**对比文件名称：** 2004-07-22_JP2004207542A_发明专利_JP2004207542A Package for storing light emitting element and light emitting device
**目标专利名称：** 具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
**本次调用模型名称：** GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** | 【００１８】 本発明の絶縁基体１はセラミックスや樹脂から成り...略直方体の箱状であり... | 对比文件明确公开了其发光元件收纳用封装包括“絶縁基体１”，即一个绝缘基体。该基体是封装的结构主体，其作用是为发光元件等提供支撑和电连接基础，与目标专利中作为封装结构主体和功能载体的“基板”作用相同。因此，技术特征A被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** | 【００１８】 ...この上面の中央部に発光素子３を収容するための凹部４が形成されている。 | 对比文件明确公开了在绝缘基体1的“上面”（第一表面）中央部形成有用于容纳发光元件3的“凹部４”。虽然该凹部用于容纳有源发光元件，而目标专利的凹陷用于容纳无源互连结构（如焊球），但二者在结构上均为基板表面的凹陷。因此，技术特征B被对比文件**直接公开**。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，** | 未公开。对比文件未描述任何延伸穿过基板（绝缘基体）的通孔结构。其导电通路（配线层5a, 5b）是通过在多层绝缘层叠压前印刷金属浆料，并在烧结后形成的内部导电路径（参见【００２１】、【００２２】），并非在成型基板上钻孔形成的“穿基板通孔”。 | 对比文件中未记载“穿基板通孔”这一结构。其实现电连接的方式是通过在层叠的陶瓷生片上印刷导体图案，然后共同烧结形成内埋导线（配线层）。这与目标专利中明确限定为“延伸穿过所述基板”的“穿基板通孔”在结构、形成工艺和作用（形成三维电感线圈的一部分）上均不相同。因此，技术特征C**未被公开**。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** | 未公开。由于技术特征C（穿基板通孔）未被公开，其端部位置自然也未被公开。 | 由于对比文件未公开“穿基板通孔”，因此更不可能公开这些通孔在第一表面、且毗邻凹陷的端部。因此，技术特征D**未被公开**。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** | 未公开。对比文件未公开任何电感器结构，也未描述通过基板第二表面上的导体连接两个通孔以形成电感线圈。 | 对比文件涉及的是发光器件封装，其目的是容纳发光元件并实现外部电连接，完全未提及无源器件（如电感器）的集成，更未公开利用穿基板通孔和表面导体形成嵌入式电感器的技术方案。因此，技术特征E**未被公开**。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** | 【００２１】 ...搭載部２には発光ダイオード（ＬＥＤ），半導体レーザ（ＬＤ）等の発光素子３が...導電性接合材により固着され... | 对比文件公开了在凹部4内设置并固定有“发光元件3”。然而，目标专利中的“第一互连”（如焊球、金属柱）是用于将封装电连接到外部电路板（如PCB）的外部连接部件。而对比文件凹部4内的发光元件3是封装所要容纳和驱动的有源功能器件，并非用于与外部电路板互连的部件。两者在封装中的作用和性质完全不同。因此，技术特征F**未被公开**。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。** | 【００１７】 ...凹部４の底面から絶縁基体１の下面にかけて発光素子３の電極が電気的に接続される配線層５ａ，５ｂが形成されている... | 对比文件公开了在基体上形成“配線層5a, 5b”，用于将发光元件3的电极电连接到基体下方的外部连接区域。然而，该“配線層”的作用是实现芯片（发光元件）与外部焊盘（如侧面导体9a, 9b）之间的初步布线，其结构和目的与目标专利中专门用于将**凹陷内的互连件**重新布线并连接到**穿基板通孔**的“重分布层”不同。并且，对比文件没有穿基板通孔，因此其配线层不可能被配置为连接穿基板通孔。因此，技术特征G**未被公开**。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。** | 未公开。对比文件未提及任何电容器结构。 | 对比文件描述的是发光器件封装，其全部内容围绕发光元件的安装和电连接，未集成任何无源电容器组件，也未提及在基板第二表面设置电容器并通过通孔连接。因此，技术特征H**未被公开**。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。** | 未公开。由于技术特征E（嵌入式电感器）未被公开，其具体构成自然也未被公开。 | 对比文件未公开任何电感器结构，因此不可能公开电感器由至少两个穿基板通孔组成。因此，技术特征I**未被公开**。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。** | 未公开。同上，未公开嵌入式电感器。 | 对比文件未公开任何嵌入式电感器，因此不可能公开存在多个嵌入式电感器。因此，技术特征J**未被公开**。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** | 【００１８】 本発明の絶縁基体１はセラミックスや樹脂から成り... | 对比文件公开的基体材料是“セラミックス”（陶瓷）或“树脂”，并未提及“玻璃基板”。同时，其凹部内容纳的是“发光元件”，而非“焊球”。因此，技术特征K中关于“玻璃基板”和“第一互连包括焊球”的两个限定均未被公开。因此，技术特征K**未被公开**。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。** | 未公开。对比文件未提及基板材料为半导体（如硅），也未提及凹部内容纳有金属柱作为互连。 | 对比文件公开的基体材料是陶瓷或树脂，并非半导体。其凹部内容纳的是发光元件，并非金属柱。因此，技术特征L**未被公开**。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** | 【００１８】 本発明の絶縁基体１はセラミックスや**樹脂**から成り... | 对比文件明确记载基体材料可以是“树脂”（樹脂），树脂属于有机材料，因此可以认为对比文件隐含公开了“基板包括有机基板”的可能性。然而，对比文件凹部（4）内设置的是“发光元件”（3），其作用是作为封装的核心功能器件发光，并非作为与外部电路板连接的“互连件”，更不是“焊球”。因此，虽然基板材料可能被隐含公开，但“第一互连包括焊球”这一整体技术方案并未被公开。因此，技术特征M作为一个整体**未被公开**。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** (注：权利要求中特征M与N文字描述完全相同，应为笔误，此处按同一特征处理) | 【００１８】 本発明の絶縁基体１はセラミックスや**樹脂**から成り... | 同技术特征M的论述。对比文件可能隐含公开了有机基板（树脂），但未公开第一互连为焊球。技术特征N作为一个整体**未被公开**。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** | 未公开。对比文件仅公开了一个用于容纳发光元件的凹部（4），未记载在第一表面还存在第二个功能或结构类似的凹陷。 | 对比文件描述的封装结构仅有一个主要的凹部（4）用于容纳发光元件，说明书和附图中均未显示或提及存在第二个凹陷。因此，技术特征O**未被公开**。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。** | 未公开。由于技术特征O（第二凹陷）未被公开，容纳于其中的第二互连自然也未被公开。 | 对比文件未公开第二凹陷，因此更不可能公开容纳于其中、且仅具机械紧固功能的焊球互连。目标专利此特征旨在提供额外的机械固定点，而对比文件的连接全部依赖于侧面导体（9a,9b）进行电和机械连接。因此，技术特征P**未被公开**。 |
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