对比文件名称：2006-07-18_US7078732B_发明授权_US07078732B1 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《未公开》 | 对比文件[0091]记载：“first and second electrical terminals 2, 3 are embedded in an opaque, possibly prefabricated base housing 8 having a recess 9.”（第一和第二电端子2、3嵌入在不透明的、可能预制的基底壳体8中，该壳体具有凹槽9。） | 对比文件中的base housing 8是用于封装单个半导体组件的壳体，其功能是支撑和封装单个器件，并非目标专利中用于支撑多个发光器件的第一支撑构件（基底片）。目标专利的第一支撑构件（如基底片230）用于在阵列工艺中支撑多个发光器件，并在分离后允许单个器件被取下。对比文件没有公开这样的结构，本领域技术人员也无法从对比文件中直接得出或隐含得出第一支撑构件。因此特征A未公开。 |
| 技术特征B《未公开》 | 对比文件[0085]记载：“the semiconductor body 1 is fixed by its back-side contact 11 on a first electrical terminal 2 by means of an electrically conductive bonding agent, for example a metallic solder of an adhesive.”（半导体本体1通过其背面接触11利用导电粘结剂，例如金属焊料或粘合剂，固定在第一电端子2上。） | 对比文件仅使用单个粘结剂将半导体本体固定到端子，并未公开至少两个结合层，也没有公开将结合层用于支撑多个器件。目标专利的结合层用于将多个发光器件固定到第一支撑构件，且为至少两个。对比文件未公开该特征，也不能隐含得出。因此特征B未公开。 |
| 技术特征C《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 由于对比文件未公开至少两个结合层和第一支撑构件，因此也无法公开该特征。未公开。 |
| 技术特征D《未公开》 | 对比文件[0085]记载半导体本体通过背面接触直接固定在端子2上，并无额外的支撑构件。对比文件[0083]提及衬底18，但该衬底是生长衬底，在后续工艺中可能被移除，并非目标专利的导电支撑基板。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板，用于支撑发光结构并作为电极，对比文件没有公开这样的导电支撑基板。半导体本体直接固定在端子上，没有额外的支撑构件。因此特征D未公开。 |
| 技术特征E《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 由于未公开第二支撑构件和至少两个结合层，该特征未公开。 |
| 技术特征F《直接公开》 | 对比文件[0082]记载：“a semiconductor body 1 has a back-side contact 11, a front-side contact 12 and a layer sequence 7, which is composed of a number of different layers and has at least one active zone which emits radiation during the operation of the semiconductor component.”（半导体本体1具有背面接触11、正面接触12和层序列7，该层序列由多个不同层组成，并具有至少一个在半导体组件操作期间发射辐射的有源区。） | 该半导体本体1的层序列7构成发光结构，其包括有源区，能够发射辐射，与目标专利的发光结构功能相同。因此，本领域技术人员可以直接确定对比文件公开了发光结构。特征F直接公开。 |
| 技术特征G《未公开》 | 对比文件[0085]记载半导体本体1固定在端子2上，但端子2并非第二支撑构件。 | 由于对比文件未公开第二支撑构件，因此无法公开发光结构布置在第二支撑构件上。特征G未公开。 |
| 技术特征H《直接公开》 | 对比文件[0083]记载：“a layer sequence made of an AlN or GaN layer 19, an n-conducting GaN layer 20, an n-conducting GaxAl1-xN or GaxIn1-xN layer 21, a further n-conducting GaN or a GaxIn1-xN layer 22, a p-conducting GaxAl1-xN layer or GaxIn1-xN layer 23 and a p-conducting GaN layer 24 is applied on a substrate 18 composed of SiC.”（由AlN或GaN层19、n型导电GaN层20、n型导电GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层21、另一n型导电GaN或GaxIn1-xN层22、p型导电GaxAl1-xN层或GaxIn1-xN层23和p型导电GaN层24组成的层序列施加在由SiC组成的衬底18上。） | 对比文件明确公开了n型导电半导体层，对应目标专利的第一导电类型半导体层（如n型层），因此特征H直接公开。 |
| 技术特征I《直接公开》 | 同上，对比文件[0083]公开了p型导电GaN层等。 | 对比文件明确公开了p型导电半导体层，对应目标专利的第二导电类型半导体层（如p型层），因此特征I直接公开。 |
| 技术特征J《直接公开》 | 对比文件[0082]记载：“has at least one active zone which emits radiation”。[0083]的层序列中，在n型和p型层之间包含有源层是本领域公知。 | 对比文件明确公开了有源区（active zone）的存在，并且本领域技术人员可以理解该有源区位于第一和第二导电类型半导体层之间，与目标专利的有源层位置和功能相同。因此特征J直接公开。 |
| 技术特征K《直接公开》 | 对比文件[0083]记载：“A respective contact metallization layer 27, 28 is applied on a main surface 25 of the p-conducting GaN layer 24 and a main surface 26 of the substrate 18”（相应的接触金属化层27、28施加在p型导电GaN层24的主表面25和衬底18的主表面26上）。 | 对比文件公开了接触金属化层作为电极，该电极可用于提供电力，与目标专利的第一电极功能相同。因此特征K直接公开。 |
| 技术特征L《直接公开》 | 同上，接触金属化层27直接形成在p-GaN层24上。 | 对比文件公开了电极直接形成在半导体层（发光结构）上，与目标专利的第一电极布置在发光结构上一致。因此特征L直接公开。 |
| 技术特征M《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件没有公开多个发光器件，也没有公开金属层连接相邻器件的第二支撑构件，因此特征M未公开。 |
| 技术特征N《未公开》 | 对比文件无结合层相关记载。 | 对比文件未公开结合层，因此无法公开该特征。未公开。 |
| 技术特征O《未公开》 | 对比文件无结合层相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征P《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征Q《未公开》 | 对比文件无金属层和第二支撑构件相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征R《未公开》 | 对比文件无金属层和结合层相关记载。 | 未公开。 |
| 技术特征S《未公开》 | 对比文件无金属层相关记载，但发光结构组成有公开，但未涉及金属层。 | 未公开。 |
| 技术特征T《未公开》 | 对比文件无该特定短语，但具有类似表述如“further comprising”。 | 该特征为权利要求中的过渡词，不涉及具体技术内容，对比文件未公开该特定短语，但即使公开，也不构成技术特征。因此视为未公开。 |
| 技术特征U《未公开》 | 对比文件[0083]记载了接触金属化层，但未明确其为欧姆层。 | 目标专利的欧姆层是透明导电氧化物层，用于改善欧姆接触。对比文件没有公开任何透明导电氧化物层或专门用于欧姆接触的层。接触金属化层可能具有欧姆接触性质，但目标专利的欧姆层具有特定组成和功能（透明导电氧化物），对比文件未公开，也无法隐含得出。因此特征U未公开。 |
| 技术特征V《未公开》 | 对比文件无第二支撑构件，也未公开欧姆层。 | 未公开。 |
| 技术特征W《未公开》 | 对比文件无相关特定短语。 | 未公开。 |
| 技术特征X《未公开》 | 对比文件[0091]记载：“recess 9 is designed as a reflector 17”（凹槽9设计为反射器17），但该反射器是壳体的一部分，并非独立的反射层。 | 目标专利的反射层是形成在欧姆层上的金属反射层，用于反射光。对比文件中的反射器是壳体的形状，并非独立的层，且位置不同。因此特征X未公开。 |
| 技术特征Y《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 未公开。 |
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