对比文件名称：2007-10-31_JP4001893B_发明专利_JP4001893B2 Semiconductor light-emitting element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开用于支撑多个发光器件的基底片或类似带状结构。其基底壳体8是单个LED的封装壳体，功能与目标专利的第一支撑构件（用于在阵列制造中支撑多个器件）不同，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件仅公开了将半导体基体安装到电气连接端子的单个导电结合手段（如金属焊料或粘合剂），未公开至少两个结合层，且该结合手段并非用于固定到第一支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 无相关公开内容 | 由于未公开结合层和第一支撑构件，故未公开此布置。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开导电支撑基板。半导体基体直接安装在电气连接端子上，无额外的支撑基板，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 无相关公开内容 | 由于未公开第二支撑构件和结合层，故未公开此布置。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件[2]段：“半導体基体１は、... 多層構造７とを有し、この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。”（翻译：半导体基体1具有...多层结构7，该多层结构7在半导体元件工作期间放射一个光束（例如紫外线、蓝色或绿色）的至少一个活性区域。） | 对比文件公开了作为发光结构的半导体基体，其多层结构包含活性区域，相当于目标专利的发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构直接安装在电气连接端子上，故未公开此布置。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件[2]段图9描述：“ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２２”（翻译：n型导电GaN层20、n型导电GaAlN或GaInN层21、另一n型导电GaN或GaInN层22） | 对比文件明确公开了n型导电半导体层，相当于目标专利的第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件[2]段图9描述：“ｐ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４”（翻译：p型导电GaAlN或GaInN层23及p型导电GaN层24） | 对比文件明确公开了p型导电半导体层，相当于目标专利的第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件[2]段：“多層構造７は、...少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する”（翻译：多层结构7具有至少一个活性区域）及图9显示n型层与p型层之间的区域。 | 对比文件公开了位于n型层和p型层之间的活性区域，实现光发射，相当于目标专利的有源层，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件[2]段：“前面電極コンタクト１２”或“コンタクト金属化部２７、２８”（翻译：前面电极触点12或接触金属化部27、28） | 对比文件公开了形成在半导体基体上的电极，相当于目标专利的第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上 | 对比文件公开的电极直接形成在半导体基体（发光结构）上，即布置在发光结构上，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何发光器件阵列，无相邻器件，也无金属层连接第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开结合层及其边缘位置限制，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开结合层，更未公开其凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第一支撑构件和凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开连接第二支撑构件的金属层，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开金属层和结合层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开金属层，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 无相关公开内容 | 该特征仅为过渡词，无实质技术内容，对比文件未公开该措辞。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 无相关公开内容（对比文件仅提及接触金属化由传统材料形成，未明确独立的欧姆层） | 对比文件未公开独立的欧姆层，其接触金属化直接作为电极，未明确具有位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间的欧姆层，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第二支撑构件，故未公开此布置。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 无相关公开内容 | 同特征T，未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件[2]段：“切欠部９は...反射器１７として構成されている”（翻译：凹部9被构成为反射器17） | 对比文件公开的是作为壳体形状的反射器，并非单独的反射层，且未公开位于欧姆层和第二支撑构件之间，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开反射层、欧姆层及第二支撑构件，故未公开此布置。 |
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