**对比文件名称**：2005-09-22_JP2005259768A_发明专利_JP2005259768A Light emitting element and its manufacturing method
**目标专利名称**：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
**本次调用的模型名称**：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层。**直接公开** | 对比文件第一实施例记载：“支持基板1是导电性的，由半导体、金属、导电性树脂膜、或者金属与金属氧化物的复合材料构成。作为支持基板1使用的半导体，有劈开性的Si、SiC、GaAs、ZnO等。作为支持基板1使用的金属，有Al、Fe-Ni、Cu-W等。” | 对比文件明确公开了支持基板（支撑层）可以由金属（如Al、Fe-Ni、Cu-W）或含Si的半导体（如Si）制成，且该支撑层用于支撑器件，作用与目标专利相同。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 特征B：在所述支撑层上的第一电极。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“支持基板1的上面，有通过焊料（未图示）接合的p侧电极2。” | 对比文件公开了p侧电极（第一电极）形成在支持基板（支撑层）上，构成垂直结构，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征C：在所述第一电极上的半导体结构。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“p侧电极2上，形成有约0.3μm的Mg掺杂的p型Ga0.95In0.05N构成的p型接触层3，...，这些层构成氮化物系半导体元件层9。” | 对比文件公开了半导体元件层（半导体结构）形成在p侧电极（第一电极）上，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“氮化物系半导体元件层9具有从支持基板1侧向光出射面11侧逐渐变细的约60°倾斜的侧面9a。” | 对比文件公开了半导体元件层具有倾斜的侧面，用于提高光提取效率，与目标专利作用相同。因此直接公开。 |
| 特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层。**未公开** | 对比文件未公开任何位于半导体结构和第一电极之间的电流扩散层。 | 对比文件中，p型接触层直接接触p侧电极，没有额外的电流扩散层。因此未公开。 |
| 特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层。**未公开** | 对比文件未公开透明导电氧化物层。 | 对比文件中，n型接触层上直接形成n侧电极，没有TCO层。因此未公开。 |
| 特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“n型接触层8上的预定区域形成有n侧电极10。” | 对比文件公开了n侧电极（第二电极）形成在n型接触层（半导体结构）的一部分上，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征H：金属层。**未公开** | 对比文件未公开单独的金属层位于半导体结构和第二电极之间。 | 对比文件中，n侧电极直接接触半导体，没有中间金属层。因此未公开。 |
| 特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间。**未公开** | 同上 | 同上 |
| 特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。**未公开** | 对比文件未公开这样的金属层。 | 同上 |
| 特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性。**未公开** | 对比文件未公开具有氮反应性的金属层。 | 对比文件中，n侧电极内的Ti层不直接接触半导体，且未作为吸气金属层。因此未公开。 |
| 特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中。**未公开** | 对比文件未公开 | 同上 |
| 特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数。**未公开** | 对比文件未公开电流扩散层和透明导电氧化物层。 | 由于缺少这些层，无法比较功函数。因此未公开。 |
| 特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。**未公开** | 对比文件未公开电流扩散层。 | 对比文件没有公开这样的电流扩散层。因此未公开。 |
| 特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“p型接触层3（Mg掺杂的p型Ga0.95In0.05N）形成在p侧电极2上。” | 对比文件公开了p型接触层（p型半导体层）在第一电极上，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征P：在所述p型半导体层上的有源层。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“活性层6（SQW结构）形成在p型盖层5（p型）上。” | 对比文件公开了有源层在p型半导体层上，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“n型覆层7和n型接触层8形成在活性层6上。” | 对比文件公开了n型半导体层在有源层上，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。**未公开** | 对比文件未公开电流扩散层。 | 因此未公开。 |
| 特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。**未公开** | 对比文件未公开 | 未公开。 |
| 特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。**未公开** | 对比文件未公开 | 未公开。 |
| 特征U：其中，所述第一电极包括反射电极。**直接公开** | 对比文件第一实施例描述：“p侧电极2是由Ag层和Al层构成的反射电极。” | 对比文件公开了p侧电极（第一电极）包括反射电极，用于反射光，作用相同。因此直接公开。 |
| 特征V：其中，所述第一电极包括透明电极。**未公开** | 对比文件第一实施例的p侧电极是反射电极，不透明；第二实施例的透明电极（p侧电极30）是第二电极，不是第一电极。 | 对比文件没有公开第一电极为透明电极。因此未公开。 |
| 特征W：其中，所述支撑层包括金属。**直接公开** | 同特征A，对比文件公开支持基板可由金属制成。 | 对比文件公开了支撑层包括金属，因此直接公开。 |
| 特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。**未公开** | 对比文件所有实施例中，支撑层（支持基板）位于第一电极下方，第一电极在支撑层上。 | 对比文件没有公开支撑层布置在第一电极上，而是相反。因此未公开。 |
| 特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。**直接公开** | 对比文件第二实施例描述：“氮化物系半导体元件层29的n型接触层23侧的先端部分具有约45°倾斜的侧面29a，从光出射面31侧向支持基板21侧逐渐变细。”且“n型接触层23的侧面和n型覆层24的侧面的一部分倾斜。” | 由于从光出射面向支撑基板逐渐变细，半导体层的上表面（第二表面，面向第二电极）面积大于下表面（第一表面，面向第一电极）面积。因此直接公开。 |
| 特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。**直接公开** | 同上，第二实施例中，第一电极（n侧电极22）形成在n型接触层23的下表面，该下表面面积小于上表面（p型接触层28）面积。 | 由于倾斜，第一电极接触的半导体结构下表面面积小于上表面面积，因此直接公开。 |
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