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对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
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2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
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2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
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2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
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2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx

对比文件名称:2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
特征A:包括金属片(直接公开)第[2]段:“至少两个以上的金属体1通过绝缘层2层压一体化制造结构体3”;“金属体1没有特别限定,但优选选用铜、铝、镍、铁及至少包含这些中一种以上的合金,以及铜·因瓦·铜的复合层材料等”。对比文件明确公开了金属体1作为金属片,用于构成电路和散热,目标专利的金属片也是用于散热和安装芯片,作用相同。因此直接公开。
特征B:表面安装在金属片上的发光二极管芯片(直接公开)第[2]段:“在凹部15的底面16上安装发光元件4”,底面16由金属体1构成。对比文件公开了发光元件4安装在金属体1的表面上,与目标专利的LED芯片安装在金属片上相同。因此直接公开。
特征C:在金属片上的绝缘层(直接公开)第[2]段:“至少两个以上的金属体1通过绝缘层2层压一体化”。对比文件公开了绝缘层2位于金属体1之间,即金属体1上有绝缘层2。目标专利的绝缘层也在金属片上,作用为绝缘。因此直接公开。
特征D:绝缘层与发光二极管芯片隔离(直接公开)第[2]段:“凹部15形成在至少两个以上的金属体1上”,凹部穿透绝缘层,芯片安装在底面,绝缘层位于凹部侧壁,不接触芯片。对比文件由于形成凹部,绝缘层被去除,芯片与绝缘层分离,与目标专利的绝缘层与芯片隔离相同。因此直接公开。
特征E:在绝缘层上的引线框(直接公开)第[2]段:“金属体1用作电路5”;以及“金属体1通过绝缘层2层压”。对比文件金属体1作为电路,位于绝缘层2上,相当于引线框。目标专利引线框在绝缘层上用于电连接。因此直接公开。
特征F:在引线框上的反射涂层(未公开)第[2]段:“凹部15的内侧面17形成反射面8”。对比文件反射面8形成在凹部内侧面17,并非形成在金属体1(引线框)的上表面。目标专利的反射涂层形成在引线框上表面,作用为反射光。对比文件没有公开在引线框上表面设置反射涂层,也没有给出任何启示。因此既未直接公开也未隐含公开。
特征G:模塑材料(隐含公开)第[2]段:“凹部15中可以填充含有荧光剂的密封材料”。对比文件公开了在凹部填充密封材料的可能性,该密封材料可视为模塑材料,用于保护芯片。本领域技术人员在制造发光元件封装时,通常会使用树脂模塑以保护芯片,因此对比文件隐含公开了模塑材料。
特征H:模塑材料以预定形状模制发光二极管芯片(隐含公开)同上。如果填充密封材料,则密封材料将覆盖发光元件,并模制成凹部形状,从而模制芯片。因此隐含公开。
特征I:反射涂层包括在其内部的第一空间(直接公开)第[2]段:“凹部15的内侧面17形成反射面8”,凹部内部为空间。对比文件反射面8形成在凹部内侧面,该凹部内部即为反射面所围成的第一空间。目标专利反射涂层围成的第一空间类似。因此直接公开。
特征J:模塑材料设置在反射涂层的第一空间内部(隐含公开)同上。若填充密封材料,则密封材料位于凹部内,即反射面所围成的空间内部。因此隐含公开。
特征K:模塑材料设置在由绝缘层和引线框所包围的第二空间中(隐含公开)第[2]段:“凹部15形成在结构体3上,结构体3由金属体1和绝缘层2层压”。凹部由金属体1和绝缘层2包围,填充的密封材料即位于该包围空间中。目标专利的第二空间由绝缘层和引线框包围,对比文件类似。因此隐含公开。
特征L:模塑材料部分形成在高于反射涂层内部的第一空间的垂直位置上(未公开)对比文件未明确密封材料填充后是否高于反射面顶部。对比文件没有公开或暗示密封材料填充后高于反射面顶部,且反射面为侧壁,无水平上表面,不能直接对应。目标专利的模塑材料突出于反射涂层上表面,对比文件没有教导。因此未公开。
特征M:金属片具有25μm~75μm的厚度(未公开)第[2]段:“金属体1的厚度没有特别限定,例如可以设定在0.5~20mm的范围”。对比公开了金属体厚度范围远大于目标专利的25-75μm,没有公开该特定范围。因此未公开。
特征N:绝缘层由玻璃环氧基材料形成(未公开)第[2]段:“绝缘性树脂6可以使用热固性树脂组合物或热塑性树脂组合物,例如环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂、氰酸酯树脂等”。对比文件公开了多种树脂,但未明确提及玻璃环氧基材料(如FR-4)。虽然环氧树脂是玻璃环氧的组分,但缺少玻璃纤维增强的公开,因此不能认为直接或隐含公开了玻璃环氧基材料。
特征O:绝缘层由阻燃剂-4树脂形成(未公开)对比文件未提及FR-4。对比文件完全没有提及FR-4树脂。因此未公开。
特征P:反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分(未公开)对比文件反射面由金属层(铝、银等)或金属部件形成。对比文件反射面是金属,并非白色树脂,更未提及氧化钛。因此未公开。
特征Q:反射涂层由白色树脂制成(未公开)同上。对比文件反射面为金属,非白色树脂。未公开。
特征R:白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成(未公开)对比文件未涉及白色树脂及其添加剂。对比文件未涉及白色树脂及其添加剂。未公开。
特征S:反射涂层仅形成在引线框的部分区域上(未公开)对比文件反射面形成在凹部内侧面。对比文件反射面形成在凹部内侧面,即引线框(金属体)的侧面,并非目标专利的引线框上表面部分区域。未公开。

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