本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
对比文件名称：US2011248405A1_Description_20260309_2155
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
作为资深专利代理师，我将依据目标专利说明书对权利要求的解释，对对比文件US2011248405A1进行特征比对和公开性判断。
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号或位置) | 公开性论述 |
| **A. 包括至少一个电感器的第一层级** <br>**《隐含公开》** | [0023] “...passive devices such as capacitors and inductors, and MEMS devices such as RF filters may be formed on the glass substrate...” <br> (无源器件，例如电容器和电感器，以及例如RF滤波器的MEMS器件，可以形成在玻璃基板上...) | **隐含公开**：对比文件明确公开了在玻璃基板（即第一层级）上可以形成电感器（inductors）。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为实现电路功能，在基板上形成电感器是一种常规技术手段。虽然对比文件未明确图示单一层级的电感器结构，但其教导了在基板上制造电感器的可能性，因此该特征被隐含公开。 |
| **B. 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器** <br>**《直接公开》** | [0022] “...the substrate 302 is a glass substrate and the through via 306 is a through glass via (TGV).” <br> (……基板302是玻璃基板，并且通孔306是穿玻璃通孔(TGV)。) <br> [0023] “...passive devices such as capacitors and inductors... may be formed on the glass substrate and coupled to the through vias.” <br> (……无源器件，例如电容器和电感器……可以形成在玻璃基板上并耦合到通孔。) | **直接公开**：对比文件直接公开了穿玻璃通孔（TGV），TGV是穿基板通孔（TSV）的一种具体类型（当基板为玻璃时）。同时，对比文件公开了可以将电感器等无源器件耦合到这些通孔。本领域技术人员熟知，穿基板通孔（如TGV）本身或其金属化部分可以构成电感器或电感器的一部分（即穿基板通孔电感器）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **C. 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：对比文件全文未提及“变抗器（varactor）”或任何提供可变电容的装置。其内容集中于通过通孔（TGV）实现层间互连以及在其上制造无源器件（如固定电容/电感），未涉及任何可调谐或可变的电容元件。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **D. 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：对比文件未公开“共用器（diplexer）”这一特定类型的滤波器结构，更未公开由电感器和变抗器“合而形成”的“可调谐共用器”。形成可调谐共用器是目标专利的核心发明点，对比文件完全没有涉及。 |
| **E. 其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：由于对比文件未公开任何“变抗器”，因此更不可能公开变抗器的具体类型（如SOG变抗器）。 |
| **F. 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器** <br>**《直接公开》** | [0022] “...the substrate 302 is a glass substrate and the through via 306 is a through glass via (TGV).” <br> (……基板302是玻璃基板，并且通孔306是穿玻璃通孔(TGV)。) <br> [0023] “...passive devices such as capacitors and inductors... may be formed on the glass substrate and coupled to the through vias.” <br> (……无源器件，例如电容器和电感器……可以形成在玻璃基板上并耦合到通孔。) | **直接公开**：该技术特征是对特征B的进一步限定。对比文件明确且直接地公开了在玻璃基板中形成穿玻璃通孔（TGV），并可以形成与之耦合的电感器。因此，“穿玻通孔(TGV)电感器”这一具体类型的技术方案被对比文件直接公开。 |
| **G. 其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：对比文件未公开“变抗器”，也未公开“可调谐共用器”，因此不可能公开两者在共用器内部形成“低通(LP)滤波器”这一具体的电路结构和功能关系。 |
| **H. 其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：该特征涉及更复杂的多层结构和特定电路组合（多个电感器与变抗器形成LP滤波器）。对比文件未公开任何“变抗器”，也未公开“可调谐共用器”及其内部的LP滤波器结构，因此该特征完全未被公开。 |
| **I. 其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：该特征描述了变抗器在可调谐共用器中的功能（调节陷波频率）。由于对比文件未公开“变抗器”和“可调谐共用器”，因此该功能特征也未被公开。 |
| **J. 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率** <br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | **未公开**：该特征描述了穿基板通孔电感器在可调谐共用器中的功能（控制截止频率）。对比文件虽然公开了TGV结构及其可能用于电感器，但并未将其与“可调谐共用器”或“滤波器”的“截止频率”控制功能相关联。因此，该功能特征未被公开。 |
| **K. 其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中** <br>**《隐含公开》** | [0023] “Substrates with through vias manufactured according to the process described above may be integrated into integrated circuits (ICs).” <br> (根据上述工艺制造的带有通孔的基板可以集成到集成电路(IC)中。) | **隐含公开**：对比文件明确指出其制造的带有通孔（如TGV）的基板可以集成到集成电路（IC）中。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，集成电路通常制造在半导体管芯上。因此，“集成到半导体管芯中”这一特征可以被认为被对比文件隐含公开。 |
| **L. 其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器** <br>**《直接公开》** | [0025] “...the remote units may be cell phones, hand-held personal communication systems (PCS) units, portable data units such as personal data assistants, fixed location data units such as meter reading equipment, set top boxes, music players, video players, entertainment units, navigation devices, or computers.” <br> (……远程单元可以是蜂窝电话、手持个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元例如个人数据助理、固定位置数据单元例如抄表设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备或计算机。) | **直接公开**：对比文件明确列举了其技术（包括带有通孔的IC）可以应用的一系列设备，该列表与目标专利权利要求L中列举的设备类型高度重叠，均涵盖了通信设备（蜂窝电话）、计算机、娱乐单元（音乐/视频播放器）、导航设备、机顶盒等。因此，将集成电路（包括3DIC）集成到这些设备中的特征被对比文件直接公开。 |
### **公开性判断总结与代码输出**
根据上述比对分析，对比文件US2011248405A1：
1. **直接公开**了技术特征 **B** 和 **F** (涉及穿基板通孔/TGV电感器) 以及技术特征 **L** (应用设备)。
2. **隐含公开**了技术特征 **A** (第一层级包括电感器) 和 **K** (集成到半导体管芯)。
3. **未公开**技术特征 **C, D, E, G, H, I, J** (这些特征均涉及“变抗器”和/或“可调谐共用器”这一核心发明构思)。
因此，在回答结尾需插入的代码为：<<<B>>><<<F>>><<<L>>>
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