对比文件名称：2005-04-12_US6878973B_发明授权_US06878973B2 Reduction of contamination of light emitting devices
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：提供在生长基板上生长的半导体结构 《直接公开》 | 对比文件[00028]：“LED 11包括透明超基板21，第一导电类型的半导体层23，有源区25，第二导电类型的半导体层27。透明超基板21可以由例如蓝宝石或碳化硅形成。” | 对比文件明确公开了LED包括在蓝宝石超基板上生长的半导体结构，即提供了在生长基板上生长的半导体结构，因此直接公开。 |
| 特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 对比文件[00028]：“第一导电类型的半导体层23和第二导电类型的半导体层27电耦合到有源区25。有源区25例如是p‑n结或形成量子阱的多个半导体层。” | 对比文件公开了半导体层23和27作为第一和第二导电类型，有源区25位于它们之间作为发光层，即发光层置于n型区和p型区之间，因此直接公开。 |
| 特征C：通过至少一个导电互连将该半导体结构附着到载体 《直接公开》 | 对比文件[00029]：“互连33分别电耦合接触31和41到submount接触35和43。” | 对比文件公开了互连33将LED的接触连接到submount的接触，submount作为载体，从而实现通过导电互连附着，因此直接公开。 |
| 特征D：在该半导体结构和该载体之间的空腔中引入电绝缘底部填料 《直接公开》 | 对比文件[00032]：“在倒装芯片几何结构的LED中，底部填料37设置在LED 11的第一有源表面12和submount 13的第一表面14之间。” | 对比文件公开了在LED和submount之间设置底部填料，该填料通常为电绝缘材料，因此直接公开。 |
| 特征E：其中该底部填料通过填充半导体结构、载体和至少一个互连之间的间隙而提供对该半导体结构的刚性支撑 《隐含公开》 | 对比文件[00032]提到底部填料作为物理屏障；[00035]提到底部填料包括填料以减少热膨胀，并在固化过程中膨胀对LED施加应力。 | 虽然对比文件未明确提及“刚性支撑”，但本领域技术人员可以合理推断，底部填料填充间隙并固化后，必然对半导体结构提供机械支撑，因此隐含公开。 |
| 特征F：通过激光解离移除该生长基板 《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及任何移除生长基板的步骤，也未提及激光解离，因此未公开。 |
| 特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《隐含公开》 | 对比文件[00034]：“底部填料37可以具有低粘度，以便更容易分配。” | 低粘度暗示底部填料在分配时为液态，且通常底部填料以液态形式注入间隙，因此隐含公开了将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间。 |
| 特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《隐含公开》 | 对比文件[00035]：“在固化和热处理过程中，底部填料通常膨胀，对LED施加应力。” | 对比文件公开了底部填料的固化过程，固化后形成固体材料，自然提供支撑，因此隐含公开了固化步骤及形成支撑。 |
| 特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开在附着前预先形成底部填料层，相反，底部填料是在LED附着到submount后设置的，因此未公开。 |
| 特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开在底部填料层中形成开口，互连直接连接，因此未公开。 |
| 特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开蚀刻暴露n型区的步骤，因此未公开。 |
| 特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《未公开》 | 对比文件[00029]：“接触31和41分别电耦合到半导体层27和23。” | 对比文件公开了接触的存在，但未公开形成步骤，也未涉及暴露部分，因此未公开特征L的全部内容。 |
| 特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | 对比文件[00029]：“互连33分别电耦合接触31和41到submount接触35和43。” | 对比文件公开了互连将LED的接触连接到submount上的金属层接触，因此直接公开。 |
| 特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何关于互连位置或距离尺寸的信息，因此未公开。 |
| 特征O：其中该底部填料包括有机材料 《直接公开》 | 对比文件[00034]：“底部填料37可以包括氰酸酯树脂、环氧树脂、环氧、聚氨酯、丙烯酸酯、其他有机材料或其任意组合。” | 对比文件明确公开了底部填料包括有机材料，因此直接公开。 |
| 特征P：其中该底部填料包括无机材料 《直接公开》 | 对比文件[00035]：“底部填料37包括填料，填料可以包括二氧化硅、气相二氧化硅、二氧化钛、无机硅酸盐、无机粘土、惰性金属、金属氧化物或其任意组合。” | 对比文件明确公开了底部填料包括无机填料，因此直接公开。 |
| 特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《直接公开》 | 对比文件[00034]：“底部填料可以包括……环氧树脂、环氧……” | 对比文件明确列出环氧树脂，因此直接公开。 |
| 特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开底部填料包括硅树脂，仅在其他部分提到硅树脂，因此未公开。 |
| 特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开底部填料中包含硅树脂中的无机颗粒，磷光体层中的颗粒不构成底部填料，因此未公开。 |
| 特征T：其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开互连的具体材料，因此未公开。 |
| 特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开附着方法，因此未公开。 |
| 特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开互连包括焊料，因此未公开。 |
| 特征W：其中该半导体结构是III‑氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 对比文件[00021]：“氮化镓（GaN）外延层”；[00028]：“透明超基板21可以由例如蓝宝石或碳化硅形成。” | 对比文件公开了GaN基LED和蓝宝石基板，因此直接公开。 |
| 特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开激光解离移除，因此未公开。 |
| 特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开扫描步骤，因此未公开。 |
| 特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开蚀刻移除，因此未公开。 |
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