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对比文件列表
1997-02-14_None_发明专利_JPH0945866A Microwave integrated circuit_+++K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
1997-12-09_US5696471A_发明授权_US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors_+++B_a_f_g_j_k_l+++.docx
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1999-04-23_None_发明专利_JPH11112264A Filter_+++A_C_G_H_I_L_b_d_j+++.docx
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1999-08-06_None_发明专利_JPH11215023A High-frequency composite component_+++a_c_d_g_i_l+++.docx
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2000-08-08_US6100776A_发明授权_US6100776A High-frequency composite transmission section with switch, LC filter, and notch filter_+++A_C_D_I_L_j+++.docx
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2001-01-30_US6180976B_发明授权_US06180976B2 Thin-film capacitors and methods for forming the same_+++k_l+++.docx
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2001-05-18_JP2001136045A_发明专利_JP2001136045A Layered composite electronic component_+++A_B_c_d_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2002-01-11_JP2002008942A_发明专利_JP2002008942A Capacitor device, method of manufacturing the same, and module mounted with the device_+++k_l+++.docx
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2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment_+++B_L_a_f_g+++.docx
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2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor_+++A_K_L+++.docx
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2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method_+++A_L_i+++.docx
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2003-07-22_US6597315B_发明授权_US06597315B2 Antenna_+++a_b_k_l+++.docx
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2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method_+++A_L_a_l+++.docx
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2004-10-07_JP2004281847A_发明专利_JP2004281847A Multilayer composite electronic component_+++A_L+++.docx
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2004-10-07_JP2004281850A_发明专利_JP2004281850A Multilayer composite electronic component_+++a_b_j_l+++.docx
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2005-11-24_JP2005328026A_发明专利_JP2005328026A Thin film device, integrated circuit, electrooptic device, and electronic device_+++L_a+++.docx
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2008-06-12_WO2008069783A_发明申请_WO2008069783A1 TUNING DEVICE WITH DIPLEXER INPUT_+++D_G_K_L_i+++.docx
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2008-07-17_DE102008003952A_发明专利_DE102008003952A1 Microminiature inverter_+++A_B_k_l+++.docx
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2008-12-04_JP2008544494A_发明专利_JP2008544494A Linear variable voltage diode capacitor and adaptive matching networks_+++E_i_k_l+++.docx
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2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer_+++A_B_l+++.docx
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2009-10-01_WO2009118694A_发明申请_WO2009118694A1 INTEGRATED 3D HIGH DENSITY AND HIGH QUALITY INDUCTIVE ELEMENT_+++A_B_K_L+++.docx
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2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR_+++B_L_a_k+++.docx
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2010-09-23_WO2010107430A_发明申请_WO2010107430A1 INTEGRATED CIRCUIT INDUCTORS WITH REDUCED MAGNETIC COUPLING_+++k_l+++.docx
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2010-11-18_US2010289126A_发明申请_US20100289126A1 Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Inductor from Prefabricated Pillar Frame_+++K_a_b_l+++.docx
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2011-04-14_WO2011044392A_发明申请_WO2011044392A1 THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER_+++A_B_K_L+++.docx
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2011-04-28_US2011095395A_发明申请_US20110095395A1 Inductors and Methods for Integrated Circuits_+++B_K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability_+++B_F_L+++.docx
2026-03-19 23:33
2012-03-27_US8143952B_发明授权_US08143952B2 Three dimensional inductor and transformer_+++A_B_K_L+++.docx
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2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++B_F_L_a_c_k+++.docx
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2012-03-29_WO2012040063A_发明申请_WO2012040063A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++A_B_F_K_L_c_g_h_i_j+++.docx
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2012-05-10_US2012112853A_发明申请_US20120112853A1 TUNABLE FILTER, TUNABLE DUPLEXER AND MOBILE COMMUNICATION TERMINAL USING THE SAME_+++A_C_D_I_J_L+++.docx
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2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER_+++D_I_K_L_a_c_g_j+++.docx
2026-03-19 23:33
2012-12-04_US8324984B_发明授权_US08324984B2 Variable bandwidth tunable silicon duplexer_+++D_K_l+++.docx
2026-03-19 23:33
2013-02-13_EP2556730A_发明公开_EP2556730A1 SELECTIVE PATTERNING FOR LOW COST THROUGH VIAS_+++L+++.docx
2026-03-19 23:33
US2011110385A1_Description_20260309_2155_+++K_a_g_j_l+++.docx
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US2011248405A1_Description_20260309_2155_+++B_F_L+++.docx
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WO2012144482A1_Description_20260309_2155_+++a_b_l+++.docx
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2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method_+++A_L_a_l+++.docx

