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对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
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2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
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2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
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2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
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2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
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2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
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2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
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2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx

对比文件名称:2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:DeepSeek Chat

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括金属片 [未公开]对比文件未公开金属片结构。对比文件描述了反射杯外壳12,但未明确其为金属片,也未公开用于安装LED芯片的金属片。对比文件主要涉及磷光体及灯结构,未提及金属片作为LED芯片的安装基板,因此未公开该特征。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片 [未公开]对比文件公开了LED芯片32安装在反射杯基部,但未公开表面安装在金属片上。对比文件未公开金属片,且LED芯片的安装方式未明确为表面安装,因此未公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层 [未公开]对比文件未公开绝缘层结构。对比文件未提及金属片上的绝缘层,因此未公开。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离 [未公开]对比文件未公开绝缘层。由于未公开绝缘层,故该特征未公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框 [未公开]对比文件公开了电引线34、36,但未公开引线框结构。引线框是特定图案的电路,位于绝缘层上,对比文件未公开,因此未公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层 [未公开]对比文件公开了反射涂层14涂覆在反射杯内表面,但未公开在引线框上。对比文件的反射涂层位于反射杯,而非引线框,因此未公开。
技术特征G:模塑材料 [直接公开]参见“DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS”部分:“LED 32优选由树脂模60保护,树脂模60可由透明环氧或其他透明材料形成,该材料透射从发光组件发射的光。”以及“在替代实施例中,磷光体材料与封装材料均匀混合以形成树脂模60。”对比文件明确公开了树脂模(模塑材料)用于保护LED,其材料为透明环氧等,与目标专利的模塑材料功能相同,均用于覆盖LED芯片,因此直接公开。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片 [直接公开]同上,树脂模60通过模制形成,以预定形状保护LED芯片。对比文件公开的树脂模60是模制成型的,必然具有预定形状以包覆LED芯片,本领域技术人员可以直接得出模塑材料以预定形状模制LED芯片,因此直接公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间 [未公开]对比文件公开了反射涂层14涂覆在反射杯12内表面,形成内部空间,但该反射涂层并非位于引线框上,而是位于反射杯上。由于特征I引用的反射涂层为特征F中在引线框上的反射涂层,对比文件未公开此反射涂层,因此该特征未公开。尽管对比文件反射涂层内部也有空间,但结构不同,不能直接等同。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部 [未公开]对比文件未明确公开树脂模60设置在反射涂层14内部空间,但可能推断位于反射涂层内部(杯内)。由于特征I未公开,且对比文件反射涂层位置不同,模塑材料设置于其内部空间不能直接适用,因此未公开。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中 [未公开]对比文件未公开绝缘层和引线框,因此无第二空间。对比文件无绝缘层和引线框结构,故该特征未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上 [未公开]对比文件未公开垂直位置关系。对比文件未描述模塑材料与反射涂层空间的高度位置关系,因此未公开。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度 [未公开]对比文件未公开金属片厚度。对比文件未涉及金属片,故无厚度公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成 [未公开]对比文件未公开绝缘层材料。对比文件未提及玻璃环氧基材料。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成 [未公开]对比文件未公开绝缘层材料。对比文件无FR-4树脂。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分 [未公开]对比文件未公开反射涂层成分。对比文件仅描述反射涂层能反射UV/可见光,未说明具体成分。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成 [未公开]对比文件未公开反射涂层为白色树脂。对比文件未指定反射涂层材料为白色树脂。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成 [未公开]对比文件未公开白色树脂的混合成分。对比文件无相关描述。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上 [未公开]对比文件未公开反射涂层位于引线框上。对比文件反射涂层在反射杯内表面,不在引线框上,且未提及仅部分区域。

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