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对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
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2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx

对比文件名称:2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括金属片(未公开)对比文件未公开独立的金属片结构对比文件公开的是引线框架(leadframe)素材,其本身为金属薄板且经加工形成引线框,但并未公开一个独立于引线框的金属片。目标专利的金属片专用于散热和支撑,与引线框通过绝缘层分离,对比文件完全没有涉及这种叠层结构,因此既未直接公开也未隐含公开。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片(未公开)对比文件公开了半导体发光元件安装在引线框架的inner part上,但未提及金属片对比文件中的发光元件直接安装在引线框架的镀层表面,而非安装在独立的金属片上。目标专利的金属片是独立部件且芯片安装于其上,对比文件没有给出任何关于独立金属片的教导或暗示,因此未公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层(未公开)对比文件未公开绝缘层结构对比文件完全没有提及在金属片或类似部件上设置绝缘层。其外罩(台部)由绝缘树脂制成,但该台部是包围引线框架的部件,并非位于金属片上,因此未公开。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离(未公开)对比文件未公开绝缘层,更无隔离关系基于特征C未公开,绝缘层不存在,该特征自然未公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框(未公开)对比文件未公开绝缘层,引线框直接作为基底对比文件的引线框是直接由金属素材形成,没有设置在绝缘层上。目标专利的引线框位于绝缘层上方,结构完全不同,未公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层《直接公开》「インナー部の最表層に形成される金属被膜は銀又は銀合金被膜である」「リードフレーム100は、リードフレーム素材101に、ニッケルめっき102、パラジウムめっき103、及び金フラッシュめっき104がこの順に施され、さらにインナー部の一部分に銀めっき105が施されてなる」([2]段)对比文件明确在引线框架的inner part上形成银镀层,该镀层的作用是提高光反射率(图5及说明),与目标专利中反射涂层用于改善亮度的作用完全相同。银镀层属于一种具有反射功能的涂层,本领域技术人员可以直接认识到其即为“反射涂层”,因此直接公开。
技术特征G:模塑材料《直接公开》「透明樹脂300を凹部に充填封止して蓋部を形成」([2]段)对比文件使用透明树脂(如环氧树脂)填充凹部以密封发光元件,该透明树脂即为模塑材料,用于封装芯片,与目标专利的模塑材料功能一致,直接公开。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片《直接公开》同上「透明樹脂300を凹部に充填封止して蓋部を形成」对比文件中的透明树脂填充由台部形成的凹部,该凹部具有预定形状,树脂固化后形成盖部,从而以该形状模制发光元件,直接公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间(未公开)对比文件未公开反射涂层形成内部空间对比文件的反射涂层(银镀层)是平面镀层,不形成任何内部空间。目标专利的反射涂层可能通过掩模形成开口,但对比文件无此教导,也未隐含公开。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部(未公开)基于特征I未公开,无对应内容特征I未公开,该特征自然未公开。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中(未公开)对比文件未公开绝缘层,无第二空间对比文件没有绝缘层,也没有由绝缘层和引线框包围的空间,未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上(未公开)基于特征I未公开,无对应内容特征I未公开,该特征自然未公开。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度(未公开)对比文件未提及金属片厚度对比文件没有记载任何关于金属片或类似部件的厚度范围,更无25μm~75μm的具体数值,未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成(未公开)对比文件未公开绝缘层材料对比文件没有绝缘层,亦未提及玻璃环氧基材料,未公开。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成(未公开)对比文件未公开FR-4树脂对比文件未公开任何绝缘层材料,更无FR-4树脂,未公开。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分(未公开)对比文件反射涂层为银镀层,不含氧化钛和树脂对比文件的反射涂层是金属银,并非白色树脂或含氧化钛的组合物,未公开。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成(未公开)对比文件反射涂层为银镀层,不是树脂对比文件的反射涂层是金属镀层,并非白色树脂,未公开。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成(未公开)对比文件未公开白色树脂,更无所述添加剂基于特征Q未公开,该特征自然未公开。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上《直接公开》「インナー部の一部分にのみ銀めっきが施され、台部と接する一部分からは除外されている」([2]段)对比文件明确银镀层仅形成在引线框架的inner part(部分区域),而其他区域(如台部接触区)没有银镀层,即反射涂层仅形成在部分区域,直接公开。

### 结论

对比文件直接公开了技术特征F、G、H、S,未公开其他技术特征。

<<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<S>>>

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