返回项目页面
对比文件列表
2000-10-06_JP2000277813A_发明专利_JP2000277813A Light source device_+++G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
2026-07-29 13:29
2001-08-31_JP2001237462A_发明专利_JP2001237462A Light-emitting device_+++E_G_H_I_J_L_N_Q_o_p+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-03-12_US6355946B_发明授权_US06355946B1 Semiconductor device with reflector_+++E_G_H_P_Q_i_j+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-07-04_US2002085390A_发明申请_US20020085390A1 Optical device and apparatus employing the same_+++G_H_f_i_j_l_s+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
2026-07-29 13:29
2002-10-22_US6469322B_发明授权_US06469322B1 Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes_+++G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-07-11_JP2003197974A_发明专利_JP2003197974A Light emitting diode package_+++E_G_H_i_j_k_l+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
2026-07-29 13:29
2003-11-28_JP2003338639A_发明专利_JP2003338639A Display_+++A_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-08-26_JP2004241766A_发明专利_JP2004241766A Device_+++F_G_H_S+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-10-28_US2004211970A_发明申请_US20040211970A1 Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function_+++G_H_n_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2004-11-25_JP2004335518A_发明专利_JP2004335518A Packages for housing light emitting element_+++G_H_I_J+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx

好的,作为一名资深的专利代理师,我将对您提供的目标专利和对比文件进行严谨的技术特征比对分析。

首先,明确本次分析的相关信息:

