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对比文件列表
1997-02-14_None_发明专利_JPH0945866A Microwave integrated circuit_+++K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
1997-12-09_US5696471A_发明授权_US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors_+++B_a_f_g_j_k_l+++.docx
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1999-04-23_None_发明专利_JPH11112264A Filter_+++A_C_G_H_I_L_b_d_j+++.docx
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1999-08-06_None_发明专利_JPH11215023A High-frequency composite component_+++a_c_d_g_i_l+++.docx
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2000-08-08_US6100776A_发明授权_US6100776A High-frequency composite transmission section with switch, LC filter, and notch filter_+++A_C_D_I_L_j+++.docx
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2001-01-30_US6180976B_发明授权_US06180976B2 Thin-film capacitors and methods for forming the same_+++k_l+++.docx
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2001-05-18_JP2001136045A_发明专利_JP2001136045A Layered composite electronic component_+++A_B_c_d_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2002-01-11_JP2002008942A_发明专利_JP2002008942A Capacitor device, method of manufacturing the same, and module mounted with the device_+++k_l+++.docx
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2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment_+++B_L_a_f_g+++.docx
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2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor_+++A_K_L+++.docx
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2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method_+++A_L_i+++.docx
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2003-07-22_US6597315B_发明授权_US06597315B2 Antenna_+++a_b_k_l+++.docx
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2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method_+++A_L_a_l+++.docx
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2004-10-07_JP2004281847A_发明专利_JP2004281847A Multilayer composite electronic component_+++A_L+++.docx
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2004-10-07_JP2004281850A_发明专利_JP2004281850A Multilayer composite electronic component_+++a_b_j_l+++.docx
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2005-11-24_JP2005328026A_发明专利_JP2005328026A Thin film device, integrated circuit, electrooptic device, and electronic device_+++L_a+++.docx
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2008-06-12_WO2008069783A_发明申请_WO2008069783A1 TUNING DEVICE WITH DIPLEXER INPUT_+++D_G_K_L_i+++.docx
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2008-07-17_DE102008003952A_发明专利_DE102008003952A1 Microminiature inverter_+++A_B_k_l+++.docx
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2008-12-04_JP2008544494A_发明专利_JP2008544494A Linear variable voltage diode capacitor and adaptive matching networks_+++E_i_k_l+++.docx
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2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer_+++A_B_l+++.docx
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2009-10-01_WO2009118694A_发明申请_WO2009118694A1 INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT_+++A_B_K_L+++.docx
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2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR_+++B_L_a_k+++.docx
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2010-09-23_WO2010107430A_发明申请_WO2010107430A1 INTEGRATED CIRCUIT INDUCTORS WITH REDUCED MAGNETIC COUPLING_+++k_l+++.docx
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2010-11-18_US2010289126A_发明申请_US20100289126A1 Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Inductor from Prefabricated Pillar Frame_+++K_a_b_l+++.docx
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2011-04-14_WO2011044392A_发明申请_WO2011044392A1 THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER_+++A_B_K_L+++.docx
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2011-04-28_US2011095395A_发明申请_US20110095395A1 Inductors and Methods for Integrated Circuits_+++B_K_l+++.docx
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2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability_+++B_F_L+++.docx
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2012-03-27_US8143952B_发明授权_US08143952B2 Three dimensional inductor and transformer_+++A_B_K_L+++.docx
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2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++B_F_L_a_c_k+++.docx
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2012-03-29_WO2012040063A_发明申请_WO2012040063A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++A_B_F_K_L_c_g_h_i_j+++.docx
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2012-05-10_US2012112853A_发明申请_US20120112853A1 TUNABLE FILTER, TUNABLE DUPLEXER AND MOBILE COMMUNICATION TERMINAL USING THE SAME_+++A_C_D_I_J_L+++.docx
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2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER_+++D_I_K_L_a_c_g_j+++.docx
2026-03-19 23:33
2012-12-04_US8324984B_发明授权_US08324984B2 Variable bandwidth tunable silicon duplexer_+++D_K_l+++.docx
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2013-02-13_EP2556730A_发明公开_EP2556730A1 SELECTIVE PATTERNING FOR LOW COST THROUGH VIAS_+++L+++.docx
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US2011110385A1_Description_20260309_2155_+++K_a_g_j_l+++.docx
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US2011248405A1_Description_20260309_2155_+++B_F_L+++.docx
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WO2012144482A1_Description_20260309_2155_+++a_b_l+++.docx
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2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer_+++A_B_l+++.docx

