对比文件名称：2011-07-28_JP2011146478A_发明专利_JP2011146478A Semiconductor integrated circuit and method of designing the same
目标专利名称：232共享扩散标准单元架构CN104769718B
本次调用模型名称：GPT-4o
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域《未公开》 | 对比文件说明书[2]段：“活性領域１は、長方形状の領域に形成されている。” （活性区域1是形成为长方形的区域。） | 目标专利中，N型扩散区域“延伸到单元外”是一个核心特征，其作用是与相邻单元共享扩散区域以改善边缘器件性能并减少泄漏。对比文件公开的“活性領域”相当于扩散区域，但其描述仅表明其在单元内形成长方形区域，并未记载或暗示该活性区域会延伸超出其所在标准单元的边界。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出或合理推断出该扩散区域会延伸到单元外的结论。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 特征B：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域《未公开》 | 对比文件说明书[2]段：“ウェル領域２は、長方形状の領域に形成されている。” （阱区域2是形成为长方形的区域。） | 目标专利中，P型扩散区域同样“延伸到单元外”。对比文件中，P型扩散区域通常形成于P型阱（例如，对于PMOS）内。对比文件公开了“ウェル領域”（阱区域），但同样未记载或暗示该阱区域或其内部的P型扩散区域会延伸超出单元边界。其作用是为器件提供隔离和掺杂环境，与目标专利中用于共享和改善性能的作用不同。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 特征C：在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件《直接公开》 | 对比文件说明书[2]段：“複数のトランジスタゲート電極３の各々は、活性領域１とともに１つの電界効果トランジスタを形成している。” （各晶体管栅电极3与活性区域1一起形成一个场效应晶体管。） | 该特征被对比文件直接公开。对比文件明确记载了多个“トランジスタゲート電極”（晶体管栅电极，相当于导电栅极）形成在“活性領域”（活性区域，相当于扩散区域）之上，并且它们的交叉共同形成了有效的晶体管（半导体器件）。这与目标专利中“导电栅极”在“扩散区域”之上创建“半导体器件”的技术方案完全相同。 |
| 特征D：虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处《未公开》 | 对比文件说明书[2]段：“ダミーゲート電極３５−１は、活性領域３１−１が形成されている領域を横切るように形成され、一端がウェル領域３２−１に重なるように形成されている。 ダミーゲート電極３５−２は、活性領域３１−２が形成されている領域を横切るように形成され、一端がウェル領域３２−２に重なるように形成されている。” （虚设栅电极35-1形成为横跨形成有活性区域31-1的区域，并且其一端与阱区域32-1重叠。 虚设栅电极35-2形成为横跨形成有活性区域31-2的区域，并且其一端与阱区域32-2重叠。） | 目标专利的特征D包含多个限定：1) 一对虚设栅极；2) 每个虚设栅极同时布置在N型和P型两种扩散区域之上；3) 该对虚设栅极布置在单元的相对边缘。对比文件公开了在单元边界处存在“ダミーゲート電極”（虚设栅电极），例如图6中的35-1和35-2可被视为位于单元左右两侧。然而，对比文件并未公开每个虚设栅极同时布置在N型和P型两种扩散区域之上。在图6的CMOS单元中，虚设栅极35-1主要与活性区域31-1（可能为N型或P型之一）相交，虚设栅极35-2主要与活性区域31-2（另一导电类型）相交，并未描述每个单独的虚设栅极同时跨越两种导电类型的扩散区域。目标专利中每个虚设栅极跨两种扩散区域的结构是实现其特定结扎方式的基础，对比文件的结构与之不同。因此，该特征未被直接公开，也未在对比文件中隐含。 |
| 特征E：以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件《直接公开》 | 对比文件说明书[2]段：“複数のコンタクト３８−１は、それぞれ、導体から形成され、複数のダミーゲート電極３５−１の一端をそれぞれウェル領域３２−１と配線層３６−１に電気的に接続している。 このため、複数のダミーゲート電極３５−１から形成される電界効果トランジスタは、常にオフ状態である。” （多个接触38-1分别由导体形成，将多个虚设栅电极35-1的一端分别电连接到阱区域32-1和配线层36-1。 因此，由多个虚设栅电极35-1形成的场效应晶体管总是处于关断状态。） 以及[0011]段：“コンタクト（８）…は、ダミーゲート電極（５）を配線層（６）に電気的に接続している。” （接触（8）将虚设栅电极（5）电连接到配线层（6）。） | 该特征被对比文件直接公开。对比文件明确记载了通过“コンタクト”（接触，相当于导线的一部分或连接点）将“ダミーゲート電極”（虚设栅电极）电连接到“配線層”（配线层，如36-1），而该配线层连接到电源电位（如VDD）或接地电位（如VSS），从而使该虚设栅电极形成的晶体管保持关断（禁用）状态。这与目标专利中“导线将虚设器件耦合到供电源以禁用它”的技术方案和作用完全相同。 |
