对比文件名称：2009-06-17_JP4278479B_发明专利_JP4278479B2 Semiconductor light-emitting element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
模型名称：自定义评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《直接公开》 | 第[2]部分关于图3的描述：“第一和第二电连接端子2、3被埋入不透明的、有时预先制造的基底壳体8内。基底壳体8例如由不透明塑料构成，切欠部9作为反射器。” | 对比文件明确公开了基底壳体8，该壳体用于支撑半导体基体，起到支撑作用，相当于目标专利的第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《未公开》 | 第[2]部分：“半导体基体1通过导电性结合手段，例如金属性焊料或粘合剂，安装在第一电连接端子2上的背面电极触点11上。” | 对比文件仅涉及单个发光元件，仅有一个结合层，未公开“至少两个”结合层，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《未公开》 | 同上，结合层布置在电连接端子2上，而非直接布置在基底壳体8上。 | 对比文件未公开结合层直接布置在第一支撑构件上，且未公开至少两个结合层，故未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | 第[2]部分关于图9的描述：“在例如由SiC构成的衬底18上，依次形成AlN层或GaN层19、n导电型GaN层20等。” | 对比文件公开了衬底18，用于支撑多层结构，相当于目标专利的第二支撑构件。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《未公开》 | 第[2]部分：“半导体基体1通过导电性结合手段安装在第一电连接端子2上的背面电极触点11上。” | 对比文件仅有一个结合层，且第二支撑构件（衬底18）通过单个结合层固定，未公开至少两个结合层，故未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 第[2]部分：“半导体基体1具有半导体多层结构7，该多层结构在半导体元件工作中发射至少一个光束（例如紫外、蓝或绿光）。” | 对比文件直接公开了发光结构（半导体基体1及其多层结构7）。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | 第[2]部分关于图9的描述：“多层结构7形成在衬底18上。” | 对比文件公开了发光结构（多层结构7）布置在第二支撑构件（衬底18）上。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层《直接公开》 | 第[2]部分关于图9的描述：“n导电型GaN层20”。 | 对比文件公开了n型半导体层，相当于第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 第[2]部分关于图9的描述：“p导电型GaN层24”。 | 对比文件公开了p型半导体层，相当于第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 第[2]部分关于图9的描述：“n导电型Ga_xAl_1-xN层或Ga_xIn_1-xN层21，进一步的n导电型GaN层或Ga_xIn_1-xN层22”作为有源区域。 | 对比文件公开了位于n型和p型层之间的有源层。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 第[2]部分：“前面电极触点12”或“接触金属化部27、28”。 | 对比文件公开了电极结构。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 第[2]部分：“前面电极触点12”直接接触半导体层表面。 | 对比文件公开了电极布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件仅涉及单个发光元件，未公开任何金属层连接相邻器件的结构。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开结合层的尺寸或边缘位置限制。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开结合层具有凹凸结构。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开凹凸结构形成在第一支撑构件表面。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开金属层，更未涉及组成关系。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开金属层，更未涉及组成关系。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开金属层，更未涉及组成关系。 |
| 技术特征T：进一步包括《未公开》 | 对比文件未明确公开欧姆层。 | 对比文件未公开后续的欧姆层，故特征T未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层《未公开》 | 第[2]部分：“接触金属化部27、28由传统用于光电半导体技术的电接触材料构成。” | 对比文件虽提及接触金属化，但未明确其为欧姆层，且未公开其位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间，故未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 同上，接触金属化27位于p型GaN层24上，而第二支撑构件（衬底18）位于另一侧，两者之间不存在欧姆层。 | 对比文件未公开该位置关系。 |
| 技术特征W：进一步包括《未公开》 | 对比文件无反射层描述。 | 对比文件未公开后续的反射层，故特征W未公开。 |
| 技术特征X：反射层《未公开》 | 第[2]部分关于图3：“切欠部9作为反射器17”，但反射器为壳体结构，非层状。 | 对比文件未公开独立的反射层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间《未公开》 | 同上，无反射层，更无位置关系。 | 对比文件未公开。 |
### 结论代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、D、F、G、H、I、J、K、L，未直接或隐含公开其他技术特征。
<<<A>>><<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>