对比文件名称：2004-04-01_US2004061123A_发明申请_US20040061123A1 Optimized contact design for flip-chip LED
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI大语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：《直接公开》 | 段落[0026]：“LED 10 having a stacked structure of semiconductor layers on a substrate 12.”（LED 10具有在衬底12上的半导体层堆叠结构。） | 对比文件直接公开了在衬底（生长基板）上生长半导体堆叠结构，该结构即为半导体结构，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：《直接公开》 | 段落[0027]：“The stacked structure includes a first region 16 having a semiconductor material of a first type and a second region 20 having a semiconductor material of a second type.”（堆叠结构包括第一类型半导体材料的第一区域16和第二类型半导体材料的第二区域20。）<br>段落[0031]：“The stacked structure includes a junction 18, also known as an active region, between the surface 22 of the first region 16 and the second region 20.”（堆叠结构包括结18，也称为有源区，位于第一区域16的表面22和第二区域20之间。） | 对比文件直接公开了n型区（第一区域）和p型区（第二区域）以及它们之间的有源区（发光层），因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征C：《直接公开》 | 段落[0048]描述连接面板（载体）及其p-连接102和n-连接106；<br>段落[0052]：“The p-connections 102 and the n-connections 106 are preferably thermasonically bonded to the pads 34 and 44, respectively, of the LED.”（p-连接102和n-连接106优选通过热超声键合分别连接到LED的焊盘34和44。） | 对比文件直接公开了通过导电互连（p-connections/n-connections）将LED结构附着到连接面板（载体），因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征D：未公开 | 无相关明确公开。对比文件[0039]提到电绝缘材料覆盖堆叠结构，但并非填充在半导体结构和载体之间的空腔。 | 对比文件未公开任何底部填料或其引入步骤，既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征E：未公开 | 无相关公开。 | 基于底部填料未公开，其提供刚性支撑的作用亦未公开。 |
| 技术特征F：未公开 | 段落[0030]：“it is possible to remove the substrate 12 at some point during the formation of the LED.”（在LED形成过程中可能移除衬底12。）但未说明具体方法。 | 对比文件仅提及可能移除衬底，未公开通过激光解离进行移除，既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征G：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开任何关于液态底部填料材料的放置步骤。 |
| 技术特征H：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开液态底部填料材料的固化。 |
| 技术特征I：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开在附着前形成刚性底部填料层。 |
| 技术特征J：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开在刚性底部填料层中形成开口。 |
| 技术特征K：《直接公开》 | 段落[0034]：“Typically, an etching process forms the trench 36 after the stacked structure is deposited on the substrate 12. Portions of the layers forming the second region 20 and the junction 18 are removed by selectively etching from the top surface 26 down to the surface 22 of the first region...” （通常，蚀刻工艺在堆叠结构沉积在衬底12上之后形成沟槽36。形成第二区域20和结18的层部分通过从顶表面26向下到第一区域16的表面22的选择性蚀刻被去除。） | 对比文件直接公开了在附着到载体之前，通过蚀刻去除p型区（第二区域）和有源区（结）的一部分以暴露n型区（第一区域）的表面，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征L：《直接公开》 | 段落[0035]：“A first electrode-pad unit 40 is disposed within the trench 36. The first electrode-pad unit 40 includes an electrode 42, which is spaced a distance 28 from the sidewalls 38 in order to prevent a short circuit. ... The electrode 42 is formed from electrically conductive materials in order to provide an electrical contact with the surface 22 of the first region 16.”（第一电极-焊盘单元40设置在沟槽36内，包括电极42，与侧壁38隔开距离28，电极42由导电材料形成以与第一区域16的表面22提供电接触。）<br>段落[0037]：“A second electrode-pad unit 30 is disposed over the surface 26. The second electrode-pad unit 30 comprises an electrode 32 and a pad 34. The electrode 32 substantially covers the top surface 26, and is formed from a material that will provide a low resistance, desirably ohmic contact with the semiconductor material of the top surface 26.”