- **对比文件名称**:2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device

- **目标专利名称**:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

- **本次调用的模型名称**:作为AI模型,我无法提供具体的“模型名称”,但这是一个基于深度学习的、被训练用于理解并执行复杂专利分析任务的模型。

以下是根据您的要求,对目标专利权利要求的技术特征与对比文件进行的详细比对分析。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:包括金属片【0002】“...放热部材...由铜-钨合金或铜-钼合金制成...”<br>【0002】“...放热部材...由铜-钨合金或铜-钼合金制成的放热部材...”<br>【0002】“...一种金属放热体101,其由第一金属材料102和热导率高于第一金属材料102的第二金属材料104a、104b构成...”<br>【0002】“放热部材1由铜或铜为主要成分的合金构成的贯通金属体3...以及铜层4a、4b形成。”<br>【0002】“放热部材1是...上面和下面分别覆盖有铜层4a、4b的平板状构件。”<br>【0002】“放热部材1...具有吸收电子部件11产生的热并将其散发到大气中或传导至外部散热板或支撑基板的功能。”**《直接公开》** <br>对比文件明确公开了一个用于散热的金属构件(放热部材1)。该构件整体由金属材料制成(如铜、钨、钼等),其核心功能是支撑电子部件并传导热量。这与目标专利中“金属片”的功能(支撑LED芯片、散热)完全相同。虽然目标专利的“金属片”是单一的片状结构,而对比文件的“放热部材”可能更复杂(包含基体、贯通金属体、铜层),但作为“金属片”这一上位概念,对比文件直接公开了用于承载芯片的金属散热结构。本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件的“放热部材”履行了与目标专利“金属片”相同的功能,属于实质公开。
**技术特征B**:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片【0002】“...放热部材1的上面中央部的搭载部10上,电子部件11通过树脂、玻璃、钎料等接合材料固定。”<br>【0002】“电子部件11...可以列举FET、LD、LED、IC、电容器等。”<br>【0002】“...在放热部材1的搭載部10上搭载电子部件11...”<br>【0002】“...放热部材1的上面中央部的搭载部10上,电子部件11...被固定。”**《直接公开》** <br>对比文件明确公开了“电子部件11”包括LED(发光二极管),并且该电子部件11“表面安装”在“放热部材1”的“搭载部10”上。这与目标专利的技术特征“表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片”完全一致。对比文件中电子部件的作用与目标专利中LED芯片的作用相同,都是作为发热元件被安装在金属散热结构上。
**技术特征C**:在所述金属片上的绝缘层【0002】“枠体5由氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷等电绝缘材料构成的框体...”<br>【0002】“枠体5...通过银钎料等钎料接合固定在放热部材1的上表面上,以围绕搭载部10。”<br>【0002】“配线导体6...其周围用陶瓷、树脂、玻璃等绝缘体覆盖。”**《隐含公开》** <br>对比文件未明确公开在金属放热部材上形成一层与LED芯片隔离的绝缘层。对比文件中的“枠体5”是围绕芯片的框体,其材料是绝缘的,但其结构是立于金属片之上,而非一层覆盖在金属片上的膜层。然而,对比文件提到了“为了使配线导体6与构成框体5的金属绝缘,用陶瓷、树脂、玻璃等绝缘体覆盖配线导体6的周围”。这表明在对比文件的技术方案中,为了实现布线,存在在金属结构上设置绝缘材料的需求。本领域技术人员在阅读对比文件后,结合常规的电路板制造工艺,可以合理推断出,为了在金属片上形成电路(引线框),必须在金属片和引线框之间设置一层绝缘层。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征D**:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离【0002】“放热部材1的上面中央部的搭載部10上,电子部件11...被固定。”<br>【0002】“枠体5...围绕搭载部10...被接合固定。”**《隐含公开》** <br>对比文件并未明确描述绝缘层与芯片的隔离关系。但是,对比文件明确描述了电子部件11是固定在放热部材1的中央搭载部10上,而作为绝缘体的“枠体5”是围绕这个搭载部设置的。因此,电子部件并未直接安装在枠体上,而是安装在金属放热部材上。这就隐含地公开了,如果存在绝缘层,该绝缘层(或起到绝缘作用的枠体)必然与芯片在空间上是隔离的,因为芯片安装在暴露的金属部材上。本领域技术人员可以合理推断出这种隔离关系。
**技术特征E**:在所述绝缘层上的引线框【0002】“...从凹部5a的内侧到外侧,框体5上附着并引出有多个由钨、钼、锰、铜、银等构成的配线导体6。”<br>【0002】“配线导体6...通过将金属膏印刷在陶瓷生片上而形成。”<br>【0002】“配线导体6形成在框体5上,从凹部5a的内面(搭载部10周边)引出到框体5的外面。”**《隐含公开》** <br>对比文件明确公开了“配线导体6”,其功能是用于电连接电子部件和外部电路,这与目标专利中“引线框”的功能完全相同。对比文件中的配线导体形成在由绝缘材料构成的“枠体5”上。虽然“枠体5”是垂直的框体结构,而非水平的“绝缘层”,但本领域技术人员可以理解,配线导体必须形成在绝缘支撑体上。对比文件明确教导了“在绝缘体上形成导电线路”这一基本概念。结合技术特征C的隐含公开,本领域技术人员可以合理推断出,在金属片上设置绝缘层,并在该绝缘层上形成引线框(配线导体)是解决布线问题的常规且必然的技术手段。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征F**:在所述引线框上的反射涂层对比文件全文未提及任何与“反射涂层”或具有反射功能的涂层的相关内容。**《未公开》** <br>对比文件的技术方案主要围绕提高散热效率和抑制热膨胀,其背景技术虽然提到了LED,但并未涉及任何用于提高光提取效率的反射结构或涂层。对比文件中的配线导体(相当于引线框)上并未设置任何反射涂层,也没有任何关于反射功能的描述或暗示。因此,该技术特征未被对比文件直接或隐含公开。
**技术特征G**:模塑材料【0002】“...凹部5a内填充封止树脂...以覆盖电子部件11。”<br>【0002】“...在框体5的上面安装盖体13以覆盖凹部5a,从而密封电子部件11。”**《直接公开》** <br>对比文件明确公开了“封止树脂”(密封树脂)作为用于封装和保护电子部件的材料。该“封止树脂”的功能与目标专利中的“模塑材料”的功能完全相同,都是为了密封和保护LED芯片。虽然对比文件也提到了“盖体”作为另一种封装方式,但其明确列举了“封止树脂”作为可选方案,这直接公开了模塑材料的使用。
**技术特征H**:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片【0002】“...凹部5a的内侧填充封止树脂,以覆盖电子部件11,从而密封电子部件11。”<br>【0002】“...在框体5的上面安装盖体13以覆盖凹部5a,从而密封电子部件11。”**《直接公开》** <br>对比文件明确公开了“封止树脂”填充在由框体5和放热部材1构成的“凹部5a”内,这个凹部构成了一个“预定形状”(框体内部的空间),并且树脂填充后覆盖并密封了电子部件11。这与目标专利中“模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片”的概念完全一致,都是将芯片封装在由周围结构限定的空间内。
**技术特征I**:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间对比文件未公开反射涂层,也未公开反射涂层内部的空间。**《未公开》** <br>由于对比文件完全没有公开“反射涂层”(技术特征F),因此也无法公开“反射涂层包括在其内部的第一空间”这一与反射涂层结构直接相关的特征。
**技术特征J**:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部对比文件未公开反射涂层,也未公开反射涂层内部的空间。**《未公开》** <br>由于父特征“反射涂层内部的第一空间”未被公开,因此该从属特征也无法被公开。
**技术特征K**:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中【0002】“...放热部材1和框体5构成的凹部5a的内侧...”<br>【0002】“...框体5...以围绕搭载部10的方式...被接合固定。”<br>【0002】“配线导体6...形成在框体5上...从凹部5a的内面...引出到外面。”**《隐含公开》** <br>对比文件没有明确使用“绝缘层”和“引线框”这些术语,但其“枠体5”(绝缘体)和“配线导体6”(引线)共同限定了电子部件11所在的“凹部5a”。这个凹部5a是由绝缘的框体5和其上的配线导体6共同包围形成的空间,其功能就是容纳并封装电子部件。这与目标专利中“由绝缘层和引线框所包围的第二空间”在结构和功能上完全对应。本领域技术人员可以合理推断,模塑材料(封止树脂)必然设置在这个由绝缘体和导体共同限定的空间内。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征L**:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上。对比文件未公开反射涂层,也未公开与之相关的任何空间位置关系。**《未公开》** <br>由于父特征“反射涂层”及其内部空间未被公开,因此该从属特征也无法被公开。
**技术特征M**:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度。【0002】“铜层4a、4b的厚度...如果厚度超过800μm,则应力会增大...最好在800μm以下。”<br>【0002】“如果铜层4a、4b的厚度为50μm以上,则热量在平面方向上充分扩散...因此最好为50μm以上。”<br>【0002】“基体2的厚度为1.00mm,铜板4(4a、4b)的厚度分别为0.45mm。”**《未公开》** <br>对比文件明确公开了其“铜层4a、4b”的厚度范围是“50μm以上至800μm以下”,并且其具体实施例中铜层的厚度为0.45mm(450μm)。目标专利中“金属片”的厚度为“25μm~75μm”。虽然对比文件的厚度范围(50μm-800μm)与目标专利的范围(25μm-75μm)有重叠部分(50μm-75μm),但对比文件并未公开“25μm~75μm”这一特定的、较窄的厚度范围。对比文件强调的是较厚的铜层(50μm以上)以保证平面热扩散,而目标专利的金属片是作为薄型化基板,厚度更薄。因此,该特定数值范围未被对比文件公开。
**技术特征N**:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成。对比文件全文未提及“玻璃环氧基材料”或类似的“FR-4”树脂。对比文件中的绝缘体材料是“氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷”等。**《未公开》** <br>对比文件公开的绝缘层材料是陶瓷类材料,与目标专利的“玻璃环氧基材料”属于不同的材料体系。对比文件没有给出任何关于使用玻璃环氧树脂作为绝缘层的教导或暗示。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征O**:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成。对比文件全文未提及“阻燃剂-4树脂”或“FR-4树脂”。**《未公开》** <br>与上述理由相同,对比文件未公开任何与FR-4树脂相关的技术内容。
**技术特征P**:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分。对比文件全文未提及“反射涂层”及其任何组分,包括“氧化钛”。**《未公开》** <br>对比文件完全没有涉及反射涂层的概念,因此更不可能公开其具体组分“氧化钛和树脂”。
**技术特征Q**:其中所述反射涂层由白色树脂制成对比文件全文未提及“白色树脂”或任何具有反射功能的树脂材料。**《未公开》** <br>对比文件没有公开任何关于反射涂层或白色树脂的内容。
**技术特征R**:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成。对比文件全文未提及任何与“碳酸钙、硫酸钡和氧化锌”相关的白色颜料或填料。**《未公开》** <br>对比文件完全没有公开白色树脂的配方,因此也未公开该特征。
**技术特征S**:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上。对比文件未公开“反射涂层”,也未公开任何选择性涂覆的涂层。**《未公开》** <br>由于对比文件未公开反射涂层,因此也无法公开其“仅形成在引线框的部分区域上”这一具体形成方式。