| 特征F：其中所述供电源在所述单元的一侧上《未公开》 | 对比文件未明确记载供电源（如VDD/VSS）在单元上的具体分布位置。 | 目标专利中“供电源在单元的一侧上”是定义其“一指单元”或“不对称架构”的关键限定，决定了仅有一侧的虚设器件能被直接结扎。对比文件虽然公开了有配线层（如36-1, 36-2）为单元供电，但并未描述供电源（VDD/VSS）是仅分布在单元的一侧还是两侧。从图6看，配线层36-1和36-2位于单元上下两侧，可能分别对应VDD和VSS，这暗示电源分布在两侧，而非如目标专利限定的“一侧”。因此，该特征未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 特征G：其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上《未公开》 | 对比文件说明书[2]段关于图6的描述显示，虚设栅电极35-1和35-2分别位于单元的两侧（边缘），并且均通过接触38-1和38-2连接到各自的配线层（36-1, 36-2）而被禁用。 | 目标专利该特征与特征F、H关联，共同限定了一种不对称结扎方案：只有一侧边缘的虚设器件被结扎。对比文件公开的方案中，如图6所示，单元两侧边缘的虚设栅电极（35-1和35-2）均被连接至配线层而禁用，即“两个边缘”的虚设器件都被耦合禁用了。这与目标专利“仅一个边缘”的限定相矛盾。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| 特征H：并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源《未公开》 | 同上，对比文件图6中，相对两侧边缘的虚设器件（35-1和35-2）均通过接触（38-1, 38-2）耦合到了配线层（36-1, 36-2），即均被耦合至电源网络。 | 该特征与特征F、G一体，描述了在“供电源在一侧”的前提下，相对边缘的虚设器件不被该侧电源结扎的状态。如特征G所述，对比文件中相对边缘的虚设器件实际上都被耦合了（尽管可能连接到不同的电位，如VDD和VSS），不存在“不耦合”的状态。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| 特征I：其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触《未公开》 | 对比文件未记载导线同时接触虚设栅极和其与有效栅极之间的扩散区域。 | 目标专利该特征是一种具体的结扎结构，如图2中栅极结扎214同时接触虚设栅极208和扩散区域202的一部分。其作用可能是提供更稳定的电位连接。对比文件公开的导线（通过接触）仅连接虚设栅极和上层的配线层（如[2]段描述接触38-1连接虚设栅极35-1和配线层36-1），并未描述该导线还同时接触虚设栅极与有效栅极之间的扩散区域部分。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员从对比文件公开的常规接触结构也无法合理推断出这种特定的双重接触结构，故也未被隐含公开。 |
| 特征J：其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极《直接公开》 | 对比文件说明书[2]段：“複数のトランジスタゲート電極３３…は、活性領域３１−１〜３１−２が形成されている領域を横切るように形成されている。” （多个晶体管栅电极33…形成为横跨形成有活性区域31-1至31-2的区域。） | 该特征被对比文件直接公开。对比文件明确记载了“複数のトランジスタゲート電極”（多个晶体管栅电极，即多个导电栅极）形成在活性区域（扩散区域）之上。这与目标专利中“多个导电栅极”的技术方案完全相同。 |
| 特征K：并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头《未公开》 | 对比文件未记载“输出接头”这一特定结构。 | 目标专利中的“输出接头”（如图2中的204）是一个用于连接内部电路与单元输出的特定布局结构。对比文件图6中虽显示了配线层43作为输出信号线，并通过接触47-1、47-2连接到晶体管的漏极，但并未描述在多个栅极之间有一个被称为“输出接头”的特定布局部件。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| 特征L：其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联《未公开》 | 对比文件未记载虚设栅极被“切割”成对，且分别与P型或N型扩散区域相关联。 | 目标专利该特征描述了虚设栅极被切割掩模（如212）分割，形成分别与P型和N型扩散区域相关联的两部分（见图2）。对比文件中的虚设栅电极（如35-1, 35-2）被描述为完整的、连续的多晶硅线条，横跨活性区域，并未提及或暗示其被切割。因此，该特征未被直接公开。对比文件全文旨在通过保持栅极线条的连续性和规则性来抑制工艺波动，切割虚设栅极与其发明目的相悖，故本领域技术人员也无法合理推断出该特征，即未被隐含公开。 |
| 特征M：其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分《未公开》 | 对比文件未记载经切割的虚设栅极。 | 该特征依附于特征L。既然特征L（虚设栅极被切割）未被公开，那么由切割后的部分形成P型或N型虚设器件的特征自然也未被公开。 |
| 特征N：其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件《直接公开》 | 对比文件说明书[0011]段：“コンタクト（８）（２８）（３８−１）は、その第２領域に形成され、ダミーゲート電極（５）（２５）（３５−１）を配線層（６）（２６）（３６−１）に電気的に接続している。” （接触（8）（28）（38-1）形成在该第二区域，将虚设栅电极（5）（25）（35-1）电连接到配线层（6）（26）（36-1）。） 以及[2]段：“ダミーゲート電極５を電源電位または設置電位に電気的に接続する…” （将虚设栅电极5电连接到电源电位或接地电位…） | 该特征被对比文件直接公开。对比文件明确公开了将虚设栅电极通过接触和配线层连接到“設置電位”（接地电位）以使其关断的技术方案。如图6所示，虚设栅电极35-2通过接触38-2连接到配线层36-2，而36-2通常可理解为接地（VSS）线。这完全对应于目标专利中“第二导线将虚设器件耦合到接地以禁用它”的特征。 |
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