**对比文件名称**：2010-08-09_KR1020100088458A_发明公开_KR1020100088458A 도광판 제조를 위한 홀로그램 패턴의 임프린트 공정을 통한 금형 제작방법
**目标专利名称**：1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek V3（本模型）
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述制造方法包括《直接公开》 | 段落[21]：“根据本发明的模具制造方法，包括：(a) 在硅基板上表面形成金属薄膜层的步骤，(b) 在所述金属薄膜层上表面涂覆UV树脂的步骤，(c) 将凸起PDMS印章放置在涂覆的薄膜层上并以一定压力按压后照射一定量的UV使UV树脂固化的步骤，(d) 去除印章获得一定图案的步骤，(e) 通过RIE工艺蚀刻固化UV树脂薄膜的步骤，(f) 通过湿法蚀刻去除暴露的金属薄膜层以获得图案化薄膜的步骤，(g) 通过干蚀刻或湿蚀刻蚀刻图案化薄膜的步骤，(h) 从薄膜去除金属薄膜层获得图案化硅基板的步骤，(i) 向硅基板图案喷涂脱模剂的步骤，(j) 在涂覆的硅基板上表面电镀形成金属层的步骤，(k) 将金属层一侧和图案另一侧切削或镜面加工以适用于注射设备的步骤。” | 对比文件完整公开了一种制造模具的方法，该方法包括多个步骤，属于“制造方法”范畴。目标专利技术特征A仅为方法的开头引导用语，对比文件的整体方法直接公开了这一上位特征，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征。 |
| 技术特征B：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)《直接公开》 | 段落[21]步骤(b)：“상기 금속박막층 상면에 UV 레진을 도포하는 단계” (在所述金属薄膜层上表面涂覆UV树脂的步骤)。段落[41]-[42]：“在硅基板(81)上表面形成金属薄膜层(82)……在由此制造的薄膜上涂覆UV树脂(83)”。 | 对比文件公开了在基底（硅基板+金属薄膜层）的一个表面上涂覆UV树脂。UV树脂属于光敏树脂，涂覆后形成的光敏层相当于“光敏基底”。尽管基底类型与目标专利不完全相同（目标专利基底可为膜或导光板），但该步骤实质相同，均为涂覆光敏树脂形成光敏层。因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)《未公开》 | 段落[22]步骤(나)“굴절 간섭광원으로 노광시키는 단계” (用折射干涉光源曝光的步骤)；步骤(다)“빛의 굴절각을 달리 하여 굴절 간섭광을 노광하여 접촉량에 따라 패턴을 형성하는 단계” (通过改变光的折射角来曝光折射干涉光，根据接触量形成图案的步骤)。 | 对比文件在制造PDMS印章时，使用干涉光源对光刻胶层进行曝光以形成全息图案。但该曝光并非对光敏基底（涂覆UV树脂的基底）的两面进行激光照射（目标专利严格要求从光敏基底的一个表面和另一个表面照射）。对比文件未提及从两面照射，也未将记录步骤直接关联到光敏树脂涂层中的全息光栅形成。因此既未直接公开，也无法合理推断出该具体照射方式。 |
| 技术特征D：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化《未公开》 | 全文无对应内容。对比文件所有涂覆步骤均为均匀涂覆，未提及涂层厚度沿方向变化。段落[42]仅描述“涂覆UV树脂”，无任何厚度梯度。 | 对比文件从未涉及通过改变涂覆条件使光敏树脂涂层高度变化的技术手段，也未给出任何相关教导或暗示。本领域技术人员不能从对比文件得出此特征。 |
| 技术特征E：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上《未公开》 | 对比文件中的全息图案形成过程：通过压印（段落[43]-[44]）和蚀刻（段落[45]-[47]）获得表面浮雕结构，而非贯穿整个涂层厚度的体光栅。例如段落[44]“去除印章得到图案”，图案为表面凹凸。 | 目标专利的全息光栅是记录在光敏树脂涂层整个高度上的体积型光栅（从基底表面延伸至涂层表面）。对比文件形成的图案仅为表面层结构，并非记录在整个涂层厚度中。因此未公开。 |
| 技术特征F：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加《未公开》 | 全文无对应内容。段落[18]提及“홀로그램 패턴의 식각 깊이” (全息图案的蚀刻深度)，但这是图案深度，与涂层高度无关，且未说明沿方向逐渐变化。 | 对比文件未公开光敏树脂涂层高度逐渐增加，也未公开记录于涂层中的全息光栅高度随之变化。没有任何内容暗示或教导这种关联。 |
| 技术特征G：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加《未公开》 | 同上，无对应内容。 | 与特征F类似，对比文件未公开全息光栅高度沿方向逐渐增加。 |
