对比文件名称：2017-04-05_KR1020170037980A_发明公开_KR1020170037980A 점진적으로 변화하는 그루브 특성을 갖는 회절 격자를 포함하는 광학 컴포넌트
目标专利名称：1561全息光学元件及其制造方法CN113728302B
本次调用的模型名称：无（用户未指定）
特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：所述制造方法包括《直接公开》 | [0001]-[0010]（背景及发明内容）；[0027] “以下描述的各种制造技术使得光栅可以在可变线宽下制造。” | 对比文件整体公开了制造具有渐变沟槽特性的衍射光栅的方法（如浸入蚀刻、离子束蚀刻等），涉及微加工工艺步骤，因此直接公开了“制造方法”的主题。 |
| 特征B：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)《直接公开》 | [0058] “首先，将基板表面涂覆掩模层（如铬层），然后涂覆光刻胶（photoresist）。” | 对比文件明确公开了在基板表面涂覆光刻胶（一种光敏树脂）的步骤，形成光敏层，直接对应于步骤(a)的“用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底”。 |
| 特征C：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件涉及表面浮雕光栅的制造，采用蚀刻或沉积，没有公开用激光照射光敏基底的两个表面记录全息光栅的步骤。 |
| 特征D：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件未公开通过涂覆工艺使光敏树脂涂层具有高度变化；其高度/深度变化是通过后续蚀刻或沉积实现的，而非在涂覆步骤中直接控制树脂涂层高度。 |
| 特征E：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件不涉及全息光栅的记录，未公开该特征。 |
| 特征F：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件公开了表面浮雕光栅深度（高度）变化，但未涉及全息光栅，且未公开光敏树脂涂层高度逐渐增加。 |
| 特征G：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加《未公开》 | 无对应内容 | 同上，未公开全息光栅高度变化。 |
| 特征H：所述全息光栅具有相同的宽度《隐含公开》 | [0051] “初始光栅图案(4'a(i))由基本上均匀的初始表面调制构成，线宽w_current在所有位置基本上相同。”；[0052]也提及均匀线宽。 | 对比文件公开了具有均匀线宽的衍射光栅（表面浮雕）。全息光栅属于衍射光栅的一种，本领域技术人员能够合理推断全息光栅也可以具有相同宽度，因此该特征被隐含公开。 |
| 特征I：其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处《隐含公开》 | [0058] “涂覆光刻胶（photoresist）”（未限定具体涂覆方式） | 对比文件公开了涂覆光敏树脂（光刻胶）的步骤。本领域公知，光刻胶的涂覆方式包括喷涂，因此该特征被隐含公开（虽未明确写“喷涂”，但为常规选择）。 |
| 特征J：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件未公开或暗示喷涂量随位置变化。 |
| 特征K：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a‑1)《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件[0041]等公开了将基板浸入含蚀刻剂的容器，但并未公开浸入包含光敏树脂的容器。 |
| 特征L：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a‑2)《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件有分离步骤（提拉），但液体为蚀刻剂，非光敏树脂。 |
| 特征M：在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离《隐含公开》 | [0042] “基板可被浸入或从液体中提起”；[0045] “通过逐渐改变浸泡深度（即改变基板速度）来实现渐变线宽”。 | 对比文件明确公开了在浸入/提拉过程中改变基板移动速度的操作。虽然该操作应用于蚀刻过程，但本领域技术人员容易想到在浸涂法涂覆光敏树脂时也可采用改变提拉速度的方法，因此该操作被隐含公开。 |
| 特征N：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a‑1)《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件未公开辅助基底的概念。 |
| 特征O：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a‑2)《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件未公开。 |
| 特征P：在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件未公开。 |
| 特征Q：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂《未公开》 | 无对应内容 | 对比文件[0090]等公开了倾斜角度调节，但用于离子束蚀刻，并非在提供光敏树脂时倾斜。 |
| 特征R：将所述光敏树脂干燥《隐含公开》 | [0058]（光刻胶涂覆） | 对比文件虽未明确提及干燥步骤，但本领域公知：涂覆光刻胶后必须进行干燥（如前烘），以去除溶剂并固化涂层，因此该特征被隐含公开。 |
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