对比文件名称：2012-12-17_KR1020120135897A_发明公开_KR1020120135897A 리세스된 반도체 기판
目标专利名称：203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译为中文) | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | [0015]段：“...반도체 기판(102)을 포함한다. ... 반도체 기판(102)은 제 1 표면(A1)과, 그리고 제 1 표면(A1)의 반대편에 배치되는 제 2 표면(A2)을 포함한다.” <br>（译文：...包括半导体基板102。...半导体基板102包括第一表面A1和设置在第一表面A1相反侧的第二表面A2。） | 对比文件明确公开了其器件包含一个具有第一和第二表面的半导体基板。该基板是器件的基本结构组成部分，其作用与目标专利中作为封装载体的“基板”相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br>《直接公开》 | [0017]段：“...제 1 표면(A1)의 일부분은 제 1 표면(A1)의 다른 부분에 비해 리세스되어 있다. 리세스된 영역(104)은 일반적으로, 반도체 기판(102)을 뚫는 하나 이상의 비아들(108)의 형성이 용이하도록 반도체 기판(102)의 상대적으로 얇은 구역을 제공한다.” <br>（译文：...第一表面A1的一部分相比于其他部分被凹陷。凹陷区域104通常提供半导体基板102的相对较薄区域，以便于形成穿过半导体基板102的一个或多个通孔108。） | 对比文件明确描述了在基板的第一表面A1上形成凹陷区域104。该凹陷的作用是提供更薄的区域以便于形成通孔，与目标专利中为容纳互连以降低封装高度的“凹陷”在结构上相同，尽管具体目的（便于形成通孔 vs 容纳互连以降低高度）略有差异，但都属于基板表面的结构性凹陷。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，** <br>《隐含公开》 | [0017], [0020]段：“리세스된 영역(104)은 일반적으로, 반도체 기판(102)을 뚫는 하나 이상의 비아들(108)의 형성이 용이하도록...”; “...반도체 기판(102)의 리세스된 영역(104)에 하나 이상의 비아들(108)이 형성된다. ... 반도체 기판(102)이 실리콘을 포함하는 실시예에서, 하나 이상의 비아들(108)은 하나 이상의 쓰루 실리콘 비아(Through-Silicon Via, TSV)들이다.” <br>（译文：凹陷区域104通常便于形成穿过半导体基板102的一个或多个通孔108...；...在半导体基板102的凹陷区域104形成一个或多个通孔108。...在半导体基板102包含硅的实施例中，一个或多个通孔108是一个或多个硅通孔TSV。） | 对比文件公开了在凹陷区域104形成穿过基板的通孔108（即TSV）。目标专利的“第一穿基板通孔”定义为“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”。对比文件的通孔108是形成在凹陷区域104内的，该区域相对于基板其他部分（厚区域106）是凹陷的。然而，“非凹陷部分”是相对于“凹陷部分”存在的。当通孔形成在凹陷区域时，它必然穿过该凹陷区域下方的基板材料，这部分材料虽然位于凹陷下方，但相对于整个基板的“第一表面”而言，它仍然构成了“基板的非凹陷部分”的实体（即基板本体）。本领域技术人员可以理解，形成在凹陷区域底部的通孔，其主体部分仍然是穿过基板材料（非凹陷的实体部分）的。因此，对比文件隐含公开了“延伸穿过基板（材料）的通孔”，这等同于目标专利中“延伸穿过基板的非凹陷部分”的通孔。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br>《未公开》 | [0020]段：“...반도체 기판(102)의 리세스된 영역(104)에 하나 이상의 비아들(108)이 형성된다.” <br>（译文：...在半导体基板102的凹陷区域104形成一个或多个通孔108。） | 目标专利的特征D限定了穿基板通孔的“第一端”位于“第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域”。这意味着通孔的端部不在凹陷内部，而是在凹陷旁边、与凹陷处于同一平面的第一表面上。对比文件的通孔108是形成在“凹陷区域104”内的（参见[0017]，凹陷区域是提供较薄区域的区域）。