对比文件名称:2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer

目标专利名称:三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B

本次调用的模型名称:GPT-4

作为资深专利代理师,我将依据目标专利的说明书和权利要求,对对比文件进行严谨的创造性评估。目标专利的核心在于提供一种可调谐的共用器,其通过将至少一个电感器(优选为穿基板通孔电感器)和至少一个变抗器(优选为玻璃上覆硅变抗器)分别设置在三维集成电路(3DIC)的不同层级并电性耦合,从而实现陷波频率等滤波器特性的可调谐,以适配不同的载波聚合方案。对比文件JP2009159328A公开了一种多工器(包括双工器),其采用集中常数型滤波器(使用电感、电容)和分布常数型滤波器(使用通孔导体形成的分布常数线路)的组合,并集成在多层基板(积层体)中,以实现小型化和良好特性。

以下是根据目标专利权利要求严格划分的技术特征比对表格:

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:包括:包括至少一个电感器的第一层级 《直接公开》[2]段落:“この種のマルチプレクサでは、積層体に構成したインダクタやコンデンサを用いて、フィルタ機能や分波機能を実現している。” (在这种多工器中,采用在层压体中构成的电感器和电容器来实现滤波器功能和分波功能。) [2]段落:“図3に示すように、集中定数型の第1フィルタ11は、インダクタL31、L32、L33、L34…を含んで構成される。” (如图3所示,集中常数型的第一滤波器11包括电感L31、L32、L33、L34…构成。) [2]段落:“図5〜図7では…多数の導体パターンが形成され、異なる層の導体パターン同士を接続するために積層方向に貫通する多数のビアホール導体が形成されている。” (在图5~图7中…形成有许多导体图案,为了连接不同层的导体图案,形成有许多在层叠方向贯通的通孔导体。)对比文件明确公开了其多工器/双工器包含电感器(如L31、L32等),并且这些元件是在由多个介电层堆叠而成的“積層体”(层压体)中构成的。层压体本身就是一个具有多个层级的三维结构,其中形成有电感器等元件。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,构成层压体的不同介电层及其上形成的元件(如电感器)共同形成了该电路的“层级”结构。因此,对比文件直接公开了“包括至少一个电感器的第一层级”这一技术特征。
**技术特征B**:其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 《直接公开》[2]段落:“本実施形態では、上述のインダクタ導体Lc、Ld、Le、Lfを主にビアホール導体を用いて形成することで…” (在本实施方式中,上述的电感导体Lc、Ld、Le、Lf主要通过使用通孔导体来形成…) [2]段落:“インダクタ導体Lcは、積層方向がビアホール導体61a、61b、61c、61d、61eにより連結されるとともに、各層の平面方向に付加された導体パターン88a、88b、88c、88dを含んで構成される。” (电感导体Lc,通过在层叠方向由通孔导体61a、61b、61c、61d、61e连接,并且包括在各层的平面方向上附加的导体图案88a、88b、88c、88d而构成。)对比文件详细描述了其分布常数型滤波器中使用的“インダクタ導体”(电感导体,如Lc, Ld)是通过在层叠方向贯通的“ビアホール導体”(通孔导体)串联并结合平面导体图案构成的。这种利用垂直贯穿多层基板的通孔导体来形成电感器结构的方式,本质上就是“穿基板通孔电感器”。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级, 《未公开》[2]段落:“集中定数型の第1フィルタ11は、インダクタL31、L32、L33、L34と、コンデンサC31、C32、C33、C34、C35を含んで構成される。” (集中常数型的第一滤波器11包括电感L31、L32、L33、L34和电容器C31、C32、C33、C34、C35构成。) [2]段落:“分布定数型の第2フィルタ12は、コンデンサC41、C42、C43、C44、C45と、インダクタL41と、分布定数線路としてのインダクタ導体Lc、Ldを含み…” (分布常数型的第二滤波器12包括电容器C41、C42、C43、C44、C45和电感L41,以及作为分布常数线路的电感导体Lc、Ld…)对比文件在整个说明书中,所有滤波器使用的电容性元件均为固定电容器(例如C31-C35, C41-C45等),其电容值是固定的。目标专利明确要求使用“变抗器”,即可变电容器,其电容值能够被调节以改变滤波器特性。对比文件完全没有公开任何可变电容元件(变抗器),也没有暗示使用此类元件。因此,技术特征C未被对比文件公开。
**技术特征D**:所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 《未公开》无相应内容。由于对比文件未公开“变抗器”(技术特征C),其滤波器由固定的电感和电容构成,形成的共用器(双工器)的频率响应(如陷波频率、截止频率)是固定不可调的。目标专利的“可调谐共用器”的核心在于通过变抗器等可变元件实现频率特性的调谐。对比文件未公开此特征。
