对比文件的名称：2002-06-25_US6410943B_发明授权_US06410943B1 Light emitting device contact layers having substantially equal spreading resistance and method of manufacture
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI专利分析助手
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 对比文件具体实施方式部分（参照图1）记载：“在衬底10上设置p接触层11，在层11上设置p包层/阶梯层12，在层12上设置p有源层13，在层13上设置n包层/阶梯层14和n接触层15。” | 对比文件明确公开了在衬底（即生长基板）上生长半导体多层结构，该结构包括p接触层、p包层、p有源层、n包层和n接触层，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 同上，p有源层13为发光层，位于p型层12和n型层14之间。 | 对比文件指出p有源层13作为发光层，其下方为p型层（p型区），上方为n型层（n型区），因此发光层明确置于n型区和p型区之间，直接公开了技术特征B。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及任何导电互连、载体以及通过互连附着半导体结构的步骤，因此未公开该特征。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及底部填料、空腔或载体，因此未公开该特征。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及底部填料及其支撑作用，因此未公开该特征。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及移除生长基板，更未提及激光解离，因此未公开该特征。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及任何底部填料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及固化步骤，因此未公开该特征。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及底部填料层形成，因此未公开该特征。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及开口形成，因此未公开该特征。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》 | 对比文件第二实施例中蚀刻了n接触层和n阶梯层，但未蚀刻p型区和有源区。 | 对比文件虽涉及蚀刻步骤，但蚀刻对象为n型层，并非p型区和有源区，且未公开暴露n型区的目的，因此未公开该特征。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | 对比文件具体实施方式部分（参照图1）记载：“最后，在层15上设置金属接触16，接触17形成在层11上。”以及方法部分：“移除掩模后形成接触16和17。” | 对比文件明确公开了在n型区（n接触层15）上形成n接触16，在p型区（p接触层11）上形成p接触17，形成与n型区和p型区电气连接的接触，因此直接公开了技术特征L。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及载体、金属层或互连连接，因此未公开该特征。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及互连或距离要求，因此未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及底部填料材料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及底部填料材料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及环氧树脂，因此未公开该特征。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及硅树脂，因此未公开该特征。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及此类材料组合，因此未公开该特征。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及互连材料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及附着方式，因此未公开该特征。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及焊料，因此未公开该特征。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《未公开》 | 对比文件提到“GaN or other combinations of III/V materials”，但未指定生长基板材料。 | 对比文件虽提及GaN（III-氮化物），但未明确生长基板为蓝宝石，也未公开二者组合，因此未公开该特征。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及移除基板，因此未公开该特征。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及激光扫描，因此未公开该特征。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及移除基板，因此未公开该特征。 |
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