对比文件名称：2004-03-11_JP2004080042A_发明专利_JP2004080042A Surface patterning of light emitting diode layer for bonding to second light emitting diode layer
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 对比文件第[2]段记载：“図１を参照すると、本発明を実施する第１の工程は、複数個のＬＥＤ層をその上で順次成長させる第１基板として成長基板３０を選択することである。” | 对比文件明确公开了在生长基板30上生长LED层（半导体结构），该特征与目标专利特征A相同，且作用相同（提供用于后续处理的半导体结构）。因此直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 对比文件第[2]段记载：“ｎ−ドーピングされた下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層３４…ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６…ｐ−ドーピングされたＡｌＧａＩｎＰの上部密封層３８”。 | 对比文件公开了n-型密封层（n型区）、有源层（发光层）和p-型密封层（p型区），发光层位于n型和p型区之间，与目标专利特征B一致。因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 未公开 | 对比文件第[2]段记载：“第２基板がＬＥＤ構造にウェーハ・ボンディングされる”。 | 对比文件公开的附着方式是晶圆键合，直接材料接触，不是通过导电互连。对比文件没有教导或暗示使用导电互连（如焊料凸点、金凸点）作为附着手段。因此未公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 未公开 | 对比文件未记载底部填料相关内容。 | 对比文件在晶圆键合中未引入底部填料，相反在图案化实施例中故意形成空洞而不填充。因此未公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 未公开 | 对比文件未记载底部填料及其支撑作用。 | 对比文件无底部填料，因此未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 未公开 | 对比文件第[2]段记载：“一時的成長基板を除去する方法は限定的なものではなく、別な方法には化学エッチング、ラップ研磨／研磨、反応性イオン・エッチング及びイオン摩砕が含まれる”。 | 对比文件所列移除方法均不涉及激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 未公开 | 对比文件无底部填料引入步骤。 | 对比文件未公开任何底部填料材料，因此未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 未公开 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件无底部填料固化步骤，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 未公开 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有在附着前形成刚性底部填料层，因此未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 未公开 | 对比文件未公开。 | 对比文件无底部填料层开口，因此未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 未公开 | 对比文件第[2]段图14实施例中记载：“パターン形成されたＬＥＤ層１７４は窪み１７６を設けている”。 | 对比文件虽然公开了在LED层上形成凹陷，但未明确是蚀刻掉p型区和有源区以暴露n型区，且凹陷目的为控制电流/光，而非形成接触。因此未公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 未公开 | 对比文件第[2]段记载了形成电极44和46，但未涉及与暴露的n型区连接。 | 对比文件形成电极的方式不依赖于暴露n型区，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 未公开 | 对比文件在载体上形成金属层（如电极46），但未公开通过互连连接。 | 对比文件未公开互连将载体上金属层连接到接触，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 未公开 | 对比文件未公开距离数值。 | 对比文件未涉及互连耦合位置及距离限制，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 未公开 | 对比文件无底部填料。 | 对比文件未公开底部填料及其材料，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 未公开 | 对比文件无底部填料。 | 对比文件未公开底部填料及其材料，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 未公开 | 对比文件无底部填料。 | 对比文件未公开环氧树脂，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 未公开 | 对比文件无底部填料。 | 对比文件未公开硅树脂，因此未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 未公开 | 对比文件无底部填料。 | 对比文件未公开硅树脂及无机颗粒，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 未公开 | 对比文件第[2]段公开了电极材料包括AuGe、AuZn，但未明确互连包括金。 | 对比文件未公开互连由金构成，因此未公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 未公开 | 对比文件公开的附着方法为晶圆键合（加热加压），未提及超声焊接。 | 对比文件未公开超声焊接，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 未公开 | 对比文件未公开焊料互连。 | 对比文件未公开焊料作为互连材料，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 未公开 | 对比文件第[2]段公开的生长基板为GaAs，半导体结构为AlGaInP等，非III-氮化物。 | 对比文件未涉及III-氮化物和蓝宝石，因此未公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 未公开 | 同特征F，对比文件未公开激光解离。 | 对比文件移除方法不包括激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 未公开 | 对比文件未公开激光扫描。 | 对比文件无激光相关，因此未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《直接公开》 | 对比文件第[2]段记载：“一時的成長基板を除去する方法は限定的なものではなく、別な方法には化学エッチング、ラップ研磨／研磨、反応性イオン・エッチング及びイオン摩砕が含まれる”。 | 对比文件明确公开了通过化学蚀刻等蚀刻方法移除生长基板，该特征与目标专利特征Z一致，且作用相同（移除生长基板）。因此直接公开。 |
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