对比文件名称：2004-10-07_JP2004281847A_发明专利_JP2004281847A Multilayer composite electronic component
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：DeepSeek
根据对目标专利说明书和权利要求以及对比文件JP2004281847A的详细分析，现创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级** <br> **《直接公开》** | 【０００１】内部または表面にインダクタを設けた積層複合電子部品に関する。<br>【００２６】第７〜９誘電体層３ｇ、３ｉにはインダクタＬｘ（＝Ｌ３、Ｌ６、Ｌ９、Ｌ１０）、Ｌｙ（＝Ｌ１、Ｌ４、Ｌ８）を形成するための導体パターンを形成する。<br>【００２２】この積層複合電子部品は、受動素子を内蔵した積層体（ベース基板）３...からなる。 | 对比文件公开了一种多层复合电子部件，其在内部或表面设有电感器（インダクタ），并且具体在多个介电层（3g, 3i等）中形成有构成电感器（L1, L3, L4, L6, L8-L10）的导体图案。这些由介电层和导体图案堆叠形成的结构，构成了一个包括电感器的层级（即第一层级）。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。该特征在对比文件中用于构成电路中的电感元件，与目标专利中电感器作为共用器基本元件的作用相同。因此，特征A被对比文件直接公开。 |
| **特征B：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器** <br> **《未公开》** | 【００２４】コア基板の両面または片面にプリプレグを圧着し本硬化させて前記ビアホールや導体パターンの形成を行うという工程（ビルドアップ工法）を繰り返す。<br>【００３３】上層の導体パターン...と下層の導体パターン...とはそれぞれ対応するものどうしがビアホール６によって接続される。 | 对比文件提到了通孔（ビアホール）用于连接不同层的导体图案以形成电感器（例如图4所示的螺旋结构）。然而，对比文件描述的电感器是通过在多层介电层（如树脂或复合材料）中图案化平面螺旋导体并通过通孔连接不同层来形成的（参见图3、4及段落【００３３】）。目标专利的“穿基板通孔电感器”（Through-Substrate-Via inductor）特指垂直穿过基板（如硅或玻璃）的导电柱形成的电感器，这是一种三维结构。对比文件的电感器是平面螺旋线圈，其绕线轴线平行于基板表面，通孔仅用于连接不同平面的线圈部分，并非构成垂直穿通整个基板体的电感器主体。两者结构和工作原理不同。因此，对比文件没有公开“穿基板通孔电感器”这一特定结构。 |
| **特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级** <br> **《未公开》** | 【００１３】フィルタＦ１（Ｆ２）は、インダクタＬ１（Ｌ４）とコンデンサＣ０〜Ｃ２（Ｃ８〜Ｃ１０）により構成される。<br>【００２６】第２〜第６の誘電体層３ａ〜３ｆには前記コンデンサＣ０、Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ８、Ｃ９、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１６〜Ｃ１８の電極を形成しており... | 对比文件确实公开了电容器（コンデンサ）与电感器（インダクタ）电连接以构成滤波器（如共用器中的滤波器）。这些电容器和电感器形成在不同的介电层上，可以认为分属不同“层级”。然而，目标专利明确要求的是“变抗器”（varactor），即可变电容器。对比文件中所有电容器（C0-C18）都是固定电容器，其说明书全文未提及任何具有可变电容功能的元件（如变抗二极管或可变电容器）。变抗器是可调谐共用器实现频率调谐功能的核心元件。因此，对比文件公开的是固定电容器，而非“变抗器”。特征C未被公开。 |
| **特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。** <br> **《未公开》** | 【００１２】...このモジュールはダイプレクサ２を含んで構成される。<br>【００１５】ダイプレクサ２は、通過帯域の異なる...分波回路である。 ダイプレクサ２のＧＳＭ側回路は、インダクタＬ８とコンデンサＣ１６、Ｃ１７とにより構成される。 またダイプレクサ２のＤＣＳ側回路は、インダクタＬ９、Ｌ１０とコンデンサＣ１８とにより構成される。 | 对比文件公开了由电感器和电容器构成的“共用器”（ダイプレクサ2）。然而，目标专利要求的是“可调谐共用器”。如对特征C的论述，构成对比文件共用器的电容元件是固定的，因此其滤波特性（如陷波频率、截止频率）是固定的，不可调谐。目标专利的核心发明点在于通过引入变抗器等可变元件使共用器可调谐，以适应不同频带。对比文件的共用器不具备可调谐性。因此，特征D未被公开。 |
| **特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。** <br> **《未公开》** | （无相关内容） | 对比文件未公开任何变抗器，更未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”这一特定类型的可变电容器。特征E未被公开。 |
