对比文件名称：2012-08-30_US2012217289A_发明申请_US20120217289A1 Flux Composition and Techniques for Use Thereof
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br> **《直接公开》** | 说明书[0036]段: “The substrate can be a laminate containing organic dielectrics, a ceramic substrate made of ceramic dielectrics, a silicon substrate, a glass substrate, a film substrate, a print circuit board (PCB) or a semiconductor device.” <br> 译文：所述基板可以是包含有机电介质的层压板、由陶瓷电介质制成的陶瓷基板、硅基板、玻璃基板、薄膜基板、印刷电路板(PCB)或半导体器件。 | 对比文件明确公开了其技术方案中包括基板（substrate），并列举了多种基板类型，如玻璃基板、硅基板、有机层压板等。本领域技术人员从对比文件图1、图2、图3A、图3B、图4等附图及相应描述中，能毫无疑义地得出其公开的封装或焊接结构中包含基板这一组成部分。这与技术特征A在目标专利中所起到的作为封装载体和结构基础的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件全文（包括所有附图）均未提及在基板表面形成用于容纳互连（如焊球）的凹陷或盲孔结构。对比文件涉及的助焊剂涂覆、芯片与基板的焊接连接均是在平坦的基板表面（如焊盘14上）进行。其要解决的技术问题是提高助焊剂粘性以防止芯片移动、改善焊接并便于水清洗，这与通过凹陷结构降低封装高度的技术问题无关。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“基板第一表面中的第一凹陷”这一结构特征。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及任何“穿基板通孔（through-substrate via）”结构。其附图4中显示的电容45是安装在基板12表面（likely on the second surface）的，并未描述其通过穿基板通孔与基板另一侧连接。目标专利中的“第一穿基板通孔”是形成嵌入式电感器的关键部件，用于纵向贯穿基板以形成三维线圈。对比文件完全没有涉及此类结构或概念，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开“第一凹陷”（特征B）和“第一穿基板通孔”（特征C），因此更不可能公开这些通孔“在第一表面中毗邻第一凹陷的区域中具有第一端”这一具体的空间位置关系特征。该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何穿基板通孔，因此也不可能公开通过基板第二表面上的导体将两个穿基板通孔耦合以形成嵌入式电感器的技术方案。虽然对比文件[0039]段及图4提到“capacitor 45”，但并未描述其与穿基板通孔或电感器的集成关系。目标专利的嵌入式电感器是其核心器件，用于在保持基板厚度的同时获得足够电感。对比文件完全没有涉及这一技术构思。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br> **《未公开》** | 说明书[0037]段及图2：“...a solder ball 24...”；“When a substrate 12 had a solder pad 14, a solder ball 24 can be replaced by a copper pillar bump or a metal (gold or copper) stud bump.” <br> 译文：...焊球24...；当基板12具有焊盘14时，焊球24可以被铜柱凸块或金属（金或铜）钉头凸块取代。 | 对比文件公开了焊球、铜柱、金属凸块等作为互连结构。然而，这些互连是位于基板表面的焊盘14之上（参见图2），并没有被“包括在凹陷内”。目标专利的技术特征F明确要求互连被容纳并耦合在“第一凹陷内”，这是实现低剖面封装的关键。对比文件中的互连是常规的表面贴装形式，其存在和作用（实现电气连接）虽与目标专利的互连类似，但具体的设置位置和结构（在凹陷内）完全不同，且该位置特征是目标专利实现其发明目的的必要手段。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征G：在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及“重分布层（redistribution layer, RDL）”。其电气连接主要通过焊盘14与焊球24的直接接触实现（如图2所示）。目标专利中的重分布层是用于在基板表面进行布线，将凹陷内的互连电连接到穿基板通孔的特定结构。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器** <br> **《未公开》** | 说明书[0039]段及图4：“...a capacitor 45...” <br> 译文：...电容器45... | 对比文件图4确实示出了电容器45位于基板12上（likely on the second surface）。然而，目标专利特征H明确限定了“第二穿基板通孔电耦合至所述电容器”。对比文件仅公开了电容器的存在，完全没有描述其如何与基板另一侧电连接，更没有提及通过“第二穿基板通孔”进行连接。第二穿基板通孔在目标专利中是区别于第一穿基板通孔的、从凹陷延伸的较短通孔，用于降低驱动电容器的寄生参数。对比文件完全没有涉及此类通孔结构或连接方式。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 如前所述，对比文件未公开“嵌入式电感器”以及“第一穿基板通孔”。因此，该进一步限定嵌入式电感器具体组成的特征自然也未公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何“嵌入式电感器”。因此，该关于包含多个嵌入式电感器的特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br> **《未公开》** | 说明书[0036]段: “...a glass substrate...”；[0037]段: “...a solder ball 24...” <br> 译文：...玻璃基板...；...焊球24... | 对比文件分别、独立地提到了“玻璃基板”和“焊球”作为基板和互连的选项。然而，目标专利的权利要求是一个整体技术方案，特征K是将“玻璃基板”和“焊球”这两个具体要素限定在包含前述凹陷、穿基板通孔、嵌入式电感器、重分布层等特征的特定封装结构中。对比文件虽然提及了这些要素，但并未将它们结合在如目标专利所要求保护的特定结构上下文中。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地或通过合理推断得出一个同时具备玻璃基板和焊球，并且还具有凹陷、穿基板通孔、嵌入式电感器等特征的完整封装方案。因此，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱** <br> **《未公开》** | 说明书[0036]段: “...a silicon substrate...”；[0037]段: “...a solder ball 24 can be replaced by a copper pillar bump...” <br> 译文：...硅基板...；...焊球24可以被铜柱凸块取代... | 对比文件分别、独立地提到了“硅基板”（半导体基板的一种）和“铜柱凸块”（金属柱的一种）。与特征K同理，这些要素未被结合在目标专利所限定的特定封装结构（具有凹陷、穿基板通孔等）中公开。因此，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br> **《未公开》** | 说明书[0036]段: “The substrate can be a laminate containing organic dielectrics...”；[0037]段: “...a solder ball 24...” <br> 译文：所述基板可以是包含有机电介质的层压板...；...焊球24... | 对比文件分别、独立地提到了“包含有机电介质的层压板”（即有机基板的一种）和“焊球”。与特征K、L同理，这些要素未被结合在目标专利所限定的特定封装结构中公开。因此，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球** <br> **《未公开》** | （同特征M） | 此特征与特征M的文字描述完全一致，判断结果相同：未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何基板表面的凹陷结构。因此，“第二凹陷”这一特征也未被公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球** <br> **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何凹陷结构，因此也就不存在被容纳在第二凹陷内且仅具机械固定功能的焊球。该特征未被公开。 |
<<<A>>>