**对比文件名称**：2013-02-13_EP2556730A_发明公开_EP2556730A1 SELECTIVE PATTERNING FOR LOW COST THROUGH VIAS
**目标专利名称**：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级。 <br> **隐含公开** | [0023] The through vias may be used to couple devices stacked on the substrate. For example, passive devices such as capacitors and inductors, and MEMS devices such as RF filters may be formed on the glass substrate and coupled to the through vias. | 对比文件公开了可以在玻璃基板上形成电感器等无源器件（例如电感器），并且这些器件可以通过通孔进行耦合。虽然对比文件主要描述制造工艺，但其明确指出了在基板上形成电感器的可能性。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，包含电感器等元件的基板构成了一个“层级”。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器。 <br> **隐含公开** | [0020] ...the substrate 302 is a glass substrate and the through via 306 is a through glass via (TGV). ... The through vias may be used to couple devices stacked on the substrate. For example, passive devices such as capacitors and inductors... may be formed on the glass substrate and coupled to the through vias. | 对比文件明确公开了在玻璃基板中形成“穿玻璃通孔”，并指出这些通孔可用于连接基板上形成的电感器等无源器件。本领域技术人员公知，“穿基板通孔电感器”可以利用穿过基板的通孔结构（如TGV）的导电材料形成电感。因此，对比文件隐含公开了“穿基板通孔电感器”的技术方案。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及“变抗器”或任何具有可变电容功能的元件。其核心内容是低成本制造通孔的工艺，以及通过通孔连接基板上的无源器件（如固定电容、电感）或MEMS器件。目标专利中的“变抗器”是实现可调谐功能的核心可变元件，对比文件既未公开其结构，也未公开其与电感器耦合以形成可调谐网络的技术构思。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开“共用器”或任何类型的双工器/滤波器结构，更未公开由电感器和变抗器组合形成的“可调谐共用器”。目标专利的可调谐共用器用于处理载波聚集系统中的信号，具有特定的滤波和陷波功能。对比文件的技术领域和发明目的（低成本制造通孔）完全不同，未涉及此类射频电路。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 如上所述，对比文件未公开“变抗器”。因此，更不可能公开变抗器的具体类型（如SOG变抗器）。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 <br> **隐含公开** | [0020] ...the substrate 302 is a glass substrate and the through via 306 is a through glass via (TGV). | 对比文件明确公开了“穿玻璃通孔”。结合技术特征B的论述，本领域技术人员可以理解，利用这种TGV结构可以形成电感器，即“穿玻通孔(TGV)电感器”。因此，该具体类型的电感器被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开“可调谐共用器”，也未公开由电感器和变抗器构成的“低通(LP)滤波器”。该技术特征依赖于技术特征C和D所描述的元件和整体结构，而这些均未被对比文件公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开“第二层级”内存在“变抗器”，也未公开由多个电感器与变抗器耦合形成的LP滤波器。该技术特征比技术特征G更具体，涉及多个元件的特定组合，均未被对比文件公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件未公开“变抗器”，因此也不可能公开其用于“调节陷波频率”的功能。该功能是目标专利实现可调谐性能的核心，对比文件完全没有涉及。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 <br> **未公开** | 无相关内容。 | 对比文件虽然公开了可以形成电感器，但完全没有描述该电感器被配置用于“控制滤波器的截止频率”。在对比文件的上下文中，电感器仅作为可通过通孔连接的无源器件示例，其具体功能（如用于特定滤波器）未被限定。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 <br> **隐含公开** | [0023] Substrates with through vias manufactured according to the process described above may be integrated into integrated circuits (ICs). | 对比文件公开了采用所述工艺制造的具有通孔的基板可以集成到集成电路(IC)中。本领域技术人员公知，集成电路通常包含半导体管芯。因此，将包含此类基板（或层级）的结构集成到半导体管芯中，是隐含在对比文件公开内容中的常规技术手段。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 <br> **直接公开** | [0025] ...the remote units may be cell phones, hand-held personal communication systems (PCS) units, portable data units such as personal data assistants, fixed location data units such as meter reading equipment, set top boxes, music players, video players, entertainment units, navigation devices, or computers. | 对比文件明确列举了其具有通孔的IC可以应用于多种设备，包括移动电话（cell phones）、便携式计算机（portable computer， 对应portable data units）、机顶盒（set top boxes）、娱乐单元（entertainment units）、导航设备（navigation devices）等，这些设备均包含在目标专利权利要求L所列举的组中。对比文件公开了将IC应用于这些设备，本领域技术人员能够毫无疑义地得出目标专利技术特征L的技术方案。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
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