本次调用的模型名称：GPT-4。
对比文件名称：2013-06-01_TW201322418A_发明专利_TW201322418A 包括具有應力消除結構的半導體基板的封裝組裝
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | “半導體基板102”、“半導體基板102a”（参见说明书第[0028]段、图1、图1A等） | 对比文件明确公开了“半导体基板102/102a”，其作为封装组装的核心支撑结构，用于承载互连层、半导体晶粒及封装互连结构（锡球）。这与目标专利中的“基板”作为封装载体和结构支撑的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《直接公开》 | “半導體基板102a包括配置成接收錫球112的凹槽105”（参见图1A、图1B），“藉由蝕刻半導體基板102a而將多個溝槽105界定於半導體基板102a內。溝槽105配置成接收錫球112。”（参见说明书第[0045]段） | 对比文件明确公开了在半导体基板102a的第一侧面A1内形成多个凹槽/沟槽105，用于容纳锡球112。该“凹槽/沟槽”在结构、位置和容纳互连的功能上，与目标专利权利要求中的“第一凹陷”完全相同。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，**<br>《隐含公开》 | “矽通孔111可允許兩個再分佈層106、109以及在矽基板102a上或內的元件進行電耦合。”（参见说明书第[0053]段），“參照圖2F，若需要，可在矽基板102a內形成矽通孔111。可藉由提供圖案並接著蝕刻矽基板102a來形成矽通孔111。”（参见说明书第[0076]段） | 对比文件公开了“矽通孔111”（TSV），其是延伸穿过半导体基板的导电通孔。虽然对比文件未明确限定这些通孔形成于“非凹陷部分”，但本领域技术人员结合说明书全文（例如图1B、图2F）可知，凹槽105和矽通孔111是分别形成的不同结构特征。在制造过程中，本领域技术人员能够且通常会选择在基板的非凹陷区域（即未被蚀刻形成凹槽的区域）形成穿基板通孔，以避免结构冲突并确保通孔完整性。因此，从对比文件公开的“穿基板通孔（TSV）”这一技术手段出发，本领域技术人员可以合理推断出其必然延伸穿过基板的非凹陷部分，技术特征C被隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 对比文件虽然公开了穿基板通孔（矽通孔111）和凹陷（沟槽105），但并未描述或图示穿基板通孔的第一端（即位于第一表面的一端）位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。通孔与凹陷的相对位置关系未被限定。因此，对比文件既未直接公开，本领域技术人员也无法从现有内容中合理推断出该特定的位置关系。技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 目标专利的该特征限定了通过基板第二表面上的导体连接两个穿基板通孔以形成嵌入式电感器这一特定结构。对比文件全文未提及任何“电感器”或类似的无源器件，更未公开通过第二表面导体连接两个通孔以形成电感器的技术方案。其公开的穿基板通孔（矽通孔111）主要用于电连接不同侧面的互连层或元件（如说明书第[0053]段），而非用于形成电感器。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《直接公开》 | “每一溝槽配置成分別接收錫球112以提供介面”（参见说明书第[0036]段），“一個或多個封裝互連結構，例如一個或多個錫球112或凸塊……形成於溝槽105內的一個或多個互連層106上”（参见说明书第[0050]段） | 对比文件明确公开了“锡球112”作为封装互连结构，被容纳在沟槽（凹陷）105内，并且通过互连层106与沟槽耦合（即电连接和/或机械连接）。这与目标专利中“第一互连被包括在第一凹陷内并且被耦合至第一凹陷”的技术特征完全一致。因此，技术特征F被直接公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。**<br>《隐含公开》 | “一個或多個互連層或再分佈層106形成於半導體基板102a上，以覆蓋半導體基板102a的第一側面A1的至少部分。由互連層106覆蓋的部分至少包括該等溝槽105。”（参见说明书第[0046]段），“矽通孔111可允許兩個再分佈層106、109……進行電耦合。”（参见说明书第[0053]段） | 对比文件公开了在第一表面A1上的“互連層或再分佈層106”，其覆盖包括沟槽105在内的区域，用于路由电信号。