# 对比文件名称：JP2005274338A Combustion pressure sensor
# 目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
# 模型名称：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | 说明书第[2]段：“センサチップ３０は、例えばシリコンからなる半導体基板に、圧力検出素子として所定の抵抗値を有する４個のピエゾ抵抗素子（図示せず）を、配線及び電極（ともに図示せず）と共にブリッジ回路を構成するように形成してなるものである。”<br>（译文：传感器芯片30是通过在例如由硅组成的半导体基板上，形成具有预定电阻值的四个压电电阻元件（未图示）作为压力检测元件，并与布线和电极（均未图示）一起构成桥式电路而形成的。） | 对比文件明确公开了“半导体基板”（半導体基板），该基板作为传感器芯片30的载体。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件中的传感器芯片包含一个“基板”。尽管该基板在目标专利中用于支撑无源器件和互连结构，而在对比文件中用于承载压电电阻元件，但技术特征A仅限定了“基板”这一结构部件本身，并未限定其具体材料、功能或与其他部件的连接关系。因此，对比文件直接公开了“包括基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开在所述基板（即传感器芯片的半导体基板）的表面中形成凹陷。对比文件说明书第[2]段提及“ダイアフラム１０の底面中央部がロッド２０方向に凹んでおり”（隔膜10的底面中央部向杆20方向凹陷），但该凹陷（凹部13）形成于独立的金属隔膜（ダイアフラム10）上，并非在作为“基板”的半导体基板的表面中形成。两者结构、位置和作用均不相同。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件完全未提及任何“穿基板通孔”结构。对比文件中的杆（ロッド20）是穿过外壳（ケース）内部空间的独立机械部件，用于传递压力，并非在基板（如半导体基板）内部形成的导电通孔。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出“延伸穿过基板的非凹陷部分的多个第一穿基板通孔”这一技术特征。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《未公开》 | 无 | 由于技术特征C（第一穿基板通孔）未被公开，且技术特征B（第一凹陷）也未被公开，因此该限定穿基板通孔端部位置关系的技术特征D在对比文件中不存在。 |
| **技术特征E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件涉及燃烧压力传感器，其技术领域和发明目的与目标专利的集成电路封装完全不同。对比文件中没有任何关于“电感器”，更不用说通过基板第二表面上的导体将两个穿基板通孔耦合形成“嵌入式电感器”的教导或启示。该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《未公开》 | 无 | 目标专利中的“第一互连”（如焊球、金属柱）是用于电连接封装与外部电路板的部件。对比文件中不存在此类结构。对比文件中的终端（ターミナル3）是用于信号输出的端子，但并非被容纳在基板凹陷内的“互连”。杆（ロッド20）是机械传力部件，非电互连部件。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一**<br>《未公开》 | 无 | “重分布层”是集成电路封装中用于重新布线的金属层结构。对比文件属于机械传感器领域，其说明书全文未提及任何类似“重分布层”的结构或功能层。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件中未公开任何“电容器”结构，也未公开“第二穿基板通孔”。传感器芯片30上可能集成有电容元件，但这不是对比文件明确描述或隐含的、且“毗邻基板第二表面”并由穿基板通孔耦合的独立电容器特征。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔**<br>《未公开》 | 无 | 该特征是对技术特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（嵌入式电感器）本身未被公开，此限定特征自然也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 无 | 同上，依赖于特征E，未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件公开的基板是“半导体基板”（硅），并非“玻璃基板”。同时，对比文件也未公开“焊球”作为第一互连。因此，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件确实公开了基板包括“半导体基板”（参见特征A的引用）。然而，对比文件并未公开“第一互连包括金属柱”。目标专利中的“金属柱”是特定的电互连结构。对比文件中的杆（ロッド20）虽为金属柱状，但其功能是机械传力，并非用于电连接的“互连”。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“第一互连为金属柱”这一技术方案。因此，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开“有机基板”，也未公开“焊球”作为第一互连。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | 无 | 此特征与技术特征M的文字描述完全一致。基于与技术特征M相同的理由，该特征未被公开。 |
| **技术特征O：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《未公开》 | 无 | 与技术特征B同理，对比文件未公开在所述基板的表面中形成任何凹陷。该特征未被公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球**<br>《未公开》 | 无 | 该特征依赖于技术特征O（第二凹陷），且限定了特定的“第二互连”。对比文件中既无“第二凹陷”，也无仅具机械紧固功能的“焊球”互连。该特征未被公开。 |
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