**对比文件名称**：2000-03-03_JP2000068399A_发明专利_JP2000068399A Semiconductor device
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：基板**<br>《直接公开》 | 【0003】“ガラスエポキシ等の樹脂基板８がパッケージ基板として用いられる。”（玻璃环氧树脂等树脂基板8被用作封装基板。） | 对比文件明确公开了其半导体装置包含树脂基板（基板8）。该基板是封装的核心结构部件，用于支撑芯片、布线和互连，其作用与本专利中作为封装载体和结构支撑的基板相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《直接公开》 | 【0005】“本発明のＢＧＡ型半導体装置は、樹脂基板底面に凹部を形成し...”<br>【0006】“本実施例のＢＧＡ型半導体装置は、ランドおよびバンプ６部分が樹脂基板８底面の凹部８ａ内に形成されている...” | 对比文件明确公开了在树脂基板的底面（即一个表面）形成凹部（8a）。该凹部用于容纳焊球（バンプ），其作用与本专利中在第一表面形成凹陷以容纳互连、降低封装高度的目的相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**<br>《直接公开》 | 【0003】“樹脂基板表面の配線リード７と底面ランドとは、スルーホール５を介して接続されており...”（树脂基板表面的布线引线7与底面焊盘通过通孔5连接...） | 对比文件公开了通孔（スルーホール5），用于连接基板表面与底面。通孔必然延伸穿过基板体。由于凹部（8a）是形成在基板底面的局部凹陷，通孔穿过的基板主体部分属于“非凹陷部分”。其作用是实现基板两侧的电连接，与本专利中穿基板通孔的连接作用一致。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《直接公开》 | 【0003】“樹脂基板表面の配線リード７と底面ランドとは、スルーホール５を介して接続されており...”<br>结合图1(a)和【0006】可知，通孔5连接到底面凹部8a内的焊盘（ランド），因此通孔在底面（即第一表面）的末端必然位于或紧邻凹部8a的区域。 | 对比文件公开了通孔（5）连接至底面凹部（8a）内的焊盘。这意味着通孔在基板底面（即第一表面）的末端位于该凹陷内或其紧邻区域。该末端位置是实现与凹部内互连（焊球）电连接的必要结构，其作用与本专利中通孔端部位于凹陷附近以实现与凹陷内互连的电连接相同。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何电感器结构，也未描述任何通孔之间通过基板另一表面的导体进行耦合以形成特定功能的无源器件（如电感器）。 | 本专利的核心改进点之一是形成嵌入式电感器，这是实现无源器件集成（PoP）的关键。对比文件仅公开了通孔用于实现芯片与外部焊球之间的常规垂直互连，没有任何教导或暗示将通孔对通过表面导体连接以形成电感线圈结构。该技术特征在对比文件中既无文字记载，也无法从公开内容中合理推断得出。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《直接公开》 | 【0006】“ランドおよびバンプ６部分が樹脂基板８底面の凹部８ａ内に形成されている。”（焊盘以及焊球6部分形成在树脂基板8底面的凹部8a内。） | 对比文件明确公开了焊球（バンプ6）被形成并容纳在基板底面的凹部（8a）内。焊球作为外部互连结构，其作用与本专利中设置在第一凹陷内的第一互连（如焊球）相同，均用于与外部电路板进行电连接和机械连接。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G：在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一**<br>《隐含公开》 | 【0003】“樹脂基板８上には配線リード７が形成され、また、...樹脂基板表面の配線リード７と底面ランドとは、スルーホール５を介して接続されており、各ランド上には半田ボールからなるバンプ６が形成されている。”（在树脂基板8上形成有布线引线7，并且...树脂基板表面的布线引线7与底面焊盘通过通孔5连接，在各焊盘上形成有焊料球构成的焊球6。） | 对比文件公开了基板表面有“配線リード7”（布线引线）。该布线引线层用于将芯片的电极重新分布并连接至通孔（5），进而连接至底面焊盘和焊球（6）。虽然未明确使用“重分布层（RDL）”一词，但“布线引线”层实质上执行了将芯片信号重新分配并连接至通孔/互连的功能，这符合本领域对重分布层的常规理解和作用。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地认识到对比文件公开了位于基板表面的布线层（即重分布层），其将互连（焊球6）通过焊盘和通孔（5）电耦合起来。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何电容器结构，也未提及“第二穿基板通孔”或任何专门用于连接电容器的、长度不同的通孔。 | 本专利明确限定了包括毗邻第二表面的电容器，并通过第二穿基板通孔电耦合。对比文件仅涉及常规的半导体封装互连结构，完全不涉及在基板上集成无源电容器器件，也没有公开任何与第一穿基板通孔长度不同的“第二穿基板通孔”。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何电感器结构。 | 由于作为前提的“嵌入式电感器”（技术特征E）未被公开，因此构成该电感器的具体组件（至少两个第一穿基板通孔）自然也未被公开。技术特征I依附于技术特征E，未被独立公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何电感器结构。 | 同上，技术特征J依附于技术特征E，在对比文件中未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 【0003】“ガラスエポキシ等の樹脂基板８...”（玻璃环氧树脂等树脂基板8...） | 对比文件明确其基板是“玻璃环氧树脂等树脂基板”，这是一种复合材料（有机树脂与玻璃纤维复合），并非本专利权利要求K中明确限定的“玻璃基板”（通常指纯玻璃或玻璃材料为主的基板）。尽管第一互连（焊球）被公开，但基板材料的限定未被满足。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱**<br>《未公开》 | 对比文件公开的基板是树脂基板，不是半导体基板；公开的互连是焊球（半田ボール），不是金属柱。 | 对比文件未公开“半导体基板”，也未公开“金属柱”作为互连。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《直接公开》 | 【0003】“ガラスエポキシ等の樹脂基板８...”（玻璃环氧树脂等树脂基板8...）<br>【0006】“...バンプ６...”（...焊球6...） | 对比文件公开的“树脂基板”属于有机基板的一种常见类型。同时，公开了“焊球”（バンプ6）作为互连。因此，技术特征M中关于“有机基板”和“焊球”的两个限定均被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《直接公开》 | 同技术特征M的引用。 | 技术特征N与技术特征M的文字表述完全一致。基于相同理由，其关于“有机基板”和“焊球”的两个限定均被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《直接公开》 | 【0006】及图1(b)显示了基板底面上形成有多个独立的凹部（8a）。 | 对比文件图1(b)的底面图和文字描述均表明，基板底面（第一表面）上形成了多个用于容纳焊球的凹部（8a）。这些凹部在结构和作用上与本专利的“凹陷”相同。存在多个凹部即意味着除了“第一凹陷”外，必然存在至少一个“第二凹陷”。因此，技术特征O被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球**<br>《未公开》 | 对比文件公开的所有焊球（バンプ6）均通过焊盘、通孔和布线引线7与芯片1电连接（见【0003】），均具有电连接功能。 | 本专利明确限定了第二互连“仅具有机械功能”的焊球。对比文件中公开的所有焊球都是电互连的一部分，用于传输电信号/电力，没有任何一个焊球被描述或暗示为仅用于机械紧固而无电学功能。因此，技术特征P未被公开。 |
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