好的,作为一名资深专利代理师,我将根据您提供的目标专利、权利要求以及对比文件,进行严格的专利创造性评估。

**本次评估信息:**

- **对比文件名称:** 2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method

- **目标专利名称:** 三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B

- **模型名称:** 专利创造性评估专家模型

在进行特征比对前,我先对技术方案的整体进行简要分析:

- **目标专利**:核心在于一种**三维堆叠(3DIC)** 结构,其中**第一层级**包含电感器(优选为穿基板通孔电感器如TGV),**第二层级**包含变抗器(优选为SOG变抗器),二者**耦合形成可调谐共用器**。其目的是在节省空间的同时,利用高Q值的三维元件实现频率可调的共用器,以适配不同运营商的载波聚合方案。

- **对比文件**:涉及一种用于多频带(如日本和亚洲)CDMA通信的双工器(デュプレクサ)。其核心是通过**开关电路切换两个可调滤波器**的连接关系(接发射电路或接收电路),并结合**改变滤波器内可变电容的容值**,来切换高低频段的收发配置,从而实现国际漫游。其滤波器采用**层压体(積層体)** 结构,内部有带状线(ストリップ線路)作为电感,并外接或集成可变电容芯片。

**关键区别**:目标专利的核心是**三维堆叠的层级化结构**(电感层、变抗器层)以形成**可调谐共用器**;而对比文件是**平面化的层压体滤波器结构**,并通过**开关切换滤波器通路**来实现双工器在不同频段配置下的工作。两者解决的技术问题(可调谐 vs. 通路切换)、技术手段(3D堆叠独立元件 vs. 平面集成可调滤波器)和达到的效果(单一可调谐共用器 vs. 可切换配置的双工器)均存在本质差异。

