**对比文件名称**：1998-12-16_EP0883837A_发明公开_EP0883837A1 AN OPTICAL ARRANGEMENT FOR PROCESSING AN OPTICAL WAVE
**目标专利名称**：1561全息光学元件及其制造方法 CN113728257B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述制造方法包括<br>**（直接公开）** | 对比文件发明内容部分：“本发明的目的因此是提供一种用于处理光学信号的光学装置和方法……该目的通过根据本发明如所附权利要求1和27分别限定的装置和方法实现。”<br>（参见“SUMMARY OF THE INVENTION”段落） | 对比文件明确公开了一种制造方法（如权利要求27所定义的方法），且该方法用于制造光学装置（包括全息光栅）。目标专利的特征A是制造方法的总括性表述，对比文件直接公开了制造方法，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B：** 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>**（隐含公开）** | 对比文件背景技术部分：“标准光刻和蚀刻技术”（standard lithography and etching technique）以及“光学介质可以包括片10，例如全息基底”（a sheet 10, e.g. a holographic substrate）。<br>（参见“BACKGROUND OF THE INVENTION”和“DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS”中关于图2a的描述） | 对比文件虽未明确写出“涂覆光敏树脂”，但制造表面浮雕光栅的常规光刻工艺必然包括在基底上涂覆光刻胶（一种光敏树脂）以形成光敏层。本领域技术人员在阅读对比文件关于“标准光刻和蚀刻技术”的表述后，可以合理推断出制造步骤包含涂覆光敏树脂以形成光敏基底，因此该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C：** 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>**（未公开）** | 对比文件未提及通过激光照射基底的两个表面进行干涉记录。对比文件描述的光栅制造采用“标准光刻和蚀刻技术”或计算机生成图案，未涉及双光束干涉全息记录。 | 对比文件没有任何关于用激光照射光敏基底的两个表面来记录全息光栅的记载，也未暗示这种全息记录过程。本领域技术人员无法从对比文件中推理出该步骤。 |
| **技术特征D：** 其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>**（未公开）** | 对比文件未提及光敏树脂涂层的高度变化。对比文件涉及的是通过横向位移（lateral displacement）或占空比变化实现相位/振幅调制，未涉及涂层厚度梯度。 | 对比文件中光栅直接形成在基底上或通过蚀刻得到，没有“光敏树脂涂层”的概念，更无高度沿方向变化的技术方案。 |
| **技术特征E：** 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>**（未公开）** | 对比文件未记载全息光栅记录于涂层整个高度。对比文件中的光栅是表面浮雕结构（surface-relief），仅形成于基底表面或浅层。 | 对比文件的光栅是蚀刻形成的二元或阶梯结构，并非记录在涂层中，因此无法公开该特征。 |
| **技术特征F：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>**（未公开）** | 对比文件未公开光栅高度或涂层高度的连续变化。对比文件提到可通过多级蚀刻获得不同阶跃深度（step height），但高度是离散的且并非通过涂层厚度实现。 | 对比文件没有公开光栅高度随位置逐渐增加的技术方案，也未涉及涂层厚度梯度。 |
| **技术特征G：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>**（未公开）** | 对比文件未公开全息光栅高度逐渐增加。对比文件中光栅深度（高度）的阶梯变化不连续，且与目标专利的逐渐增加不同。 | 对比文件没有公开光栅高度逐渐增加的教导。 |
| **技术特征H：** 所述全息光栅具有相同的宽度<br>**（隐含公开）** | 对比文件图3b及对应描述：“沟槽30的宽度用W表示，光栅齿40的宽度用V表示”以及“通过改变光栅的占空比（即齿宽与周期之比）可以控制振幅”。<br>（参见图3b及关于振幅调制的描述） | 对比文件明确教导可以通过改变占空比（即沟槽宽度与周期之比）来实现振幅调制。当不需要振幅调制时，占空比可以保持不变，则所有沟槽宽度相同。本领域技术人员能够理解，在纯相位调制的设计中，全息光栅的宽度可以完全相同，因此该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I：** 其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>**（未公开）** | 对比文件未涉及任何关于喷涂光敏树脂的工艺。 | 对比文件未公开喷涂步骤。 |
| **技术特征J：** 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>**（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开喷涂量变化。 |
| **技术特征K：** 其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)<br>**（未公开）** | 对比文件未涉及浸渍涂覆。 | 对比文件未公开浸渍步骤。 |
| **技术特征L：** 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)<br>**（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开分离步骤。 |
| **技术特征M：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>**（未公开）** | 对比文件无运动速度变化的教导。 | 对比文件未公开改变速度。 |
| **技术特征N：** 其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)<br>**（未公开）** | 对比文件未提及辅助基底。 | 对比文件未公开在基底与辅助基底之间提供树脂。 |
| **技术特征O：** 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)<br>**（未公开）** | 对比文件无相关操作。 | 对比文件未公开移动辅助基底。 |
| **技术特征P：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>**（未公开）** | 对比文件无速度变化的内容。 | 对比文件未公开相对速度变化。 |
| **技术特征Q：** 其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>**（未公开）** | 对比文件未涉及倾斜涂覆。 | 对比文件未公开倾斜状态提供树脂。 |
| **技术特征R：** 将所述光敏树脂干燥<br>**（未公开）** | 对比文件未提及干燥步骤。 | 对比文件未公开干燥工艺。 |
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**结论代码**
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A，隐含公开了技术特征B和H。因此插入代码：
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