同时，对比文件也公开了“矽通孔111”用于电连接不同层。本领域技术人员可以理解，为了实现从锡球112（第一互连）到基板另一侧或内部元件的电连接，重分布层106必然需要将位于沟槽105内的锡球112电连接至穿基板通孔（矽通孔111）。这是实现此类封装电互连的常规且必然的技术手段。虽然对比文件未明确描述“重分布层106将锡球112电耦合至矽通孔111之一”的具体连接路径，但根据其公开的整体结构（重分布层覆盖沟槽、穿基板通孔存在、重分布层用于电连接），本领域技术人员能够合理且直接地推断出这种电耦合关系的存在。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。**<br>《未公开》 | “電容器222……形成於在半導體基板102上，如在半導體基板102的區域275中所示的。”（参见说明书第[0073]段），区域275位于图2C中基板的第一侧面A1上。 | 对比文件确实公开了电容器222，但根据说明书第[0073]段及图2C，该电容器是形成在半导体基板102的**第一侧面A1上**，而非目标专利所限定的“毗邻所述基板的对向的第二表面”。此外，目标专利中耦合电容器的“第二穿基板通孔”具有从凹陷延伸的缩短长度特征，而对比文件未公开此类从凹陷延伸的特定通孔结构。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 由于形成嵌入式电感器的技术特征E未被公开，因此作为其进一步限定的特征I也未被公开。对比文件未涉及任何由穿基板通孔形成的电感器结构。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。**<br>《未公开》 | 无对应描述。 | 同上，由于嵌入式电感器本身未被公开，因此其特征J也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《未公开》 | “半導體基板102是指基本上包括如矽(Si)等半導體材料的基板或中介層。”（参见说明书第[0028]段） | 对比文件明确限定其基板为“半导体基板”，材料例如硅，这与目标专利特征K中限定的“玻璃基板”属于不同类型的基础材料。虽然第一互连可以是焊球（锡球），但基板材料的限定不同。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。**<br>《未公开》 | “一個或多個封裝互連結構，例如一個或多個錫球112或凸塊”（参见说明书第[0050]段） | 对比文件的基板是半导体基板，符合该部分限定。但对比文件明确记载其第一互连为“锡球112”或“凸塊”，并未提及“金属柱”。锡球通常为球形焊料，而金属柱通常指铜柱等柱状结构，两者在形态和可能的应用上存在差异。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《未公开》 | “半導體基板102是指基本上包括如矽(Si)等半導體材料的基板”（参见说明书第[0028]段） | 对比文件的基板明确为半导体基板（如硅），而非“有机基板”。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。**<br>《未公开》 | 同上。 | 此特征与特征M实质相同，基于同样理由未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《直接公开》 | “半導體基板102a包括配置成接收錫球112的凹槽105”，且图1A、1B显示有多个凹槽。（参见说明书第[0045]段及附图） | 对比文件公开了在半导体基板第一表面（A1面）内形成的“多个沟槽105”。这些沟槽在结构上与“第一凹陷”相同。当存在多个此类凹陷时，其中之一可视为“第一凹陷”，另一个即可视为“第二凹陷”。因此，技术特征O被直接公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。**<br>《未公开》 | “每一溝槽配置成分別接收錫球112以提供介於i)該互連層與ii)待耦合到該裝置的該基板之間的介面。”（参见说明书第[0036]段） | 对比文件公开了容纳在沟槽（凹陷）内的锡球112，但其作用是提供电学和机械的“接口”，即同时具有电耦合和机械紧固的功能。目标专利特征P明确限定了第二互连“仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能”，即该焊球不用于电信号传输，是纯粹的机械连接点。对比文件未区分或公开这种功能单一的、仅用于机械紧固的焊球。因此，技术特征P未被公开。 |
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