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对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
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2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
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2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx

**对比文件名称**:2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device

**目标专利名称**:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

**本次调用的模型名称**:AI语言模型(DeepSeek)

### 特征比对表格

第一栏(技术特征描述及公开性判断)第二栏(对比文件原文引用)第三栏(公开性论述)
技术特征A:包括金属片《未公开》对比文件未记载金属片。目标专利的金属片是用于支撑LED芯片并散热的独立薄金属片,而对比文件采用基板11作为支撑,半导体图案12作为电路,没有独立的金属片结构。本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得到金属片。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片《未公开》对比文件中的LED芯片13安装在半导体图案12的凹部12a中(见【0016】),并非安装在金属片上。对比文件没有公开金属片,LED芯片安装在半导体图案的凹部中,而非金属片上。因此未公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层《未公开》对比文件没有公开金属片,也没有在金属片上的绝缘层。目标专利的绝缘层位于金属片上,对比文件没有这种结构。因此未公开。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离《未公开》无。对比文件没有绝缘层,故未公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框《未公开》对比文件没有绝缘层,也没有引线框。目标专利的引线框位于绝缘层上,对比文件未公开此结构。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层《未公开》对比文件没有引线框,也没有反射涂层。目标专利的反射涂层是涂覆在引线框上的涂层,对比文件未公开。
技术特征G:模塑材料《直接公开》【0005】“反射板4的凹所填充未图示的透明封止材,用于机械保护LED元件并高效取出光。”【0019】“反射板14的凹所14b填充未图示的透明封止材,用于机械保护LED元件13并高效取出光。”对比文件明确公开了透明封止材(透明密封材料),该材料填充于反射板的凹部以保护LED芯片,属于模塑材料的一种,因此直接公开了模塑材料。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片《直接公开》同上【0005】【0019】,透明封止材填充于具有预定形状(碗状)的反射板凹部,从而形成与凹部形状一致的模塑体。对比文件中透明封止材填充反射板的凹部,凹部具有预定形状,封止材固化后形成相应形状,从而以预定形状模制LED芯片。因此直接公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间《未公开》对比文件没有反射涂层,但有反射板14,其内部有凹部14b(见【0019】),但反射板不是涂层。目标专利的反射涂层是涂层,其内部具有第一空间;对比文件没有公开反射涂层,其反射板是独立构件,结构不同。因此未公开。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部《未公开》对比文件模塑材料(透明封止材)设置在反射板14的凹部14b内(见【0019】),但反射板不是反射涂层。对比文件没有反射涂层,因此未公开。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中《未公开》无。对比文件没有绝缘层和引线框,因此不存在第二空间,未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上《未公开》无。对比文件没有反射涂层,也未描述模塑材料的高度位置,因此未公开。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度《未公开》对比文件公开了半导体图案12的厚度可为35μm、70μm、105μm等(见【0018】),但半导体图案并非金属片。目标专利的金属片是独立散热片,对比文件未公开金属片及该厚度范围。因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成《未公开》无。对比文件未公开绝缘层及玻璃环氧基材料。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成《未公开》无。对比文件未公开FR-4树脂。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分《未公开》无。对比文件未公开反射涂层及其成分。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成《未公开》无。对比文件未公开白色树脂反射涂层。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成《未公开》无。对比文件未公开该具体成分。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上《未公开》无。对比文件没有引线框和反射涂层,未公开。

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