**技术特征E**:其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 《未公开》无相应内容。对比文件未公开任何变抗器,更未提及特定类型的“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。
**技术特征F**:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 《未公开》[2]段落:“積層体20は、導体パターンを形成した多数の誘電体層(15層)を積層して形成される。” (层压体20是通过层叠形成有导体图案的多个介电层(15层)而形成的。)对比文件公开了使用通孔导体在多层“誘電体層”(介电层)中形成电感器。虽然其实质上是一种“穿基板通孔电感器”(技术特征B),但对比文件并未限定介电层(基板)的材料是玻璃。目标专利特别强调的“穿玻通孔(TGV)电感器”是穿玻璃基板通孔的特化结构。对比文件未明确公开基板为玻璃,也未使用TGV这一特定术语,因此该特征未被直接或隐含公开。
**技术特征G**:其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 《未公开》[2]段落:“図1は…共通端子T0と低周波数側端子T1の間に配置された集中定数型ローパスフィルタ1と…” (图1显示了…配置在公共端子T0和低频侧端子T1之间的集中常数型低通滤波器1…)对比文件确实公开了包含低通滤波器(LPF)的双工器结构。然而,目标专利的此特征限定了该LP滤波器是由“所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器”形成的,并且是“可调谐共用器内”的。由于对比文件的LP滤波器由固定电感和固定电容构成(见图1的L11, C11-C13),且其整体共用器不可调谐,因此该特征未被公开。
**技术特征H**:其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 《未公开》无相应内容。对比文件未公开“第二变抗器”,也未公开由可变电容(变抗器)和多个电感器在3DIC的不同层级耦合形成的可调谐LP滤波器。
**技术特征I**:其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 《未公开》无相应内容。调节陷波频率是可调谐共用器的核心功能,这依赖于变抗器等可变元件。对比文件的滤波器使用固定元件,其陷波频率在设计时已确定,无法调节。因此该特征未被公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 《未公开》无相应内容。目标专利说明书中提到电感器(如第二HP电容器26和HP电感器30定义了通带的截止频率,见说明书[0016]段)。但此权利要求特征将“穿基板通孔电感器”的功能限定为“控制…滤波器的截止频率”。在对比文件中,穿基板通孔电感器(如Lc, Ld)是作为分布常数型滤波器的一部分,用于实现特定频带的滤波功能,其本身在固定电路中的角色是确定固定的频率响应,而非用于“控制”或动态调节截止频率。该特征未被公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 《未公开》[2]段落:“積層体20は、導体パターンを形成した多数の誘電体層(15層)を積層して形成される。”对比文件描述的结构是“積層体”(层压体),这是一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)或类似技术的多层组件,通常与“半导体管芯”是不同的集成技术路径。目标专利明确要求是“三维集成电路(3DIC)”并“集成到半导体管芯中”,这通常涉及硅基工艺、晶圆堆叠等半导体制造技术。对比文件的结构更偏向于无源集成组件(IPD)或模块,而非单片集成的半导体管芯。因此,该特征未被公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 《隐含公开》[2]段落:“本発明は、携帯機器において複数の周波数帯域の送受信を行うために搭載されるマルチプレクサに関するものである。” (本发明涉及一种搭载于便携设备中以进行多个频带收发的多工器。)对比文件明确说明其多工器用于“携帯機器”(便携设备)。虽然其未具体列出目标专利权利要求中那样详尽的设备清单,但“便携设备”是一个上位概念,可以涵盖清单中的“移动电话、蜂窝电话、通信设备、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、音乐播放器、便携式音乐播放器”等具体下位概念。本领域技术人员能够从“用于便携设备”这一公开内容中,合理地推断出该多工器可以应用于这些具体的便携式电子设备中。因此,该特征被对比文件隐含公开。

### 结论

综上所述,对比文件JP2009159328A直接公开了技术特征A和B,隐含公开了技术特征L。其未公开目标专利的核心发明点——使用**变抗器**在**三维集成电路(3DIC)** 中构成**可调谐**共用器(涉及技术特征C、D、E、G、H、I),也未公开特定的TGV电感器(特征F)、半导体管芯集成(特征K)等限定特征。技术特征J未被公开。

<<<A>>><<<B>>><<<l>>>

权利要求与技术特征
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