24）。 | 对比文件公开了两种导电类型半导体层，因此直接公开第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件公开：“有源区（active zone）”（图1描述）以及“GaxAli.xN或GaxIni.xN层21”（图9描述）。 | 对比文件公开了位于第一和第二导电类型半导体层之间的有源层，与目标专利有源层结构一致，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件公开：“在p-导电GaN层24的主表面25上施加接触金属化28”（图9描述）。 | 对比文件公开了形成在发光结构半导体层上的电极，该电极即第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上，接触金属化28直接布置在p-导电GaN层24的主表面（属于发光结构）。 | 对比文件公开了电极直接布置在发光结构的半导体层上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开任何金属层连接相邻发光器件的第二支撑构件，仅涉及单个发光元件。 | 对比文件没有公开阵列结构，无金属层连接相邻器件，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层及其边缘位置。 | 对比文件没有公开结合层，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层凹凸结构。 | 对比文件没有公开结合层，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件及凹凸结构。 | 对比文件没有公开第一支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层及第二支撑构件。 | 对比文件没有公开金属层和第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层及结合层。 | 对比文件没有公开金属层和结合层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层。 | 对比文件没有公开金属层，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开欧姆层。 | 对比文件没有公开后续的欧姆层，因此未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未公开欧姆层，仅在半导体层上直接形成接触金属化，无额外的欧姆层（如ITO等）。 | 对比文件没有公开透明导电氧化物等欧姆层，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件和欧姆层。 | 对比文件没有公开第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有公开反射层，因此未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件公开了反射器17（凹槽内壁反射涂层），但并非位于欧姆层和第二支撑构件之间的反射层。 | 对比文件中的反射器17是基座壳体凹槽的反射涂层，用于反射辐射，其结构位置和作用与目标专利的反射层不同，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开欧姆层和第二支撑构件，反射器17不在该位置。 | 对比文件没有公开反射层在欧姆层和第二支撑构件之间，因此未公开。 |
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