以下是根据目标专利权利要求的划分进行的详细特征比对。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:包括至少一个电感器的第一层级<br>**判断结果:未公开**说明书【0020】-【0027】段,特别是图2和图3,描述了フィルタ回路(滤波器电路)4的结构。其中,第1和第2滤波器(4a, 4b)由带状线(ストリップ線路)51a-51d(起电感作用)和可变电容元件(Ct1-Ct4)等构成的LC谐振电路组成,并形成在层压体(積層体)57的层间(誘電体層57a〜57bとの間)。**未被直接或隐含公开**。对比文件公开的滤波器电路是一个**整体化的层压结构**,其中的电感元件(带状线)和可变电容元件(芯片部件)**集成在同一模块(层压体)的不同层内**,并未将其划分为一个独立的“包括至少一个电感器的第一层级”和另一个独立的“第二层级”。本领域技术人员从该描述中无法毫无疑义地得出或合理推断出目标专利中明确区分的、可独立存在的“第一层级”和“第二层级”的三维堆叠(3DIC)结构。两者在结构布局上存在根本差异。
**技术特征B**:,其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>**判断结果:未公开**说明书【0025】段提及:“誘電体層57a〜57cが積層された積層体57の層間にストリップ線路51a〜51dを形成する構成をとる”。即,在层压电介质层的层间形成带状线。**未被直接或隐含公开**。对比文件中明确公开的电感元件是形成在**层压电介质层之间**的**平面式带状线(ストリップ線路)**。而目标专利的“穿基板通孔(TSV)电感器”(特别是TGV电感器)是一种**垂直贯穿基板**的立体结构,其制造工艺、结构形态和电学特性(如高Q值)与平面带状线有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件的平面带状线结构推理出目标专利的穿基板通孔电感器。
**技术特征C**:包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级,<br>**判断结果:未公开**说明书【0022】-【0023】、【0026】段描述了可变容量素子(可変容量素子)Ct1-Ct4作为芯片部件(チップ部品)実装在层压体表面,并通过连接电极与内部的带状线(电感)连接,共同构成可调谐的LC谐振电路。**未被直接或隐含公开**。虽然对比文件公开了可变电容元件(可视为变抗器的一种)与电感元件(带状线)耦合形成可调电路,但这些元件**均位于同一层压体模块内**,并未被设置在一个独立的“第二层级”中。目标专利所要求的“第二层级”是与“第一层级”在三维空间上堆叠的独立层级,对比文件未公开此种层级划分。
**技术特征D**:所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。<br>**判断结果:未公开**说明书全文,特别是图1、4,描述了由滤波器4a、4b和开关电路6组成的双工器(デュプレクサ)10,其通过改变滤波器内可变电容和切换开关,使设备能工作于两种不同的频带配置模式。**未被直接或隐含公开**。1. **组件构成不同**:对比文件的“可调谐”功能是通过**改变LC滤波器中的电容值**实现的,而目标专利的“可调谐共用器”是通过**包含变抗器的特定滤波器网络**(如高通、低通滤波器)实现的。2. **器件类型不同**:对比文件描述的是**双工器(Duplexer)**,用于在同一频段内分离发射和接收信号;而目标专利是**共用器(Diplexer)**,用于分离或合并两个不同频段的信号。两者的电路结构、功能和应用场景不同。本领域技术人员不能从对比文件的双工器结构毫无疑义地得出或合理推断出目标专利的可调谐共用器。
**技术特征E**:其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。<br>**判断结果:未公开**说明书【0023】、【0026】段仅提及“可変容量素子Ct1〜Ct4”,未指定其具体类型或材料结构。**未被直接或隐含公开**。对比文件仅泛泛提及“可变电容元件”,未公开任何关于“玻璃上覆硅(SOG)”这一特定类型变抗器的内容。SOG变抗器是目标专利说明书【0045】段强调的一种高性能变抗器类型,具有特定结构。本领域技术人员无法从对比文件的一般性描述中推理出SOG变抗器。
**技术特征F**:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。<br>**判断结果:未公开**参见特征B的引用,对比文件公开的是平面带状线电感。**未被直接或隐含公开**。理由同特征B。对比文件完全没有提及“穿玻通孔(TGV)”这一具体技术。TGV电感器是目标专利为实现高Q值而采用的特定技术(见说明书【0044】段),对比文件未给出任何相关教导或启示。
**技术特征G**:其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。<br>**判断结果:未公开**说明书【0021】段描述滤波器4a、4b通过带状线等构成“所定通過帯域を有するフィルタ特性”,结合图4可知其用于选择特定通信频带,具有带通特性。**未被直接或隐含公开**。对比文件中的滤波器(4a, 4b)是为了在特定频带(如日本的发送频带fa)内通过信号并阻止其他频带,其特性更接近于**带通滤波器**,而非目标专利权利要求中明确限定的**低通(LP)滤波器**。