对比文件名称：2002-09-24_US6455878B_发明授权_US06455878B1 Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：资深专利代理师AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 对比文件“背景技术”部分：“半导体层，例如包括n层12、有源区13和p层14，外延生长在基板11上。” 以及“具体实施方式”中图2的描述：“在基板50上沉积n型层51。然后在 n型层51上形成有源区52，并在有源区上形成p型层53。” | 对比文件明确公开了在基板（生长基板）上外延生长半导体层，形成半导体结构，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 同上，有源区13/52作为发光层位于n层和p层之间。 | 对比文件公开了有源区（active region）是发光层，位于n型层和p型层之间，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”：“LED 32通过焊料凸点38连接到基座，焊料凸点38连接到p接触55，焊料壁36连接到n接触54。” 以及“焊料凸点38和焊料壁36在LED和基座之间形成间隙42。” | 对比文件明确公开了通过焊料凸点/壁（导电互连）将LED（半导体结构）附着到基座（载体），因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”：“在LED和基座之间的间隙42中封入空气、氮气、稀有气体、合成气、氢气或其他低折射率气体” 以及“低折射率材料如低折射率助焊剂、低折射率硅树脂凝胶或环氧树脂被封入间隙42中。” 这些材料均为电绝缘体。 | 对比文件公开了在LED和基座之间的间隙中引入低折射率材料，该材料为气体或绝缘聚合物，具有电绝缘性，因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《隐含公开》 | 对比文件“具体实施方式”中关于干膜实施例：“聚合物干膜102软化并流动，接触LED表面并润湿台面壁。聚合物干膜102还润湿基座晶圆100，形成连接LED芯片和基座晶圆的不透层，并围绕焊料连接流动。” 此外，低折射率环氧或凝胶固化后形成固体层。 | 对比文件没有明确提及“刚性支撑”，但所公开的底部填料（特别是干膜聚合物和固化后的环氧/凝胶）填充了半导体结构、载体和互连之间的间隙，形成了连接层，本领域技术人员可以合理推断该填料能够提供机械支撑，从而隐含公开了技术特征E。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | 对比文件未涉及任何移除生长基板的步骤或激光解离技术的描述。 | 对比文件仅涉及将LED倒装焊接到基座，并保留生长基板作为光提取表面，未公开移除生长基板的步骤，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”：“低折射率材料如低折射率助焊剂、低折射率硅树脂凝胶或环氧树脂被封入间隙42中。” 这些材料在施加时为液态。 | 对比文件公开了将低折射率凝胶或环氧（液态材料）引入间隙中，因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《隐含公开》 | 对比文件“具体实施方式”：“低折射率凝胶或环氧可在施加高折射率凝胶或环氧之前固化至粘稠或硬化状态。” 以及干膜实施例中加热使聚合物流动并固化。 | 对比文件公开了固化步骤，但未明确说明固化后形成刚性支撑。然而，本领域技术人员知道底部填料固化后通常提供刚性支撑，且对比文件中的材料（环氧、干膜）固化后具有刚性，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”中干膜实施例：“将光敏聚合物干膜102真空成型到基座100上。” 随后图案化，然后附着LED。 | 对比文件明确公开了在载体（基座）上形成刚性聚合物干膜层作为底部填料，然后附着LED，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”：“然后对光敏聚合物膜102进行图案化，以去除覆盖焊料凸点的膜，如图8B所示。” | 对比文件公开了在聚合物干膜层中图案化形成开口，以暴露焊料凸点位置，用于互连，因此技术特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”中图2的描述：“蚀刻掉一部分p型层53、有源区52和n型层51，以暴露一部分n型层51。蚀刻留下台面壁56...” | 对比文件明确公开了在附着前蚀刻掉部分p型层和有源区以暴露n型层，因此技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”中图2的描述：“p接触55连接到p型层53... n接触54连接到n层。” | 对比文件公开了在暴露的n型区上形成n接触，在p型区上形成p接触，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | 对比文件“具体实施方式”描述了焊料凸点38连接p接触55，焊料壁36连接n接触54。焊料互连必然连接到载体上的焊盘（金属层）。 | 对比文件公开了通过焊料互连将半导体结构上的接触连接到载体上的焊盘（金属层），因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 对比文件未提及半导体结构顶部表面与载体顶部表面的具体距离数值；仅指出焊料互连形成间隙。 | 对比文件公开了互连耦合到半导体结构底部表面（因倒装焊），但未公开顶部表面（基板表面）与载体顶部表面的距离小于50微米这一具体数值，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《直接公开》 | 对比文件公开了低折射率凝胶、环氧、聚合物干膜等，均为有机材料。例如：“低折射率硅树脂凝胶或环氧树脂”、“光敏聚合物干膜”。 | 对比文件公开的底部填料材料为有机聚合物（硅树脂、环氧树脂、聚丙烯等），因此技术特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 对比文件未公开无机材料作为底部填料；所有底部填料均为有机材料。 | 对比文件公开的底部填料均为有机材料，未涉及无机材料，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《直接公开》 | 对比文件明确提到“低折射率环氧树脂”。 | 对比文件公开了低折射率环氧树脂作为底部填料，因此技术特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《直接公开》 | 对比文件明确提到“低折射率硅树脂凝胶”。 | 对比文件公开了低折射率硅树脂凝胶作为底部填料，因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 对比文件未提及在硅树脂中添加无机颗粒。 | 对比文件未公开在硅树脂中掺入无机材料颗粒，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | 对比文件未提及互连材料为金，仅提到焊料（PbSn合金）。 | 对比文件公开的互连材料为焊料，未公开金作为互连材料，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接，仅提到焊接（soldering）或加热熔合（heating to fuse）。 | 对比文件公开的附着方式为焊料回流焊接，未涉及超声焊接，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | 对比文件反复提到“焊料凸点”、“焊料壁”。 | 对比文件明确公开了互连包括焊料，因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 对比文件“背景技术”：“III-氮化物器件外延生长在蓝宝石、碳化硅或III-氮化物基板上”，实施例中均以蓝宝石基板为例。 | 对比文件公开了半导体结构为III-氮化物材料，生长基板为蓝宝石，因此技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 对比文件未涉及任何移除生长基板的步骤或激光解离技术的描述。 | 对比文件未涉及移除生长基板的步骤，更未公开激光解离，因此技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 对比文件未提及激光解离及其扫描步骤。 | 对比文件未公开激光解离及其扫描步骤，因此技术特征Y未被公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 对比文件未涉及移除生长基板，也未公开蚀刻移除。 | 对比文件未涉及移除生长基板，也未公开蚀刻移除，因此技术特征Z未被公开。 |
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