**对比文件名称**：2005-12-15_JP2005347492A_发明专利_JP2005347492A Semiconductor light emitting element
**目标专利名称**：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**模型名称**：本模型（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（《直接公开》） | “第二电极4如图1中虚线所示，通过导电性接合材料20与导电性安装构件19电性及机械性结合。” | 对比文件明确公开了“取付部材19”（安装构件），该构件用于支撑半导体发光元件，与目标专利中第一支撑构件（基底片）的支撑功能实质相同，均为发光器件提供支撑，因此本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件仅公开了“導電性接合材20”作为单个结合层，用于将第二电极结合到安装构件，未提及多个结合层。 | 对比文件仅涉及单个发光元件的结合，未公开至少两个结合层，也未暗示阵列结构，因此未公开此特征。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 基于技术特征B，对比文件未公开至少两个结合层，故无对应公开内容。 | 由于未公开至少两个结合层，该布置关系亦未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（《直接公开》） | “半导体基板1具有作为主半导体区域2的外延生长衬底的功能、机械支撑主半导体区域2的功能、以及作为第一和第二电极3、4之间的电流路径的功能。” | 对比文件公开了半导体基板1，该基板机械支撑主半导体区域（发光结构）并作为导电通道，与目标专利中第二支撑构件（导电支撑基板）支撑发光结构并导电的功能完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 基于技术特征B，对比文件未公开至少两个结合层，故无对应公开内容。 | 结合层数量未公开，此布置关系亦未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（《直接公开》） | “主半导体区域2具有发光功能，包括通常称为n型包层的n型半导体层9、活性层10、通常称为p型包层的p型半导体层11。” | 对比文件的主半导体区域2即为发光结构，包含n型层、有源层、p型层，与目标专利的发光结构直接对应，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（《直接公开》） | “主半导体区域2配置在半导体基板1上。” | 对比文件明确公开主半导体区域（发光结构）直接形成在半导体基板（第二支撑构件）上，与目标专利的布置方式相同，直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（《直接公开》） | “ｎ型半导体层9”或“ｐ型半导体层11” | 对比文件的主半导体区域包含n型半导体层和p型半导体层，其中一层即为第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（《直接公开》） | 对应另一导电类型层，如“ｐ型半导体层11”。 | 对比文件包含p型半导体层作为第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（《直接公开》） | “活性层10”位于n型半导体层9和p型半导体层11之间。 | 对比文件的活性层10直接位于n型和p型层之间，与目标专利的有源层位置相同，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（《直接公开》） | “第一电极3作为阳极电极和接合焊盘电极，配置在主半导体区域2的一方主面13的中央部分，与辅助半导体区域12欧姆接触。” | 对比文件公开了第一电极3，直接形成在发光结构上，与目标专利的第一电极功能相同，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（《直接公开》） | 同上，第一电极3配置在主半导体区域2的主面13上。 | 对比文件明确第一电极布置在发光结构（主半导体区域）上，直接公开。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开任何金属层连接相邻器件，也未涉及多个发光器件。 | 对比文件仅描述单个发光元件，无相邻器件及其连接结构，因此未公开。 |
| 技术特征N：所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层及其与发光结构的边缘位置关系。 | 对比文件不存在结合层，也无相应的尺寸限定，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件公开了第二电极4具有凹凸结构（凹部17和凸部18），但未公开结合层。 | 对比文件的第二电极是电极层，不是结合层，其凹凸结构用于增强与导电性接合材料的结合，而目标专利的结合层是用于连接第二支撑构件和第一支撑构件的层，两者功能不同，且对比文件未教导结合层采用凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件公开了凹凸结构形成在半导体基板1的第二主面6上（即第二支撑构件表面），而非第一支撑构件表面。 | 对比文件的第一支撑构件（取付部材）表面未形成凹凸结构，凹凸结构位于半导体基板（第二支撑构件）表面，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开任何金属层。 | 对比文件不存在金属层，故无法公开其组成关系。 |
| 技术特征R：所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层，结合层仅为导电性接合材料。 | 无金属层，未公开。 |
| 技术特征S：所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层。 | 无金属层，未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（欧姆层）（未公开） | 对比文件未公开单独的欧姆层。 | 欧姆层未公开，因此该引导特征亦未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未公开单独的欧姆层，主半导体区域与电极直接接触。 | 目标专利的欧姆层是专门用于改善欧姆接触的透明导电层或金属层，对比文件中没有类似独立层，仅通过直接接触实现欧姆接触，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 基于U未公开，无对应位置关系。 | 欧姆层未公开，其位置关系亦未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（反射层）（未公开） | 对比文件实施例5公开了反射功能的介在层70，但位置不同。 | 虽然对比文件公开了反射层，但特征W是引导词，实质是反射层，需结合X、Y判断。 |
| 技术特征X：反射层（《直接公开》） | “图7的实施例5的半导体发光元件是在图1中附加了具有反射功能的介在层70，该介在层70是配置在n型半导体层9和半导体基板1之间的公知的布拉格反射区域。” | 对比文件明确公开了具有反射功能的介在层70，作为反射层，其功能是反射光，与目标专利的反射层相同，因此直接公开反射层本身。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件中的介在层70位于n型半导体层9（第二导电类型半导体层）和半导体基板1（第二支撑构件）之间，并非位于欧姆层和第二支撑构件之间，且欧姆层未公开。 | 由于欧姆层未公开，该位置关系不成立；对比文件反射层的位置与目标专利不同，因此未公开此特征。 |
**结论**：对比文件直接公开了技术特征A、D、F、G、H、I、J、K、L、X；未公开其他技术特征，且无隐含公开。
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