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对比文件列表
1997-02-14_None_发明专利_JPH0945866A Microwave integrated circuit_+++K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
1997-12-09_US5696471A_发明授权_US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors_+++B_a_f_g_j_k_l+++.docx
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1999-04-23_None_发明专利_JPH11112264A Filter_+++A_C_G_H_I_L_b_d_j+++.docx
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1999-08-06_None_发明专利_JPH11215023A High-frequency composite component_+++a_c_d_g_i_l+++.docx
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2000-08-08_US6100776A_发明授权_US6100776A High-frequency composite transmission section with switch, LC filter, and notch filter_+++A_C_D_I_L_j+++.docx
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2001-01-30_US6180976B_发明授权_US06180976B2 Thin-film capacitors and methods for forming the same_+++k_l+++.docx
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2001-05-18_JP2001136045A_发明专利_JP2001136045A Layered composite electronic component_+++A_B_c_d_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2002-01-11_JP2002008942A_发明专利_JP2002008942A Capacitor device, method of manufacturing the same, and module mounted with the device_+++k_l+++.docx
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2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment_+++B_L_a_f_g+++.docx
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2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor_+++A_K_L+++.docx
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2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method_+++A_L_i+++.docx
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2003-07-22_US6597315B_发明授权_US06597315B2 Antenna_+++a_b_k_l+++.docx
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2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method_+++A_L_a_l+++.docx
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2004-10-07_JP2004281847A_发明专利_JP2004281847A Multilayer composite electronic component_+++A_L+++.docx
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2004-10-07_JP2004281850A_发明专利_JP2004281850A Multilayer composite electronic component_+++a_b_j_l+++.docx
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2005-11-24_JP2005328026A_发明专利_JP2005328026A Thin film device, integrated circuit, electrooptic device, and electronic device_+++L_a+++.docx
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2008-06-12_WO2008069783A_发明申请_WO2008069783A1 TUNING DEVICE WITH DIPLEXER INPUT_+++D_G_K_L_i+++.docx
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2008-07-17_DE102008003952A_发明专利_DE102008003952A1 Microminiature inverter_+++A_B_k_l+++.docx
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2008-12-04_JP2008544494A_发明专利_JP2008544494A Linear variable voltage diode capacitor and adaptive matching networks_+++E_i_k_l+++.docx
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2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer_+++A_B_l+++.docx
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2009-10-01_WO2009118694A_发明申请_WO2009118694A1 INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT_+++A_B_K_L+++.docx
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2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR_+++B_L_a_k+++.docx
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2010-09-23_WO2010107430A_发明申请_WO2010107430A1 INTEGRATED CIRCUIT INDUCTORS WITH REDUCED MAGNETIC COUPLING_+++k_l+++.docx
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2010-11-18_US2010289126A_发明申请_US20100289126A1 Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Inductor from Prefabricated Pillar Frame_+++K_a_b_l+++.docx
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2011-04-14_WO2011044392A_发明申请_WO2011044392A1 THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER_+++A_B_K_L+++.docx
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2011-04-28_US2011095395A_发明申请_US20110095395A1 Inductors and Methods for Integrated Circuits_+++B_K_l+++.docx
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2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability_+++B_F_L+++.docx
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2012-03-27_US8143952B_发明授权_US08143952B2 Three dimensional inductor and transformer_+++A_B_K_L+++.docx
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2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++B_F_L_a_c_k+++.docx
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2012-03-29_WO2012040063A_发明申请_WO2012040063A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++A_B_F_K_L_c_g_h_i_j+++.docx
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2012-05-10_US2012112853A_发明申请_US20120112853A1 TUNABLE FILTER, TUNABLE DUPLEXER AND MOBILE COMMUNICATION TERMINAL USING THE SAME_+++A_C_D_I_J_L+++.docx
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2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER_+++D_I_K_L_a_c_g_j+++.docx
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2012-12-04_US8324984B_发明授权_US08324984B2 Variable bandwidth tunable silicon duplexer_+++D_K_l+++.docx
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2013-02-13_EP2556730A_发明公开_EP2556730A1 SELECTIVE PATTERNING FOR LOW COST THROUGH VIAS_+++L+++.docx
2026-03-19 23:33
US2011110385A1_Description_20260309_2155_+++K_a_g_j_l+++.docx
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US2011248405A1_Description_20260309_2155_+++B_F_L+++.docx
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WO2012144482A1_Description_20260309_2155_+++a_b_l+++.docx
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2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method_+++A_L_i+++.docx