| 技术特征H：所述全息光栅具有相同的宽度《未公开》 | 对比文件未明确全息图案的宽度是否恒定。在PDMS印章制作（段落[22]）中，通过干涉曝光形成图案，但未提及宽度相同。在压印过程中（段落[43]），图案由印章决定，但印章图案的宽度特性未描述。 | 对比文件未提及全息光栅宽度相同。目标专利中全息光栅宽度相同是由均匀的激光照射参数导致，对比文件没有对应的工艺条件教导。 |
| 技术特征I：其中在所述步骤(a)中将光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处《未公开》 | 对比文件在涂覆UV树脂时，未指定具体方法。段落[42]仅写“UV 레진(83)을 도포한다” (涂覆UV树脂(83))，未说明喷涂。仅段落[48]提到“이형제를 분무하여 도포” (喷涂脱模剂)，但脱模剂并非光敏树脂。 | 对比文件未公开使用喷涂方式施加光敏树脂，也未涉及在多个位置处喷涂。因此未公开。 |
| 技术特征J：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化《未公开》 | 同上，无对应内容。 | 对比文件没有喷涂步骤，更没有量随位置变化。 |
| 技术特征K：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含光敏树脂的容器中的步骤(a-1)《未公开》 | 全文无将基底浸入光敏树脂容器中的描述。对比文件采用在基板上直接涂覆UV树脂。 | 浸渍工艺是目标专利第二实施例（图9）的特定方案，对比文件未采用浸渍方法。 |
| 技术特征L：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)《未公开》 | 全文无对应内容。 | 没有分离步骤。 |
| 技术特征M：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离《未公开》 | 全文无对应内容。 | 没有改变速度的分离操作。 |
| 技术特征N：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供光敏树脂的步骤(a-1)《未公开》 | 段落[43]：“도 6b에서 제작된 막의 상부에, 앞서 도 5f에서 제작된 양각의 PDMS 스탬프(76)를 위치시키고 일정한 압력으로 누른 후에 일정양의 UV(91)를 조사하여 UV 레진(83)을 경화한다” (在如图6b制造的膜的上部，放置先前在图5f中制造的凸起PDMS印章(76)，以一定压力按压后，照射一定量的UV(91)以固化UV树脂(83))。在步骤(b)中UV树脂已预先涂覆在基底上，并非先提供在基底与辅助基底之间再涂覆。这里印章作为辅助基底，树脂被夹在中间，但步骤顺序不同（先涂覆再放置印章）。 | 目标专利的特征N是形成涂层厚度梯度方法的一部分，其特点是在基底与辅助基底之间提供光敏树脂，然后通过移动控制厚度。对比文件的压印步骤虽然涉及基底（硅基板+UV树脂）与辅助基底（PDMS印章）之间存在UV树脂，但树脂是预先涂覆在基底上，而非作为独立的“之间提供”步骤。此外，目的完全不同（压印图案 vs. 形成厚度梯度）。因此未公开。 |
| 技术特征O：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)《未公开》 | 段落[43]-[44]：放置印章（移动印章使其接触树脂）、按压、去除印章（移动印章使其分离）。这些动作涉及辅助基底的移动。 | 虽然对比文件包含移动印章的动作，但该移动是用于压印（使图案转移），而非形成厚度梯度。目标专利的特征O是专用于通过相对移动控制光敏树脂涂层厚度的方法，其移动速度和时间需要精确控制。对比文件的移动仅为简单的贴合与分离，未涉及散射或形成厚度变化。因此未公开。 |
| 技术特征P：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者《未公开》 | 全文无改变相对移动速度的描述。段落[43]仅提及按压，未提速度变化。 | 对比文件无任何改变相对移动速度的教导。 |
| 技术特征Q：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂《未公开》 | 全文无倾斜涂覆的描述。所有涂覆均在水平状态下进行。 | 目标专利第四实施例（图11）采用倾斜涂覆和干燥，对比文件未公开。 |
| 技术特征R：将所述光敏树脂干燥《未公开》 | 对比文件在涂覆UV树脂后直接进行压印和UV固化（段落[43]），无干燥步骤。仅在PDMS印章制造的光刻胶层后有蚀刻（段落[36]），但可能涉及干燥，但未明确提及。 | 目标专利中的干燥是在倾斜状态下使树脂流动并固定形状。对比文件未公开类似干燥步骤，UV固化不同于干燥。 |
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**总结**：经过逐项比对，对比文件仅直接公开了技术特征A和B，其余特征（C~R）均未以任何形式公开（包括直接或隐含）。本领域技术人员基于对比文件的内容，既不能毫无疑义地得出其他特征，也无法合理推断或部分组合得出这些特征。
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