其通孔的一端必然位于该凹陷区域的底部（即凹陷的底面），而不是在凹陷旁边、与未凹陷的第一表面齐平的区域。两者的位置关系不同。对比文件没有公开通孔端部位于凹陷旁侧的非凹陷表面区域。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br>《未公开》 | [0020]-[0021]段：“...하나 이상의 비아들(108)은 일반적으로 반도체 기판(102)의 제 1 표면(A1)과 제 2 표면(A2) 간에 전기적 경로 또는 열적 경로를 제공한다. ... 하나 이상의 재분배층들(110)은 하나 이상의 다이들(112)과 하나 이상의 비아들(108) 간에 전기적 라우팅을 제공할 수 있음과 아울러 하나 이상의 비아들(108)과 하나 이상의 패키지 상호연결 구조물들(114) 간에 전기적 라우팅을 제공할 수 있다.” <br>（译文：...一个或多个通孔108通常在半导体基板102的第一表面A1和第二表面A2之间提供电学路径或热学路径。...一个或多个重分布层110可以提供一个或多个管芯112与一个或多个通孔108之间的电学布线，以及一个或多个通孔108与一个或多个封装互连结构114之间的电学布线。） | 目标专利的特征E明确限定了通过基板第二表面上的导体将两个穿基板通孔耦合在一起“以形成嵌入式电感器”。对比文件虽然公开了在基板表面（包括第二表面）上形成重分布层110用于布线（[0021]），也公开了通孔108提供电学路径，但从未提及或暗示将这些通孔通过表面导体互连以形成“电感器”这一特定的无源器件。对比文件中的通孔互连和重分布层用于一般的信号路由和电源/接地连接（参见[0019]），其目的和作用是进行I/O、电力/接地信号的路由，与形成具有特定电感值的嵌入式电感器不同。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br>《隐含公开》 | [0030]段：“예를 들어, 하나 이상의 땜납 볼(solder ball)들, 금속 기둥(metal post)들, 또는 범프들과 같은 하나 이상의 패키지 상호연결 구조물들(114)이, ... 하나 이상의 재분배층들(110) 상에 형성될 수 있다.”；结合图1、3、4、7、12等。例如图7显示了互连结构114位于凹陷区域504内。 | 对比文件多次公开了“패키지 상호연결 구조물들(114)”（封装互连结构），其示例包括焊球、金属柱或凸块（[0030]）。虽然未明确文字描述互连结构被“包括在凹陷内”，但附图（例如图7）清楚地显示了互连结构114形成于另一个凹陷区域504的表面（第一表面A1）上。本领域技术人员结合说明书对凹陷区域和互连结构的描述，能够合理推断出互连结构可以设置并耦合到基板表面的凹陷区域内，以实现降低整体高度等目的。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。** <br>《直接公开》 | [0021]段：“...하나 이상의 재분배층들(110)은 ... 하나 이상의 다이들(112)과 하나 이상의 비아들(108) 간에 전기적 라우팅을 제공할 수 있음과 아울러 하나 이상의 비아들(108)과 하나 이상의 패키지 상호연결 구조물들(114) 간에 전기적 라우팅을 제공할 수 있다.” <br>（译文：...一个或多个重分布层110可以提供一个或多个管芯112与一个或多个通孔108之间的电学布线，以及一个或多个通孔108与一个或多个封装互连结构114之间的电学布线。） | 对比文件明确公开了在基板表面（包括第一表面，如图1中的A1表面）上形成重分布层110。并且明确说明了该重分布层的作用之一是在通孔108和封装互连结构114之间提供电学布线（路由）。这意味着重分布层被配置为将互连结构电耦合至通孔。这与目标专利中特征G的作用完全相同。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件全文未提及“电容器”这一无源器件，更未公开电容器毗邻基板第二表面并通过穿基板通孔电耦合。目标专利中该特征是实现特定电路功能（如MIM电容器）的关键。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定，明确其由至少两个穿基板通孔构成。由于对比文件未公开“嵌入式电感器”（特征E），因此自然也未能公开其具体构成。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对嵌入式电感器数量的进一步限定。同上，由于对比文件未公开“嵌入式电感器”，因此该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** <br>《未公开》 | [0015]段：“...