### 结论

根据以上严谨的比对分析,对比文件JP2005277382A与本发明的技术方案存在显著差异。对比文件主要解决放热问题,并使用了复杂的多层金属结构,而本发明的核心在于利用薄金属片、绝缘层、引线框和反射涂层的组合,实现薄型化和提高光效。

**对比文件直接公开的技术特征有:**

- 技术特征A:金属片(以放热部材的形式)

- 技术特征B:表面安装在金属片上的LED芯片

- 技术特征G:模塑材料(以封止树脂的形式)

- 技术特征H:模塑材料以预定形状模制LED芯片

**对比文件隐含公开的技术特征有:**

- 技术特征C:在金属片上的绝缘层

- 技术特征D:绝缘层与LED芯片隔离

- 技术特征E:在绝缘层上的引线框

- 技术特征K:模塑材料设置在由绝缘层和引线框包围的空间中

**对比文件未公开的技术特征有:**

- 技术特征F:在引线框上的反射涂层

- 技术特征I:反射涂层包括在其内部的第一空间

- 技术特征J:模塑材料设置在反射涂层的第一空间内部

- 技术特征L:模塑材料部分形成在高于反射涂层内部的第一空间的垂直位置上

- 技术特征M:金属片具有25μm~75μm的厚度

- 技术特征N:绝缘层由玻璃环氧基材料形成

- 技术特征O:绝缘层由阻燃剂-4树脂形成

- 技术特征P:反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分

- 技术特征Q:反射涂层由白色树脂制成

- 技术特征R:白色树脂通过混合碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成

- 技术特征S:反射涂层仅形成在引线框的部分区域上

<<<A>>><<<B>>><<<G>>><<<H>>><<<c>>><<<d>>><<<e>>><<<k>>>

Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE