对比文件名称：2012-12-04_US8324984B_发明授权_US08324984B2 Variable bandwidth tunable silicon duplexer
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：<br>包括至少一个电感器的第一层级<br>《未公开》 | 无相应引用 | 对比文件公开的是一种在单个集成电路芯片上实现的可调谐双工器。其说明书[0030]段描述“The tunable duplexer is fabricated substantially on a single integrated circuit chip.”。虽然其中必然包含电感元件（如附图3、4中的电感器315， 316），但对比文件并未将这些元件描述为位于一个独立的“第一层级”中。整个电路是平面集成在同一芯片基板上的，没有公开将电感器与其他元件（如变抗器）分置于不同堆叠层级的3DIC结构。因此，该特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>《未公开》 | 无相应引用 | 对比文件未提及“穿基板通孔电感器”。其电感器（如附图3、4中的电感器315, 316）是常规的片上电感器或可能为外接电感器（说明书[0035]段：“The inductors 315 and 316 in filter blocks 306 and 308 may be on-chip or off-chip.”），并未描述其是通过在基板（如玻璃）中形成通孔导电结构来实现的。因此，该特定结构的电感器未被公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，<br>《未公开》 | 无相应引用 | 对比文件公开了使用变抗器（varactor）来调谐滤波器（说明书[0030]段：“The duplexer circuit contains tunable bandpass filters which are tuned electronically by varying the capacitance of tank circuits using on-chip or off-chip varactors.”）。然而，这些变抗器被集成在滤波器电路中（如附图3、4中的变抗器），并未被描述为位于一个独立于电感器所在层级的“第二层级”。整个双工器是制作在单个芯片上的，不存在明确的“第二层级”概念。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。<br>《直接公开》 | 说明书[0016]段：“The present invention is a duplexer circuit...”；[0017]段：“The duplexer circuit of an embodiment of this invention is tunable...”；[0030]段：“FIG. 1 shows an embodiment of the tunable duplexer 100 comprising of two varactor-tuned bandpass filters (BPFs)...”；附图3、4显示了包含电感器和变抗器的滤波器电路。 | 对比文件的核心发明就是一种可调谐双工器（duplexer，即共用器）。其明确公开了由电感器和变抗器共同构成的调谐电路（例如，附图3、4中的滤波器模块306, 308），这些元件结合在一起形成了可调谐的双工器。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。<br>《未公开》 | 无相应引用 | 对比文件提到了变抗器可以是集成的（on-chip），并举例说明了可以使用双极晶体管的集电极-基极结来形成变抗器（说明书[0038]段），但完全没有提及“玻璃上覆硅(SOG)”这种特定的变抗器制造工艺或结构。因此，该特定类型的变抗器未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。<br>《未公开》 | 无相应引用 | 如对特征B的论述，对比文件未公开“穿基板通孔电感器”，更未具体公开“穿玻通孔(TGV)电感器”这一特定类型。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。<br>《未公开》 | 说明书[0030]段：“The duplexer circuit contains tunable bandpass filters...”；[0043]段：“The Tx pass band for this example is 824 to 829 MHz and the Tx stop band is 869 to 894 MHz. The Rx pass band is 869 to 874 MHz and the Rx stop band is 824 to 829 MHz.” | 对比文件中的可调谐双工器包含的是两个可调谐带通滤波器（BPF），分别用于发射和接收路径。其工作频率范围如[0043]段所示，是相邻的频带，通过带通滤波实现隔离。目标专利权利要求中的“低通(LP)滤波器”是共用器中的一种特定滤波器类型，与对比文件公开的带通滤波器在电路结构、功能和频率特性上均不相同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。<br>《未公开》 | 无相应引用 | 基于对特征A、C、G的论述，对比文件既未公开分层的“第一层级”、“第二层级”结构，也未公开由特定电感和变抗器组合形成的“LP滤波器”。因此，该进一步限定的特征也未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。<br>《未公开》 | 说明书[0020]段：“To achieve the required channel selectivity and the required filter performance, the center frequency, the pass band and the stop band are tunable.”；[0021]段：“...the bandpass filter can be tuned to one narrow band channel...”；[0034]段：“...the calibration circuit 120 tunes each of the filters 110 and 115 by controlling the voltage to the varactors of filters 110 and 115. The filters 110 and 115 have tunable center frequencies and tunable pass band and stop band bandwidths.” | 对比文件明确公开了通过变抗器调节滤波器的中心频率、通带和阻带（stop band）。阻带通常通过传输零点（陷波）来实现，调节阻带带宽和位置实质上包含了调节陷波频率。然而，目标专利说明书[0043]-[0045]段和图2A、2B描述的“陷波”特指由特定LC元件（如第三HP变抗器108和HP电感器110）定义的、用于消除谐波的带阻频率。对比文件调节的是带通滤波器的整体响应（中心频率、带宽），其调节目的和具体电路实现方式（带通滤波器级联）与目标专利中明确限定的“调节共用器内滤波器的陷波频率”在技术手段和作用上并不完全相同。作为严谨判断，本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出与本特征完全相同的技术方案。但考虑到对比文件公开了调谐阻带（可能包含陷波），存在隐含公开的可能性。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。<br>《未公开》 | 无相应引用 | 对比文件未公开“穿基板通孔电感器”。虽然电感器是滤波器的重要组成部分，其值会影响频率响应（包括截止频率），但对比文件并未具体描述或暗示其电感器被特别配置用于“控制滤波器的截止频率”。更重要的是，目标专利中的该特征是与“穿基板通孔电感器”这一特定结构结合在一起的，而该结构本身未被公开。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。<br>《直接公开》 | 说明书[0017]段：“The duplexer circuit of an embodiment of this invention is tunable and can be implemented on a single silicon chip.”；[0030]段：“The tunable duplexer is fabricated substantially on a single integrated circuit chip.” | 对比文件明确公开了其可调谐双工器可以实现在单个硅芯片/集成电路芯片上。这等同于公开了将电路集成到半导体管芯中。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。<br>《隐含公开》 | 说明书[0016]段：“The present invention is a duplexer circuit that can be used in applications requiring a single antenna port and communicate in full or half duplex mode. Examples include AMPS, GSM, CDMA and PCS cellular phones.” | 对比文件明确列举了其双工器可用于蜂窝电话（cellular phones）。蜂窝电话属于目标专利权利要求中列举的设备“移动电话、蜂窝电话”的范畴。虽然对比文件未明确列出所有其他设备，但本领域技术人员知晓，双工器/共用器是无线通信设备（如手机）中的关键射频前端部件。因此，可以合理推断出该双工器电路可以集成到包含无线通信功能的设备中，例如导航设备、移动数据单元等。考虑到隐含公开判断标准宽松，可以认为对比文件隐含公开了将该集成电路集成到“蜂窝电话”这一具体设备中，从而落入权利要求L的范围内。 |
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