对比文件名称：1998-07-14_US5779924A_发明授权_US5779924A Ordered interface texturing for a light emitting device
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：Gemini-2.0-flash-thinking-exp-01-21
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) | 对比文件图6描述：“[2] A conventional semiconductor light-emitting device is shown in FIG. 6. It is comprised of semiconductor epitaxial layers (1) containing a p-n junction active region (2) on a substrate (3) with electrical contacts (4) provided for current injection.”（背景技术部分） | 对比文件明确公开了在衬底（即生长基板）上生长有半导体外延层（即半导体结构），该结构包括有源区，其作用与目标专利中在生长基板上提供半导体结构相同。因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 | 同上句：“containing a p-n junction active region (2)”。此外，对比文件多处提及“p-n junction active region”和“active layer”。 | 对比文件公开的“p-n结有源区”即发光层，其位于p型区和n型区之间（p-n结本身即由p型和n型区构成）。该有源区的作用与目标专利中的发光层相同。因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) | 对比文件未记载任何关于导电互连或载体附着的内容。 | 对比文件描述的是常规LED结构，半导体结构直接位于生长基板上，未涉及通过导电互连转移附着到另一载体。技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) | 对比文件未记载任何关于底部填料或空腔填充的内容。 | 对比文件未涉及在半导体结构和载体之间引入电绝缘底部填料。技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 | 对比文件未记载任何关于底部填料提供刚性支撑的内容。 | 对比文件未涉及底部填料及其支撑功能。技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：通过激光解离移除该生长基板(10) | 对比文件未记载任何关于移除生长基板的内容，更未提及激光解离。 | 对比文件未涉及移除生长基板的步骤。技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 | 对比文件未记载任何关于液态底部填料的内容。 | 对比文件未涉及液态底部填料的引入。技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 | 对比文件未记载任何关于固化步骤的内容。 | 对比文件未涉及液态材料固化。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 | 对比文件未记载任何关于预先形成刚性底部填料层的内容。 | 对比文件未涉及该步骤。技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 | 对比文件未记载任何关于在刚性层中形成开口的内容。 | 对比文件未涉及该步骤。技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 | 对比文件未记载任何关于在附着前蚀刻p型区和有源区以暴露n型区的具体步骤。 | 对比文件虽提及在器件同一侧制作两个接触，但未描述通过蚀刻暴露n型区的过程。技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 | 图6描述：“with electrical contacts (4) provided for current injection”。背景技术还提到：“electrical contacts are made on both the top and bottom surfaces of the device, but it is possible to put both contacts on one side of the device”. | 对比文件公开了提供电接触，但未明确区分n接触和p接触。然而，本领域技术人员已知发光二极管必须同时具有p型接触和n型接触才能工作，且对比文件上下文中的“电接触”必然包括p接触和n接触。结合对比文件公开的p-n结结构，本领域技术人员可以合理推断出对比文件隐含公开了形成n接触和p接触。但对比文件未公开接触与暴露的n型区连接的具体方式。因此技术特征L被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 | 对比文件未记载任何关于载体上金属层或互连连接的内容。 | 对比文件未涉及载体上的金属层和互连。技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 | 对比文件未记载任何关于互连耦合到底部表面或距离限制的内容。 | 对比文件未涉及互连的耦合位置和距离参数。技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中该底部填料包括有机材料 | 对比文件未记载任何关于底部填料材料的内容。 | 技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中该底部填料包括无机材料 | 对比文件未记载任何关于底部填料材料的内容。 | 技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中该底部填料包括环氧树脂 | 对比文件未记载任何关于环氧树脂底部填料的内容。 | 技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其中该底部填料包括硅树脂 | 对比文件未记载任何关于硅树脂底部填料的内容。 | 技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 | 对比文件未记载任何关于硅树脂混合无机颗粒的内容。 | 技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其中该至少一个互连包括金 | 对比文件未记载任何关于互连材料的内容。 | 技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：附着包括通过超声焊接进行附着 | 对比文件未记载任何关于超声焊接的内容。 | 技术特征U未被公开。 |
| **技术特征V**：其中该至少一个互连包括焊料 | 对比文件未记载任何关于互连材料的内容。 | 技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W**：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 | 对比文件主要示例为GaP/空气/环氧树脂体系，未提及III-氮化物或蓝宝石。 | 对比文件未公开特定的材料体系。技术特征W未被公开。 |
| **技术特征X**：移除包括通过激光解离进行移除 | 对比文件未记载任何关于激光解离移除基板的内容。 | 技术特征X未被公开。 |
| **技术特征Y**：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 | 对比文件未记载任何关于激光扫描移除基板的内容。 | 技术特征Y未被公开。 |
| **技术特征Z**：其中移除包括通过蚀刻进行移除 | 对比文件虽提及蚀刻用于纹理化，但未涉及通过蚀刻移除生长基板。 | 对比文件未公开通过蚀刻移除生长基板。技术特征Z未被公开。 |
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