（第二电极-焊盘单元30设置在表面26上，包括电极32和焊盘34，电极32基本覆盖顶表面26，并与顶表面26的半导体材料提供低电阻的欧姆接触。） | 对比文件直接公开了在暴露的n型区上形成n接触（电极42）和在p型区上形成p接触（电极32），因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征M：《直接公开》 | 段落[0048]：“The connection panel 100 may include a chip with sides 116 having one or more p-connections 102 for attaching to the pads 34 and one or more n-connections 106 for attaching to the pads 44.”（连接面板100可包括具有一侧或多侧p-连接102用于附着到焊盘34和n-连接106用于附着到焊盘44的芯片。）<br>段落[0050]：“The surfaces 104 and 108 are preferably part of seed layers 122 and 124, respectively. The seed layers 122 and 124 may be one or more layers of metal formed on the substrate 120.”（表面104和108优选分别是种子层122和124的一部分，种子层122和124可以是在衬底120上形成的一层或多层金属。） | 对比文件公开了载体（连接面板）上形成金属层（种子层），并通过互连（p-connections/n-connections）连接到接触焊盘（pad），从而实现与n接触或p接触的连接，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征N：未公开 | 段落[0054]提到整个堆叠厚度约5微米，但未涉及互连高度或半导体结构顶部表面与载体顶部表面的距离。 | 对比文件未公开半导体结构顶部表面离开载体顶部表面的距离，更未提及小于50微米的具体数值，既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征O：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开其材料为有机材料。 |
| 技术特征P：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开其材料为无机材料。 |
| 技术特征Q：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开其包括环氧树脂。 |
| 技术特征R：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开其包括硅树脂。 |
| 技术特征S：未公开 | 无相关公开。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开置于硅树脂中的无机材料颗粒。 |
| 技术特征T：《直接公开》 | 段落[0036]：“the pad 44 may comprise a lower layer 44a of platinum and an upper layer 44b of gold disposed over the lower layer 44a.”（焊盘44可包括铂下层和设置在下层上的金上层。）<br>段落[0038]：“the pad 34 may be gold.”（焊盘34可以是金。）<br>段落[0052]：“The tops 102b and 106b are preferably the same metal as the pads 34 and the pads 44b respectively, e.g. gold.”（顶部102b和106b优选与焊盘34和44b相同的金属，例如金。） | 对比文件直接公开了互连部分（焊盘、连接顶部）包括金，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征U：《直接公开》 | 段落[0052]：“The p-connections 102 and the n-connections 106 are preferably thermasonically bonded to the pads 34 and 44, respectively, of the LED.”（p-连接102和n-连接106优选通过热超声键合分别连接到LED的焊盘34和44。） | 热超声键合属于超声焊接的一种，对比文件直接公开了通过超声焊接进行附着，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征V：《直接公开》 | 段落[0016]：“The p-connections may include solder balls that are disposed to maximize a contact area.”（p-连接可包括焊料球，其设置成最大化接触面积。） | 对比文件直接公开了互连包括焊料（焊料球），因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征W：《直接公开》 | 段落[0026]：“The substrate 12 may comprise gallium-nitride based materials, alumina, AlN, ZnO, silicon carbide (SiC), sapphire or other suitable materials.”（衬底12可包括氮化镓基材料、氧化铝、AlN、ZnO、碳化硅、蓝宝石或其他适合材料。）<br>段落[0028]：“the semiconductor materials are nitride-based semiconductors, i.e., III-V semiconductors in which x is 0.5 or more... The term “gallium nitride based semiconductor” as used herein refers to a nitride-based semiconductor including gallium.”（半导体材料是氮化物基半导体，即III-V半导体中x≥0.5，氮化镓基半导体包括镓的氮化物基半导体。） | 对比文件直接公开了半导体结构可以是III-氮化物（如GaN），生长基板可以是蓝宝石，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征X：未公开 | 同特征F，无相关公开。 | 对比文件未公开通过激光解离进行移除，既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征Y：未公开 | 同特征F，无相关公开。 | 对比文件未公开通过激光扫描生长基板表面进行移除，既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征Z：未公开 | 段落[0030]提及可能移除衬底，但未说明具体方法。 | 对比文件未公开通过蚀刻移除生长基板，既未直接公开也未隐含公开。 |
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