两者滤波特性不同。
**技术特征H**:其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。<br>**判断结果:未公开**对比文件图1、2显示有两个滤波器(4a, 4b),每个都包含电感(带状线)和可变电容。但它们是两个独立且结构相似的滤波器,用于处理不同通路(发送/接收)的信号。**未被直接或隐含公开**。1. **结构关系不同**:目标专利的特征H明确限定了“第二层级内的第二变抗器”耦合到“第一层级中的多个第二电感器”,强调了跨层级的耦合关系。对比文件中的两个滤波器(4a, 4b)及其内部元件均**集成在同一个层压体结构内**,不存在明确的“第一层级”和“第二层级”的划分,更不存在一个层级的变抗器专门耦合到另一个层级的多个电感器以形成特定滤波器的技术构思。2. **功能目的不同**:对比文件的两个滤波器是用于构成双工器的两个通道(一发一收),而目标专利的LP滤波器是共用器内部的一个滤波支路。本领域技术人员无法从对比文件推理出此特定技术特征。
**技术特征I**:其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。<br>**判断结果:未公开**说明书【0023】段:“可変容量素子Ct1〜Ct4の容量成分の可変により共振周波数を可変させることができる”。即,通过改变可变电容的容量可以改变谐振频率。结合全文,目的是改变滤波器的通带频率以适应不同国家的频段。**未被直接或隐含公开**。对比文件中可变电容的作用是**调节滤波器的谐振频率,从而改变其通带频率**,以适配日本或亚洲的通信频段(参见图4)。而目标专利中变抗器的作用是**调节共用器内滤波器的陷波频率(notch frequency)**,以抑制特定谐波(参见说明书【0037】、【0042】段)。两者调节的对象(通带 vs. 陷波)和目的(频段适配 vs. 谐波抑制)不同。
**技术特征J**:其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。<br>**判断结果:未公开**参见特征B和G的论述。对比文件中的电感(带状线)是构成LC谐振回路以确定滤波器中心频率/通带的元件之一。**未被直接或隐含公开**。首先,对比文件未公开“穿基板通孔电感器”。其次,对比文件中的电感作为谐振元件的一部分,其作用是与电容共同决定滤波器的**谐振频率/通带**,而非专门用于“控制滤波器的截止频率”。目标专利说明书【0010】、【0037】段指出,特定电感(如第二HP电容器26和第三LP电感器36)用于“帮助定义了通带的截止频率的陡度”,这是一种特定设计下的功能。对比文件没有公开或暗示电感器被配置用于此特定目的。
**技术特征K**:其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中。<br>**判断结果:未公开**说明书【0025】-【0027】段描述了滤波器电路采用层压体(積層体)结构,材料为诱电体层(誘電体層,即电介质层),例如陶瓷材料。**未被直接或隐含公开**。对比文件明确公开的集成结构是**层压陶瓷介质模块**(積層体),这是一种无源集成器件技术。而目标专利的“三维集成电路(3DIC)”并“集成到半导体管芯中”,强调的是**有源半导体工艺制造的管芯的堆叠集成**(参见说明书【0046】-【0053】段关于基板转移和管芯堆叠的实施例)。两者采用的集成技术和材料平台(陶瓷介质 vs. 半导体)完全不同。
**技术特征L**:其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。<br>**判断结果:未公开**说明书【0001】段:“携帯電話、特にマルチバンド携帯電話に用いる通信制御方法に関する”。即,涉及用于移动电话,特别是多频带移动电话的通信控制方法。**未被直接或隐含公开**。对比文件仅明确公开了其技术应用于“移动电话(携帯電話)”。虽然移动电话属于目标专利列举设备列表中的一项(“移动电话、蜂窝电话”),但目标专利的权利要求L是一个**封闭式列举**(“集成到从下组中选择的设备”),要求保护范围覆盖该列表中的所有设备类型。对比文件仅公开了其中一种应用场景(移动电话),并未公开或暗示可以毫无疑义地或通过合理推断应用于列表中的所有其他具体设备(如机顶盒、电视机、DVD播放器等)。因此,该特征作为一个整体未被对比文件公开。

### 结论

综上所述,经过逐一比对和严谨分析,对比文件(JP2003258675A)**没有直接公开**目标专利权利要求中的任何技术特征(A-L)。同时,基于本领域技术人员的知识,从对比文件公开的内容中也**无法合理推断(隐含公开)** 出上述任一技术特征。对比文件涉及的是通过开关切换和可调LC滤波器来实现双工器频段重构的方案,其技术构思、具体结构(平面层压 vs. 3D堆叠)、核心元件(平面带状线电感 vs. 穿基板通孔电感;通用可变电容 vs. SOG变抗器)以及所解决的具体问题(国际漫游的双工器配置切换 vs. 载波聚合的可调谐共用器)均与目标专利存在显著差异。

因此,根据评估规则,本次评估不在回答结尾插入任何公开性代码(<<<A>>>至<<<L>>>或<<<a>>>至<<<l>>>)。

权利要求与技术特征
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