对比文件名称：2005-06-16_JP2005159310A_发明专利_JP2005159310A Semiconductor device and method of manufacturing the same
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>《未公开》 | 对比文件所有实施例均采用蓝宝石（Al₂O₃）衬底，未提及由金属或含Si的半导体层制成的支撑层。 | 目标专利的支撑层用于在移除衬底后支撑半导体层，对比文件未涉及衬底移除，也未公开任何类似支撑层的结构，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到该特征。 |
| **技术特征B**：在所述支撑层上的第一电极<br>《未公开》 | 对比文件未公开支撑层，故无支撑层上的第一电极。 | 由于特征A未公开，特征B缺乏支撑层基础，对比文件未公开第一电极与支撑层的相对位置关系。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极上的半导体结构<br>《未公开》 | 对比文件第五实施例（图7）中，p侧电极80形成于p型接触层79之上，即半导体结构位于电极下方，而非“在第一电极上”。 | 目标专利中第一电极位于支撑层上，半导体结构位于第一电极上（垂直结构p型在下）；对比文件为横向结构，p电极在半导体层之上，顺序相反，未公开该特征。 |
| **技术特征D**：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>《未公开》 | 对比文件未提及半导体结构具有倾斜侧表面，所有实施例中半导体层均为平坦结构或垂直刻蚀面。 | 目标专利的倾斜侧表面用于增大出光面积，对比文件无任何相关描述或暗示，不能合理推断。 |
| **技术特征E**：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>《未公开》 | 对比文件第五实施例中，p型接触层79与p侧电极80直接接触，无电流扩散层；其他实施例亦无。 | 目标专利的电流扩散层（如InGaN/GaN超晶格）用于增强载流子迁移率，对比文件未公开任何类似层结构。 |
| **技术特征F**：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>《未公开》 | 对比文件所有电极均为金属或金属硼化物（如LaB₆、Al、Pt等），未使用透明导电氧化物（TCO）。 | 目标专利的TCO层（如ZnO、ITO）用于提高光提取效率，对比文件未公开任何透明导电氧化物材料，亦未暗示其用途。 |
| **技术特征G**：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>《直接公开》 | 第五实施例：“n型コンタクト層７３の上における所定の領域にはｎ側電極として下層がＬａＢ₆層８１であり、上層がアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）及び金（Ａｕ）からなる金属多層膜８２である多層電極８３が形成されている。”<br>（翻译：在n型接触层73上的预定区域，形成有多层电极83作为n侧电极，其下层为LaB₆层81，上层为由铝（Al）、钛（Ti）和金（Au）组成的金属多层膜82。） | 该n侧电极（第二电极）形成于n型接触层（半导体结构的一部分）上，且仅覆盖部分区域，与目标专利中第二电极仅覆盖半导体结构一部分的特征一致。该电极在对比文件中作为n型欧姆电极，作用与目标专利的第二电极相同。因此本领域技术人员可直接确定对比文件公开了该特征。 |
| **技术特征H**：金属层<br>《未公开》 | 对比文件未公开位于半导体结构与第二电极之间的独立金属层。其电极本身为多层金属（如LaB₆/Al），但并非特征H所指的吸气金属层。 | 目标专利的金属层为吸气金属（Ti、Zr、Cr），对氮具有高反应性，用于形成欧姆接触。对比文件中的电极材料（LaB₆）是硼化物，不与氮反应，且结构上未设置单独的金属层。 |
| **技术特征I**：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>《未公开》 | 对比文件无任何层布置在半导体结构与第二电极之间。 | 特征H未公开，故特征I不成立。对比文件第二电极与半导体直接接触或通过电极本身接触，无中间层。 |
| **技术特征J**：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>《未公开》 | 对比文件未公开特征H所述的金属层，故无法判断其作用。 | 目标专利中金属层通过吸气氮形成欧姆接触。对比文件虽存在其他电极（如LaB₆）形成欧姆接触，但并非通过特征H的金属层实现，且材料不同。 |
| **技术特征K**：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>《未公开》 | 对比文件背景技术提及Ti与氮反应，但本发明使用金属硼化物避免此类反应；未见公开对氮高反应性的金属层。 | 目标专利的吸气金属层专门用于与氮反应形成氮空位以改善欧姆接触，对比文件未教导这一结构，且本发明实施例避免使用Ti等吸气金属。 |
| **技术特征L**：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何金属层以涂覆或掺杂方式形成于界面。 | 目标专利的金属层通过小量涂覆或掺杂形成，对比文件无任何类似描述。 |
| **技术特征M**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>《未公开》 | 对比文件未公开电流扩散层和透明导电氧化物层。 | 该特征依赖于特征E和F，两者均未公开，故无法成立。 |
| **技术特征N**：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层<br>《未公开》 | 对比文件未公开电流扩散层。 | 目标专利的电流扩散层具有特定材料和接触关系，对比文件无任何相关记载。 |
| **技术特征O**：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>《未公开》 | 第五实施例中，p型接触层79形成于p侧电极80下方，即p型半导体层不在第一电极上，而是在第一电极下。 | 目标专利的垂直结构要求p型层位于第一电极上（p电极在下），对比文件为横向结构，p型层位于p电极下方，顺序相反。 |
| **技术特征P**：在所述p型半导体层上的有源层<br>《未公开》 | 第五实施例中，有源层（发光层76）位于p型包层78下方，p型包层上方，即不在p型半导体层上。 | 顺序与目标专利相反（目标专利有源层在p型层上，对比文件有源层在p型层下）。 |
| **技术特征Q**：和在所述有源层上的n型半导体层<br>《未公开》 | 第五实施例中，n型接触层73和n型包层74位于有源层下方，即不在有源层上。 | 顺序与目标专利相反（目标专利n型层在有源层上，对比文件n型层在有源层下）。 |
| **技术特征R**：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率<br>《未公开》 | 对比文件未公开电流扩散层。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征S**：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数<br>《未公开》 | 对比文件未公开电流扩散层。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征T**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数<br>《未公开》 | 对比文件未公开电流扩散层。 | 无相关公开内容。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一电极包括反射电极<br>《未公开》 | 第五实施例中p侧电极80由Pt形成，不是反射电极；第一实施例中电极包含Al层，但该电极是n电极，并非第一电极（p电极）。 | 目标专利的第一电极是p电极，可包含反射材料（如Ag、Al）。对比文件未公开p电极包含反射电极，且n电极包含Al不改变第一电极的性质。 |
| **技术特征V**：其中，所述第一电极包括透明电极<br>《未公开》 | 对比文件所有电极均为金属或金属硼化物，不透明。 | 目标专利的第一电极可选用透明导电氧化物，对比文件无任何透明电极的公开或暗示。 |
| **技术特征W**：其中，所述支撑层包括金属<br>《未公开》 | 对比文件未公开支撑层。 | 同特征A，无支撑层。 |
| **技术特征X**：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上<br>《未公开》 | 对比文件未公开支撑层。 | 无支撑层，故无此布置关系。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积<br>《未公开》 | 对比文件未公开半导体结构具有倾斜侧表面，也未提及上下表面面积关系。 | 目标专利通过倾斜侧表面实现上表面面积大于下表面面积，对比文件无任何相关技术启示。 |
| **技术特征Z**：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积<br>《未公开》 | 对比文件未公开第一电极与半导体结构的面积关系。 | 目标专利中第一电极面积小于半导体结构面向第二电极的表面面积，对比文件无相关描述。 |
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