| **特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。** <br> **《未公开》** | 【００２３】誘電体層３ａ〜３ｋは樹脂材料または樹脂と機能材料粉末をコンポジットした複合材料からなる。 また各誘電体層３ａ〜３ｋは一般的にはガラスクロスに前記樹脂材料または複合材料を含浸させたものが用いられる... | 对比文件中的介电层（誘電体層）由树脂或浸渍了树脂的玻璃布（ガラスクロス）等材料构成，其电感器是通过在这些介电层上图案化导体并连接形成的平面线圈，并非穿过玻璃基板的垂直通孔（TGV）电感器。目标专利的TGV电感器是穿过玻璃基板（Glass Substrate）的垂直导电通孔结构，具有特定的高Q值特性。两者结构本质不同。因此，特征F未被公开。 |
| **特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。** <br> **《未公开》** | 【００１５】ダイプレクサ２のＧＳＭ側回路は、インダクタＬ８とコンデンサＣ１６、Ｃ１７とにより構成される。...ダイプレクサ２のＤＣＳ側回路は、インダクタＬ９、Ｌ１０とコンデンサＣ１８とにより構成される。<br>【００２１】...ＧＳＭ側のノッチ回路...２つのコンデンサＣ１６、Ｃ５は分波特性のＬＰＦ特性を向上させる目的で接続される。 | 对比文件公开了其共用器（ダイプレクサ2）中包含由电感器和电容器构成的滤波电路，并且提到了为了改善LPF（低通滤波器）特性而连接电容器（C16， C5）。这表明其共用器电路中包含低通滤波功能部分。但是，目标专利的特征G限定的是“所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成...低通(LP)滤波器”。由于对比文件中与电感器配合的是固定电容器，而非“变抗器”，因此不能认为公开了由“电感器和变抗器”形成的LP滤波器。此外，目标专利的LP滤波器是可调谐的，而对比文件的是固定的。因此，特征G未被公开。 |
| **特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。** <br> **《未公开》** | 【００２６】第２〜第６の誘電体層３ａ〜３ｆには...コンデンサ...の電極を形成しており...<br>【００２６】第７〜９誘電体層３ｇ、３ｉにはインダクタ...を形成する... | 对比文件公开了在不同层级（介电层）上分别形成电容器电极和电感器导体图案，并且它们相互电连接构成电路（如共用器）。这可以理解为“位于第二层级内的电容器耦合到第一层级中的电感器”。然而，同前述理由，对比文件中的电容器是固定的，并非“变抗器”。因此，对比文件没有公开“第二变抗器”，也没有公开由“变抗器和多个第二电感器”形成的LP滤波器。特征H未被公开。 |
| **特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。** <br> **《未公开》** | （无相关内容） | 对比文件未公开任何变抗器，因此也不可能公开变抗器用于调节陷波频率的功能。特征I未被公开。 |
| **特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。** <br> **《未公开》** | 【００１３】フィルタＦ１（Ｆ２）は、インダクタＬ１（Ｌ４）とコンデンサＣ０〜Ｃ２（Ｃ８〜Ｃ１０）により構成される。 | 对比文件公开了电感器作为滤波器（如F1， F2）的一部分，电感器的值会影响滤波器的截止频率，这是本领域公知常识。但是，特征J明确限定了电感器是“穿基板通孔电感器”，并且是在“可调谐共用器内”用于控制截止频率。如特征B和F所述，对比文件的电感器并非“穿基板通孔电感器”；同时，其共用器也非“可调谐共用器”。因此，对比文件没有公开特征J所限定的特定技术方案。 |
| **特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。** <br> **《未公开》** | 【０００１】複数の誘電体層を導電体と共に積層することにより、...形成すると共に、内部または表面にインダクタを設けた積層複合電子部品に関する。<br>【００４６】...高周波部品等において用いる場合に好適である。 | 对比文件公开的是一种多层复合电子部件（積層複合電子部品），其通过堆叠多个介电层和导体形成。这是一种基于印刷电路板或低温共烧陶瓷（LTCC）类似工艺的封装级或无源集成技术，并非目标专利所述的“三维集成电路(3DIC)”以及“集成到半导体管芯中”。目标专利的3DIC涉及在半导体制造工艺中将有源器件（如SOG变抗器）和无源器件（如TGV电感器）集成在硅或玻璃基板上的管芯内。两者在集成层级和技术领域上存在显著差异。因此，特征K未被公开。 |
| **特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。** <br> **《直接公开》** | 【０００２】例えば携帯電話等の移動体通信機器において、...<br>【００４６】...特に前記携帯電話等の移動体通信機器において、...高周波部品等において用いる場合に好適である。 | 对比文件明确记载其多层复合电子部件适用于“移动通信设备如手机（携帯電話等の移動体通信機器）”。手机（移动电话、蜂窝电话）属于特征L所列设备清单中的“移动电话、蜂窝电话”。因此，对比文件直接公开了将所述电子部件（尽管不是目标专利限定的3DIC）集成到手机这类设备中。特征L被对比文件直接公开。 |
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