对比文件名称:2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method

目标专利名称:三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B

模型名称:DeepSeek-R1

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括:包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》说明书第4栏第18行至第25行:“The first resonator 10 includes first and second capacitive portions 22 and 24 comprising interdigitized conductive fingers 32, and first and second inductive portions 18 and 20. Similar to the first resonator 10, the second resonator 12 also includes first and second capacitive portions 42 and 44 comprising interdigitized conductive fingers 52, and first and second inductive portions 38 and 40. Positive reactance (i.e. inductive simulation) is produced by the inductive portions 18, 20, 38 and 40 of the resonators coupled to the ground vias 26 and 46.”对比文件公开的共用器(图1,Diplexer 2)包含谐振器(10, 12),每个谐振器均包含电感部分(18, 20, 38, 40),这些电感部分通过印刷电路板(PCB)上的导电迹线形成,起到电感的作用。根据目标专利说明书上下文,电感器是实现滤波功能的无源元件。对比文件中谐振器的电感部分,作为分布式电路元件,实现了电感功能。虽然对比文件没有明确使用“第一层级”这一空间结构术语,但其整个共用器结构是制作在PCB的同一信号层(第一信号层100)上的(见图2)。该信号层可以被视为一个“层级”,并且包含了实现电感功能的迹线。因此,本领域技术人员能够从对比文件公开的具有电感功能的谐振器结构,毫无疑义地得出其包含“至少一个电感器”,并且这些电感器位于PCB的一个导电层(即一个层级)上。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征B:,其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《未公开》无相关内容。对比文件中的电感部分(18, 20, 38, 40)明确描述为在PCB表面(第一信号层100)上通过蚀刻铜迹线形成的平面结构(说明书第4栏第18-25行,图1)。目标专利中的“穿基板通孔电感器”(如TGV/TSV)是一种垂直穿过基板的三维结构,其构造、形态和实现方式与对比文件中的平面迹线电感有本质区别。对比文件全文未提及任何通过穿通孔(through via)技术形成电感器的内容。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开“穿基板通孔电感器”这一特定技术特征。
技术特征C:包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级,《未公开》无相关内容。对比文件中的谐振器包含电容部分(22, 24, 42, 44),这些电容由交指的导电指状结构(32, 52)形成(说明书第4栏第18-25行)。这些是固定的分布式电容,其电容值由物理尺寸(如指长、间距)决定。目标专利中的“变抗器”是一种可变电容器,其电容值可以通过电信号(如偏压)动态调节。对比文件完全没有提及任何可变电容元件(变抗器)。说明书第6栏第53行至第7栏第9行描述的调谐方法是通过物理修剪(trimming)指状电容的长度,这是一种一次性、制造后的机械调整,而非电子可调的变抗器。此外,对比文件的整个结构制作在单层PCB上(见图1,图2),不存在包含变抗器的“第二层级”。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征D:所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》说明书第6栏第53行至第7栏第9行:“A diplexer configured according to the embodiment shown in FIG. 1 may be tuned after fabrication to further increase its accuracy. By trimming the outermost interdigitized conductive finger 92 on the second resonator element 36 of the first resonator 10, the impedance of the resonator may be adjusted which also adjusts the center frequency of the resonator... trimming approximately 1.3 mil from the length... reduced the center frequency... by approximately 1 MHz.”对比文件公开的共用器是可调谐的,其调谐方法是通过物理修剪指状电容的长度来改变电容值,从而调整谐振器的中心频率(即滤波特性)。然而,目标专利权利要求D限定的“可调谐共用器”是由“至少一个电感器”和“至少一个变抗器”结合形成的。如上所述,对比文件没有公开“变抗器”。虽然对比文件的共用器具有可调谐性,但其实现调谐的技术手段(物理修剪固定电容)与目标专利的技术手段(使用电子可调的变抗器)不同。因此,该技术特征未被对比文件直接公开。但对比文件隐含了通过改变谐振器中元件的参数(电容)来实现共用器频率响应调谐的概念。
技术特征E:其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》无相关内容。对比文件完全没有提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”或任何类似结构的半导体可变电容器件。其电容元件是PCB上的金属指状结构。因此,该技术特征未被公开。
