对比文件：JP2004048069A（名称：Light emitting semiconductor chip (lesc), semiconductor light emitting device (led) having lesc in base casing, semiconductor led having lesc in notch of ba）
目标专利：CN102263119B（名称：发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装）
本次调用的模型：资深专利代理师经验模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“基底ケーシング８”。例如，在图3描述中：“第１及び第２電気接続端子２、３は不透過性の、場合によっては事前に製造された基底ケーシング８内に埋込まれている。” | 对比文件中的基底ケーシング8是用于支撑电气连接端子和半导体基体的支撑构件，与目标专利中第一支撑构件（基底片）的作用相同，都是提供支撑，因此本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《未公开》 | 对比文件未明确记载至少两个结合层。 | 对比文件仅描述了单个导电性结合手段（如金属性ろう或接着剤）用于连接半导体基体和电气端子，没有公开至少两个结合层，也没有公开多个结合层布置在支撑构件上的结构。因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《未公开》 | 对比文件未记载结合层布置在基底ケーシング上。 | 对比文件中，结合层（导电性结合手段）是布置在电气连接端子上，而非布置在基底ケーシング（第一支撑构件）上，因此未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“サブストレート１８”。例如，在图9描述中：“例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、ＡｌＮ層又はＧａＮ層１９、…”。 | 对比文件中的サブストレート18是导电支撑基板，用于支撑发光结构，与目标专利中第二支撑构件（导电支撑基板）的作用相同，直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑构件布置在结合层上。 | 对比文件中，衬底18直接与发光结构接触，未通过结合层与任何支撑构件连接，且没有至少两个结合层，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“半導体基体１”或“半導体多層構造７”。例如，图1描述中：“半導体基体１と、背面コンタクト１１と、前面コンタクト１２と、複数の様々の層から成る多層構造７とを有し”。 | 对比文件中的半導体基体1包括多層構造7，是能够发光的半导体结构，与目标专利的发光结构相同，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“サブストレート１８上に…多層構造７が被着されている”。 | 对比文件明确记载发光结构（多層構造7）形成在衬底18（第二支撑构件）上，直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“ｎ導電形ＧａＮ層２０”、“ｎ導電形ＧａＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２２”。 | 对比文件公开了n型GaN层，即第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“ｐ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２３”、“ｐ導電形ＧａＮ層２４”。 | 对比文件公开了p型GaN层，即第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“少なくとも１つのアクティブなゾーン”。例如，在图1描述中：“半導体素子の作動中、１つのビームを放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する”。 | 对比文件公开了有源区，位于n型层和p型层之间，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“前面電極コンタクト１２”或“コンタクト金属化部２７”。 | 对比文件公开了前面电极，即第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 对比文件[2]段落中记载：“前面電極コンタクト１２”形成在半导体基体上。 | 对比文件的前面电极布置在半导体基体（发光结构）上，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《未公开》 | 对比文件未公开多个发光器件阵列及金属层连接。 | 对比文件仅涉及单个发光器件，没有公开多个器件通过金属层连接第二支撑构件的结构，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件未公开结合层及边缘尺寸关系。 | 对比文件没有公开结合层，更未公开其边缘与发光结构边缘的位置关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件未公开结合层的凹凸结构。 | 对比文件没有描述结合层，也没有凹凸结构的特征，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上《未公开》 | 对比文件未公开凹凸结构。 | 对比文件没有公开第一支撑构件表面具有凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开金属层组成。 | 对比文件没有公开连接相邻器件的金属层，也没有公开其组成关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开。 | 同Q，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同《未公开》 | 对比文件未公开。 | 同Q，未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括《未公开》 | 对比文件未公开此引导特征。 | 引导特征本身无实体，但对比文件未公开后续的欧姆层等，因此未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层《未公开》 | 对比文件未明确记载欧姆层。 | 对比文件虽然提到コンタクト金属化部，但未公开单独的欧姆层，本领域技术人员不能从对比文件直接得出欧姆层，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 对比文件未公开欧姆层及位置。 | 对比文件没有欧姆层，且第二支撑构件（衬底）位于发光结构另一侧，因此未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括《未公开》 | 对比文件未公开此引导特征。 | 同T，未公开后续反射层。 |
| 技术特征X：反射层《未公开》 | 对比文件未公开在欧姆层和第二支撑构件之间的反射层。 | 对比文件虽然提到反射器17，但位于切欠部内壁，并非布置在欧姆层和第二支撑构件之间，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 对比文件未公开。 | 同X，未公开。 |
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