예를 들어 실리콘(Si)과 같은 반도체 물질을 상당량 포함하는 기판 또는 인터포저(interposer)인 반도체 기판(102)을 포함한다.” <br>（译文：...包括半导体基板102，其为包含大量半导体材料（例如硅）的基板或中介层。） | 对比文件明确其基板是“半导体基板”，例如硅。目标专利特征K限定了“玻璃基板”。两者材料不同。虽然特征K也限定了互连为焊球，且对比文件公开了焊球作为互连的一种（[0030]），但基板材料的限定是整体技术方案的一部分。因此，关于“玻璃基板”的限定未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。** <br>《直接公开》 | [0015]段：“...예를 들어 실리콘(Si)과 같은 반도체 물질을 상당량 포함하는 기판 또는 인터포저(interposer)인 반도체 기판(102)을 포함한다.”；[0030]段：“예를 들어, 하나 이상의 땜납 볼(solder ball)들, **금속 기둥(metal post)들**, 또는 범프들과 같은 하나 이상의 패키지 상호연결 구조물들(114)이...” <br>（译文：...包括半导体基板102...；例如，诸如一个或多个焊球、**金属柱**、或凸块之类的一个或多个封装互连结构114...） | 对比文件明确公开了基板是半导体基板（如硅）（[0015]），并且明确公开了互连结构包括“金属柱”（[0030]）。这两点与特征L的限定完全一致。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** <br>《未公开》 | [0015]段明确基板为半导体基板。[0019]段提到“적층체 (예를 들어, 유기질) 기판과 같은 다른 타입의 기판보다 더 작은 특징부를 포함할 수 있다.”，但这仅是作为对比提及其他类型基板，并非本公开的基板。 | 对比文件的核心在于使用半导体基板（如硅），并将其与有机基板等其他类型基板进行对比，指出半导体基板的优势（[0019]）。其具体实施例中的基板均为半导体基板，并未将有机基板作为其要求保护的技术方案的一部分。因此，关于“有机基板”的限定未被公开。虽然“焊球”作为互连被公开，但基板材料不同。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** <br>《未公开》 | 同特征M。 | 同特征M。该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br>《直接公开》 | [0035]段：“패키지 조립체(500)는, 반도체 기판(102)의 제 1 표면(A1)에 형성되는, 제 1 리세스된 영역인 리세스된 영역(104)과, 제 2 리세스된 영역인 적어도 하나의 또 다른 리세스된 영역(504)을 갖는다.” <br>（译文：封装组件500具有形成在半导体基板102的第一表面A1上的第一凹陷区域即凹陷区域104，以及作为第二凹陷区域的至少一个其他凹陷区域504。） | 对比文件明确公开了在基板的第一表面A1上形成多个凹陷区域，例如第一凹陷区域104和第二凹陷区域504。这与特征O的限定“第二凹陷”完全对应。因此，技术特征O被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。** <br>《未公开》 | 虽然对比文件公开了在凹陷区域（如504）上设置互连结构114（参见图7及对应描述），并且互连结构可用于机械连接（如将封装连接到PCB），但对比文件从未明确区分某些互连“仅具有机械功能”而无电学功能。其互连结构114通常被描述为用于“전기적 신호들을 라우팅시키기 위해”（用于路由电学信号）（[0030]），即默认具有电学功能。目标专利明确限定了该第二互连“仅具有机械功能”，这是一个特定的、排他性的功能限定。对比文件没有公开这样的限定。 | 目标专利的特征P限定了第二互连是“仅具有机械功能”的焊球。这是一种特定用途的互连。对比文件虽然公开了在凹陷上设置互连，且该互连可用于机械紧固，但并未明确且排他地指出某些互连“仅”用于机械紧固而不具备电学连接功能。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出存在这种功能单一的互连。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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