对比文件名称：EP2717282A1 VARIABLE CAPACITANCE CAPACITOR
目标专利名称：CN106030782B 具有无源器件的低剖型封装
模型名称：DeepSeek最新版本
根据目标专利说明书和权利要求书，该专利涉及一种低剖型封装结构，其核心在于基板上设置凹陷以容纳互连（如焊球），从而降低封装高度，同时利用延伸穿过基板的通孔（TSV）形成嵌入式电感器，并由重分布层（RDL）实现互连与TSV之间的电连接。
对比文件EP2717282A1涉及一种可变电容器，其采用MEMS技术，通过驱动电极施加电压使可动电极位移以改变电容。其结构主要包括上基板、下基板、固定电极、可动电极、驱动电极以及支撑可动电极的梁。
经过仔细比对，除技术特征A（基板）在对比文件中存在直接对应的结构（上、下基板）外，其余技术特征均未被对比文件公开。目标专利的核心技术方案，包括用于降低高度的凹陷结构、延伸穿过基板的通孔（TSV）、用于形成电感器的通孔对、重分布层（RDL）以及焊球等互连结构，在对比文件中均未涉及。对比文件的技术领域（MEMS可变电容）、解决的技术问题（降低驱动电压、稳定电容、减小纹波）以及采用的技术手段（可动电极位移改变电极间距）均与目标专利（低剖型封装结构、通过凹陷和TSV实现高度缩减与电感维持）存在根本性差异。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板**《直接公开》 | 说明书第[0021]段：“The eight variable capacitor elements X1 to X8 ... include an upper substrate 10 and a lower substrate 50 as illustrated in Fig. 6.” <br> 第[0024]段：“The lower substrate 50 includes a Si substrate having a thickness of approximately 100 µm...” | 对比文件明确公开了可变电容器包括上基板（upper substrate 10）和下基板（lower substrate 50），下基板为Si基板。基板是构成电子器件的基础结构部件。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件描述的是MEMS可变电容器结构，其基板（上、下基板）表面是平坦的，用于布置固定电极、可动电极等。说明书及附图均未提及在基板表面形成用于容纳互连（如焊球）的凹陷结构。该技术特征未被公开。 |
| **C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件中的上基板10（SOI基板）包含第一Si基板10a、第二Si基板10b和中间的SiO2层10c。通孔结构（through-substrate via）并非其技术方案的组成部分。其附图（如Fig.6）显示的是层状结构，并未描绘任何延伸穿过基板厚度的导电通孔。该技术特征未被公开。 |
| **D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于对比文件既未公开“第一凹陷”（特征B），也未公开“第一穿基板通孔”（特征C），因此更不可能公开这些通孔的端部位于“毗邻第一凹陷的区域”这一具体位置关系。该技术特征未被公开。 |
| **E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件的核心元件是可变电容器（capacitor），其通过改变可动电极与固定电极之间的间距来调节电容。整个说明书中均未提及任何“电感器（inductor）”的结构，更没有描述通过基板相对表面上的导体将两个穿基板通孔连接起来以形成电感器的技术方案。该技术特征未被公开。 |
| **F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件中的可变电容器元件通过梁（beam）和连接部分（connecting portion）固定上下基板，并未描述用于将器件电连接到外部电路板或封装的其他部分的“互连（interconnect）”结构，如焊球或金属柱。更没有描述此类互连被容纳在凹陷内。该技术特征未被公开。 |
| **G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件中未公开“重分布层（redistribution layer, RDL）”这一结构。其电路连接是通过直接图案化形成的电极和引线（如wiring portion 12a, 13a）实现的，这些引线位于基板表面，但并未被描述为用于重新分布I/O端口、连接互连与通孔的多层布线结构（即RDL）。该技术特征未被公开。 |
| **H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器**《未公开》 | 说明书第[0015]段：“... the variable capacitor element Xn includes a pair of fixed electrodes 11A and 11B, a movable electrode ... 12 disposed therebetween...” <br> 第[0022]段：“The lower substrate 50 ... functions as the second fixed electrode 11B.” | 对比文件本身公开的即是一个“电容器（variable capacitor）”。然而，该电容器是由固定电极和可动电极构成的MEMS结构，其电容值通过改变电极间距来调节。这与目标专利中提到的“电容器”（例如说明书[0027]段描述的MIM电容器）在结构和工作原理上完全不同。更重要的是，目标专利的技术特征H限定了“第二穿基板通孔电耦合至所述电容器”，而对比文件中的电容器（即固定电极11B本身）是作为基板（下基板50）的一部分，并不涉及任何“穿基板通孔”与之耦合。因此，该技术特征未被公开。 |
| **I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 此特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此对其构成的这一限定也未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 此特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此关于存在多个电感器的这一限定也未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球**《未公开》 | 说明书第[0022]段：“The upper substrate 10 is an SOI (silicon-on-insulator) substrate...” <br> 第[0024]段：“The lower substrate 50 includes a Si substrate...” | 对比文件明确记载基板为SOI基板（硅基板）和Si基板，而非“玻璃基板”。同时，对比文件中未公开“焊球”这一互连结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱**《未公开》 | 说明书第[0022]段：“The upper substrate 10 is an SOI (silicon-on-insulator) substrate...” <br> 第[0024]段：“The lower substrate 50 includes a Si substrate...” | 对比文件公开的基板（SOI， Si）属于“半导体基板”。然而，该技术特征还限定了“所述第一互连包括金属柱”。对比文件中未公开任何“金属柱（metal pillar）”形式的互连结构。因此，该技术特征作为一个整体（半导体基板+金属柱互连）未被公开。 |
| **M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未提及基板为“有机基板”。同时，也未公开“焊球”互连。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 此特征与特征M的文字描述完全相同，均为对基板和互连材料的并列选择。基于同样理由，该技术特征未被公开。 |
| **O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 如特征B所述，对比文件中未公开任何“凹陷”结构。因此，“第二凹陷”也未被公开。 |
| **P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球**《未公开》 | 未发现相关内容。 | 此特征依赖于“第二凹陷”（特征O）和“第二互连”的存在。对比文件中既未公开凹陷，也未公开用于机械紧固的焊球互连。因此，该技术特征未被公开。 |
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