对比文件名称：1999-05-28_None_发明专利_JPH11145511A Gallium nitride compound semiconductor light-emitting element
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层。<br>**判断：不公开** | 对比文件全文未提及支撑层。 | 对比文件涉及横向结构发光二极管，使用蓝宝石衬底作为支撑，未移除衬底，因此未公开任何由金属或含Si半导体制成的支撑层，亦无隐含公开。 |
| **技术特征B**：在所述支撑层上的第一电极。<br>**判断：不公开** | 对比文件全文未提及支撑层，第一电极（透光性电极8）形成在p型接触层7上，而非支撑层上。 | 对比文件没有支撑层，因此第一电极不在支撑层上，不公开该特征。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极上的半导体结构。<br>**判断：不公开** | 对比文件第一电极（透光性电极8）形成在半导体层的p型接触层7上，半导体结构位于第一电极下方，而非上方。 | 目标专利的半导体结构位于第一电极之上（垂直结构），对比文件为横向结构，半导体层在衬底上，电极在半导体层上，顺序相反，不公开。 |
| **技术特征D**：所述半导体结构具有倾斜的侧表面。<br>**判断：不公开** | 对比文件图1及说明书未描述任何倾斜侧表面，半导体层为垂直刻蚀形成的平坦侧壁。 | 对比文件没有公开或暗示半导体结构具有倾斜侧表面，不公开。 |
| **技术特征E**：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层。<br>**判断：不公开** | 对比文件没有在半导体结构与第一电极之间设置单独的电流扩散层；其p型中间层6位于p型包层5和p型接触层7之间，并非直接接触第一电极。 | 目标专利的电流扩散层直接接触半导体结构和第一电极，对比文件的p型中间层位于p型层内部，不满足位置关系，不公开。 |
| **技术特征F**：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层。<br>**判断：不公开** | 对比文件在p型层上形成透光性电极8（Ni/Au），并非透明导电氧化物（TCO），且位于p型层上，而非半导体结构（n型层）上。 | 目标专利的TCO层位于n型半导体层上，对比文件使用Ni/Au金属薄膜作为透光性电极，材料不同，位置不同，不公开。 |
| **技术特征G**：在所述半导体结构的一部分上的第二电极。<br>**判断：直接公开** | 对比文件[0022]段落：“通过蚀刻去除p型接触层7、p型中间层6和p型包层5的一部分，暴露n型氮化镓系化合物半导体层3的表面，在暴露的n型氮化镓系化合物半导体层3的表面形成n侧电极10”。 | 对比文件将n侧电极10形成在暴露的n型半导体层3上，n型层是半导体结构的一部分，因此第二电极直接布置在半导体结构的一部分上，作用相同（n型电极），直接公开。 |
| **技术特征H**：金属层。<br>**判断：不公开** | 对比文件未设置独立的金属层（吸气金属层）在半导体结构和第二电极之间。 | 对比文件没有公开任何用于欧姆接触或吸气的金属层，不公开。 |
| **技术特征I**：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间。<br>**判断：不公开** | 对比文件无金属层，自然没有其位置关系。 | 不公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。<br>**判断：不公开** | 对比文件无金属层，未公开其欧姆接触功能。 | 不公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性。<br>**判断：不公开** | 对比文件无金属层，未提及吸气金属。 | 不公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中。<br>**判断：不公开** | 对比文件无金属层，未公开涂覆或掺杂方式。 | 不公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数。<br>**判断：不公开** | 对比文件没有电流扩散层（在半导体结构和第一电极之间），也没有透明导电氧化物层，未提及功函数关系。 | 不公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。<br>**判断：不公开** | 对比文件p型中间层6可以是InGaN（如实施例5），但该层位于p型接触层7与p型包层5之间，不直接接触第一电极（透光性电极8），也不直接接触整个半导体结构（n型层、有源层等）。 | 对比文件未公开直接接触半导体结构和第一电极的电流扩散层，且位置关系不符，不公开。 |
| **技术特征O**：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层。<br>**判断：不公开** | 对比文件p型半导体层（p型接触层7、p型中间层6、p型包层5）位于第一电极（透光性电极8）之下，而非之上。 | 目标专利p型半导体层在第一电极上（垂直结构），对比文件相反，不公开。 |
| **技术特征P**：在所述p型半导体层上的有源层。<br>**判断：不公开** | 对比文件有源层4位于n型层3和p型包层5之间，p型层在有源层之上，而非之下。 | 目标专利有源层在p型层上，对比文件有源层在p型层下，不公开。 |
| **技术特征Q**：和在所述有源层上的n型半导体层。<br>**判断：不公开** | 对比文件n型层3位于衬底1上，有源层4在n型层上，n型层在有源层下，而非上。 | 目标专利n型层在有源层上，对比文件顺序相反，不公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。<br>**判断：不公开** | 对比文件p型中间层6用于改善电流扩散，但未明确提及增强载流子迁移率，且该层位置不符合目标专利的电流扩散层。 | 对比文件未公开电流扩散层（在半导体结构和第一电极之间）及其增强迁移率的功能，不公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。<br>**判断：不公开** | 对比文件未提及任何功函数关系。 | 不公开。 |
| **技术特征T**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。<br>**判断：不公开** | 对比文件未提及功函数关系。 | 不公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一电极包括反射电极。<br>**判断：不公开** | 对比文件第一电极（透光性电极8）由Ni/Au制成，其主要功能是透光，不反射。 | 对比文件未公开反射电极，不公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述第一电极包括透明电极。<br>**判断：直接公开** | 对比文件[0008]：“透光性电极由Au和Ni形成” 且具有透光性；[0010]：“在p型接触层7的上面形成其几乎整个面的由Au和Ni构成的透光性电极8”。 | 对比文件的第一电极（透光性电极8）是透明电极（Ni/Au薄膜），直接公开了第一电极包括透明电极，作用相同（透光并注入电流），直接公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述支撑层包括金属。<br>**判断：不公开** | 对比文件无支撑层。 | 不公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。<br>**判断：不公开** | 对比文件无支撑层。 | 不公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。<br>**判断：不公开** | 对比文件未描述倾斜侧表面，半导体层为垂直侧壁，上表面和下表面面积相等。 | 不公开。 |
| **技术特征Z**：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。<br>**判断：不公开** | 对比文件第一电极（透光性电极8）覆盖p型层几乎整个面，面积与半导体结构上表面接近，无面积差。 | 不公开。 |
### 结论
对比文件直接公开了技术特征G（第二电极在半导体结构的一部分上）和技术特征V（第一电极包括透明电极）。其他技术特征未被直接或隐含公开。
<<<G>>><<<V>>>