对比文件的名称：2005-11-10_WO2005104780A_发明申请_WO2005104780A2 VERTICAL STRUCTURE SEMICONDUCTOR DEVICES
目标专利的名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>《直接公开》 | [0043] “thick metal support layers 524, 526 are deposited by electroplating or electro-less plating... provide good rigid mechanical support for the thin GaN epitaxial layer, but also provides good electrical conductivity and heat dissipation.”（厚金属支撑层524、526通过电镀或化学镀沉积……为薄GaN外延层提供良好的刚性机械支撑，同时提供良好的导电性和散热性。）<br>[0045] “The total thickness of the Cu alloy support layer 522 was about 50~60 μm.”（Cu合金支撑层总厚度约50-60μm。） | 对比文件明确公开了由金属（Cu合金）制成的支撑层，用于机械支撑、导电和散热，与目标专利中支撑层的作用相同。目标专利的支撑层可以是金属或含Si半导体，对比文件直接公开了金属支撑层，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极<br>《直接公开》 | [0040] “p-contact metal 516 and ITO transparent contact/DBR layer 518 deposition on top of the GaN LED layer 515 to form p-type contact.”（p接触金属516和ITO透明接触/DBR层518沉积在GaN LED层515顶部以形成p型接触。）<br>[0043] 支撑层（524、526）形成在p接触金属之上（通过中间层），最终结构支撑层位于底部，p接触金属位于支撑层上方。 | 对比文件在GaN层上形成p接触金属（第一电极），然后在其上沉积支撑层，最终器件中支撑层在底部，第一电极在支撑层上。该特征与目标专利一致，因此直接公开。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构<br>《直接公开》 | [0038] “Next, a GaN-based LED structure 515 represented by numbers 508-514 is grown on the sapphire substrate 502... A n-GaN layer 508 is formed, and then a multi-quantum well (MQW) layer 510 is formed over the n-GaN layer 508. An optional p-AlGaN layer 512 is depicted, and a P-GaN layer is depicted.”（接下来，在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构515……形成n-GaN层508，然后在n-GaN层上形成多量子阱层510。描绘了可选的p-AlGaN层512和p-GaN层514。）<br>最终器件翻转后，p接触金属在底部，半导体结构（GaN）在p接触金属上方。 | 对比文件的半导体结构包括n-GaN、MQW、p-GaN，最终器件中p-GaN接触第一电极，半导体结构位于第一电极之上，与目标专利特征C相符，直接公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>未公开 | 对比文件未提及倾斜侧表面。隔离沟槽通过刻蚀形成（[0056]），但未描述侧壁倾斜。 | 目标专利的倾斜侧表面用于增加光泄漏角，对比文件没有公开任何倾斜侧壁结构，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>未公开 | 对比文件在p接触金属和半导体结构之间没有电流扩散层。p接触金属直接形成在p-GaN上（[0040]）。 | 目标专利的电流扩散层用于增强载流子迁移率，对比文件没有类似层，也未暗示，因此不公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>《直接公开》 | [0054] “an n-type ITO transparent contact 534 is formed on the n-GaN LED surface 515. ITO composition is 10 wt% SnO2 / 90 wt% In2O3, and a layer of about 75-200 nm-thick ITO film is deposited...”（在n-GaN LED表面形成n型ITO透明接触534。ITO成分为10 wt% SnO2/90 wt% In2O3，沉积约75-200nm厚的ITO薄膜。） | 对比文件明确在半导体结构（n-GaN）上形成透明导电氧化物ITO层，用于电流扩散，与目标专利的TCO层作用相同，直接公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>《直接公开》 | [0055] “an n-contact 540 is formed on the n-ITO surface, comprising of Ti and Al... For the pad metal deposition, 500 nm gold is deposited...” （在n-ITO表面形成n接触540，包括Ti和Al……对于焊盘金属沉积，沉积500nm金。） | 对比文件在n-ITO层（半导体结构的一部分）上形成n接触金属和第二电极，与目标专利的第二电极（n型电极）特征一致，直接公开。 |
| 技术特征H：金属层<br>技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>均未公开 | 对比文件在n侧没有在半导体结构和第二电极之间设置单独的金属层。n接触金属直接形成在n-ITO上（[0055]），而不是直接在半导体结构上。对比文件没有提及吸气金属层，也没有对氮具有高反应性的金属层。 | 目标专利的金属层（吸气金属）用于形成欧姆接触并吸附氮，对比文件没有公开任何类似层，也未暗示其功能，因此不公开。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>未公开 | 对比文件没有电流扩散层，未涉及功函数比较。 | 目标专利的该特征依赖于电流扩散层，对比文件无此层，故不公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层<br>未公开 | 对比文件无电流扩散层。 | 目标专利的电流扩散层具体结构和接触关系，对比文件未公开，也不隐含。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>《直接公开》 | [0038] “A P-GaN layer is depicted.”（描绘了p-GaN层。）<br>最终器件中p-GaN层靠近p接触金属（第一电极）。 | 对比文件半导体结构包含p-GaN层，且位于第一电极（p接触）之上（最终器件），直接公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层<br>《直接公开》 | [0038] “a multi-quantum well (MQW) layer 510 is formed over the n-GaN layer 508... P-GaN layer is depicted.”（在n-GaN层上形成多量子阱层510，并描绘了p-GaN层。）在最终器件中，有源层位于p-GaN层之上。 | 对比文件的有源层（MQW）在p-GaN层之上（最终器件翻转后），直接公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层<br>《直接公开》 | [0038] “A n-GaN layer 508 is formed.”（形成n-GaN层508。）在最终器件中，n-GaN层位于有源层之上。 | 对比文件的n-GaN层在有源层之上，直接公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率<br>未公开 | 对比文件没有电流扩散层。 | 无公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数<br>未公开 | 对比文件无电流扩散层。 | 无公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数<br>未公开 | 对比文件无电流扩散层。 | 无公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极<br>未公开 | 对比文件第一电极是p接触金属（如Ni/Au等），未明确为反射电极。对比文件采用ITO DBR层作为反射层（[0041]），而非第一电极本身。 | 目标专利的第一电极可包括反射电极，但对比文件没有公开第一电极自身具有反射功能，也不隐含。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极<br>未公开 | 对比文件第一电极是金属（Ni/Au等），非透明。 | 对比文件未公开透明电极作为第一电极，也不隐含。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属<br>《直接公开》 | 同特征A引用，支撑层为Cu合金金属。 | 直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上<br>《直接公开》 | [0040] p接触金属形成在GaN层上，[0043]支撑层沉积在p接触金属之上。最终器件支撑层在底部，第一电极在支撑层上。 | 支撑层布置在第一电极上（通过中间层），直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积<br>未公开 | 对比文件没有倾斜侧表面，未描述面积关系。 | 无公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积<br>未公开 | 对比文件无倾斜侧表面，未涉及面积比较。 | 无公开。 |
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