技术特征F:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》无相关内容。对比文件中的电感是平面PCB迹线,并非穿通孔结构,更未提及使用玻璃基板或“穿玻通孔(TGV)”技术。因此,该技术特征未被公开。
技术特征G:其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》说明书第3栏第24-26行:“A diplexer is a device which separates a received signal into two frequency ranges within the received signal.” 图1及对应说明显示共用器2包含两个谐振器(10, 12),分别用于过滤L1和L2频段。对比文件公开的共用器(图1)包含两个谐振器分支,每个分支都是一个带通滤波器(谐振器),共同实现双工功能。虽然从功能上看,其中一个分支(例如处理较低频率L2信号的分支)可能具有低通滤波特性,但对比文件并未明确将其描述为“低通(LP)滤波器”。更重要的是,该滤波功能是由分布式LC谐振器(包含固定的平面电感和电容)实现的,而非由目标专利所限定的“电感器和变抗器”的组合形成。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征H:其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》无相关内容。该特征涉及一个更具体的结构:在第二层级有第二变抗器,耦合到第一层级的多个第二电感器,共同形成LP滤波器。对比文件既没有公开“第二层级”,也没有公开“变抗器”,更没有公开这种跨层级的特定元件耦合关系以形成LP滤波器。因此,该技术特征未被公开。
技术特征I:其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《隐含公开》说明书第6栏第53行至第7栏第9行:“By trimming the outermost interdigitized conductive finger 92... the impedance of the resonator may be adjusted which also adjusts the center frequency of the resonator.”对比文件公开了通过修剪电容指的长度来调整谐振器的中心频率。在滤波器术语中,谐振器的中心频率决定了其通带中心或陷波(带阻)频率。因此,调整电容值(在对比文件中通过物理修剪,在目标专利中通过变抗器电调)可以调节滤波器的频率响应,包括陷波频率。尽管实现调谐的物理元件(固定电容 vs 变抗器)和调谐方式(物理修剪 vs 电调)不同,但“通过改变电容值来调节滤波器频率(包括陷波频率)”这一功能概念是对比文件所隐含的。本领域技术人员阅读对比文件后,能够理解改变谐振器中的电容参数会影响其滤波特性(包括陷波频率)。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征J:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》说明书第4栏第46-49行:“The lengths, widths and spacings of the PCB traces forming the diplexer determines the resonance frequency and bandwidth for each resonator.”对比文件指出形成共用器的PCB迹线的尺寸决定了每个谐振器的谐振频率和带宽。滤波器的带宽与截止频率相关。因此,电感器(作为迹线的一部分)的尺寸参数会影响滤波器的频率特性。然而,目标专利特征J明确限定了电感器是“穿基板通孔电感器”。对比文件中的电感是平面迹线,并非穿基板通孔结构。因此,虽然控制截止频率的功能概念可能隐含在对比文件中(通过元件尺寸设计),但实现该功能的具体元件“穿基板通孔电感器”未被公开。故该技术特征未被对比文件公开。
技术特征K:其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》无相关内容。对比文件中的共用器是制作在印刷电路板(PCB)上的分布式结构(说明书第3栏第65行至第4栏第3行),明确属于“without discrete components”的PCB级集成,并非集成在“半导体管芯”中。因此,该技术特征未被公开。
技术特征L:其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》说明书第7栏第56-58行:“Specific applications for the invention described include use of a distributively formed diplexer within a signal receiver, a signal transmitter and an antenna array.” 说明书第8栏第9-11行:“The diplexer's small size and weight, and its resistance to radiation and environmental contamination also make it ideal for use in satellite applications, and particularly for use with GPS.” 说明书第9栏第28-30行及图6-9:描述了该共用器在GPS接收机(图6)、GPS发射机(图7,8)和电子扫描阵列(ESA)天线(图9)中的应用。对比文件明确公开了其高性能共用器可用于信号接收机、信号发射机、天线阵列(特别是GPS相关设备)。GPS接收机和发射机是典型的“导航设备”和“通信设备”。目标专利特征L列举的设备列表包含了广泛的电子设备类别,其中“导航设备”和“通信设备”与对比文件公开的应用领域直接重叠。虽然对比文件未明确列举目标专利权利要求中的所有具体设备类型,但本领域技术人员能够毫无疑义地理解,对比文件公开的共用器作为一种通用射频组件,可以集成到需要使用双工/滤波功能的各类通信和导航设备中,这包括但不限于GPS设备。因此,该技术特征被对比文件直接公开。

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