对比文件名称：2002-06-13_US2002070386A_发明申请_US20020070386A1 III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek（AI模型）
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)（直接公开） | 段落[0070]：“在步骤91中，在生长基板上沉积III-氮化物异质结构。”；段落[0048]：“III-氮化物层11可选地附着到透明超透光层10。该超透光层可以是用于沉积III-氮化物层的生长基板。” | 对比文件明确公开了在生长基板上沉积半导体结构，与特征A一致，因此直接公开。 |
| 特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层（直接公开） | 段落[0048]：“该器件包括III-氮化物外延异质结构，n型层和未掺杂层以及p型层12，每层都与有源区13接触。” | 对比文件公开了n型层、p型层以及其间的有源区（发光层），因此直接公开。 |
| 特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)（直接公开） | 段落[0048]：“电极金属化层通过互连60连接到基座衬底50上的基座电极52。” | 对比文件公开了通过导电互连将LED芯片附着到基座（载体），因此直接公开。 |
| 特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)（隐含公开） | 段落[0071]：“在可选步骤102中，在LED芯片和基座之间分配下填充材料。”；段落[0049]：“LED和基座之间的任何下填充材料的导热率非常低。” | 对比文件公开了在LED芯片和基座之间引入下填充材料，虽然未明确说明其电绝缘性，但本领域技术人员已知下填充材料通常为电绝缘材料，因此隐含公开。 |
| 特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑（隐含公开） | 段落[0071]：同D。 | 对比文件公开了下填充材料填充在LED芯片和基座之间，虽然未明确提及提供刚性支撑，但本领域技术人员可以合理推断下填充材料填充间隙并提供机械支撑，因此隐含公开。 |
| 特征F：通过激光解离移除该生长基板(10)（未公开） | 无 | 对比文件未涉及移除生长基板，也未提及激光解离，因此未公开。 |
| 特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间（直接公开） | 段落[0071]：“在LED芯片和基座之间分配下填充材料。” | “分配”通常指将液态材料放置，因此直接公开。 |
| 特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑（隐含公开） | 段落[0071]：未明确提及固化。 | 对比文件未明确描述固化步骤，但本领域技术人员知道下填充材料在分配后需要固化，因此隐含公开。 |
| 特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层（未公开） | 无 | 对比文件的下填充是在附着后，而非附着前，因此未公开。 |
| 特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连（未公开） | 无 | 对比文件未公开在附着前形成底部填料层并开孔，因此未公开。 |
| 特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区（隐含公开） | 段落[0070]步骤92：“对III-氮化物异质结构施加接触，如果需要则进行蚀刻。”；图6a显示n电极指状物。 | 对比文件公开了蚀刻步骤，本领域技术人员可以合理推断蚀刻包括去除部分p型层和有源区以暴露n型层，从而形成n接触，因此隐含公开。 |
| 特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触（直接公开） | 段落[0048]：“n电极22指状物插入p电极金属化层20。” | 对比文件公开了n电极和p电极，分别与n型区和p型区电连接，因此直接公开。 |
| 特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个（直接公开） | 段落[0048]：“电极金属化层通过互连60连接到基座衬底50上的基座电极52。” | 对比文件公开了互连连接LED电极和基座上的金属层，因此直接公开。 |
| 特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米（未公开） | 无 | 对比文件未公开半导体结构顶部表面与载体顶部表面的距离小于50微米，因此未公开。 |
| 特征O：其中该底部填料包括有机材料（未公开） | 无 | 对比文件未公开底部填料的具体成分，因此未公开。 |
| 特征P：其中该底部填料包括无机材料（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 特征R：其中该底部填料包括硅树脂（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 特征T：其中该至少一个互连包括金（直接公开） | 段落[0048]：“互连可以由元素金属、金属合金、...焊料、...金凸点制成。” | 对比文件明确提到互连包括金，因此直接公开。 |
| 特征U：附着包括通过超声焊接进行附着（未公开） | 无 | 对比文件未提及超声焊接，因此未公开。 |
| 特征V：其中该至少一个互连包括焊料（直接公开） | 段落[0048]：“互连可以由...焊料、...焊料凸点制成。” | 对比文件明确提到互连包括焊料，因此直接公开。 |
| 特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石（直接公开） | 段落[0004]：“III-氮化物材料系统”和“蓝宝石或SiC衬底”。 | 对比文件明确公开了III-氮化物结构以及生长基板可以是蓝宝石，因此直接公开。 |
| 特征X：移除包括通过激光解离进行移除（未公开） | 无 | 对比文件未涉及移除生长基板，因此未公开。 |
| 特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面（未公开） | 无 | 未公开。 |
| 特征Z：移除包括通过蚀刻进行移除（未公开） | 无 | 未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<G>>><<<L>>><<<M>>><<<T>>><<<V>>><<<W>>><<<d>>><<<e>>><<<h>>><<<k>>>