**对比文件名称**：2014-05-08_US2014124961A_发明申请_US20140124961A1 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
根据目标专利说明书，其核心在于提供一种低剖型封装，其关键技术手段包括：在基板的第一表面设置凹陷以容纳互连（如焊球），从而降低整体封装高度；同时，在基板的非凹陷部分设置延伸穿过基板的“第一穿基板通孔”，并通过基板第二表面上的导体将其中至少两个通孔耦合以形成“嵌入式电感器”；此外，在基板第一表面的“重分布层”将凹陷内的互连电耦合至特定的穿基板通孔。这旨在解决现有技术中为了降低封装高度而过度减薄基板导致机械强度下降、以及电感器电感降低的矛盾。
对比文件公开了一种具有凹陷半导体基板的封装组件，其核心在于通过减薄（凹陷）基板的第二表面，并在其中形成通道（vias），将互连结构（如焊球）置于通道内，通过重分布层与芯片电连接。其主要目的是实现芯片与基板间更精细的互连和信号路由。
以下将严格按照目标专利权利要求的技术特征划分，进行比对分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** | [0017] “...a semiconductor substrate 102...” | **直接公开**。对比文件明确公开了其封装组件包含基板（semiconductor substrate 102）。该基板在对比文件中作为承载芯片、重分布层和互连结构的基础载体，其作用与目标专利中作为封装结构载体的基板相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** | [0019] “...a portion of the second surface A2 is recessed...”<br>[0031] “...one or more channels 104 through the recessed second surface...” | **未直接公开，但隐含公开**。目标专利的“第一凹陷”位于基板的“第一表面”，用于容纳互连以降低封装高度。对比文件公开了对基板的“第二表面”（A2）进行“recessed”（减薄/凹陷），并在该凹陷表面形成通道（channels/vias）以容纳互连结构（package interconnect structures 114）。虽然对比文件明确凹陷的是“第二表面”，而目标专利是“第一表面”，但两者的核心构思相同：**在基板的某个表面（无论称为第一还是第二）形成凹陷区域，以将互连结构部分或全部容纳在内，从而有效降低封装的整体高度**。本领域技术人员能够理解，基板“第一表面”和“第二表面”是相对概念，取决于观察视角和电路连接方向。在对比文件的图1、2I、3中，互连结构114被容纳在从表面A2向内形成的通道104中，这实质上构成了该表面上的“凹陷”。对比文件说明书[0019]明确减薄基板是为了便于形成通道，且互连结构置于通道内。因此，尽管表面命名可能不同，但“在基板表面设置凹陷以容纳互连降低高度”这一技术手段已被对比文件实质公开。本领域技术人员能够从对比文件公开的“recessed surface”和“channels”中，毫无困难地推断出在基板表面形成凹陷容纳互连的技术方案。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，** | [0031] “...one or more channels 104... are formed through the recessed surface (e.g., the second surface A2) of the semiconductor substrate 102.” <br>[0031] “The one or more channels 104 generally provide an electrical and/or thermal pathway between the first surface A1 and the second surface A2 of the semiconductor substrate 102.” | **未直接公开，但隐含公开**。目标专利的“第一穿基板通孔”特指延伸穿过基板“非凹陷部分”的通孔。对比文件公开了“channels 104”或“vias”贯穿整个基板102（从第一表面A1到第二表面A2），如图1、2F-2I所示。这些通道形成于基板被减薄（凹陷）之后，并且贯穿的是减薄后的基板整体厚度。虽然对比文件没有明确区分通孔是穿过“凹陷部分”还是“非凹陷部分”，但从其结构（通道104垂直贯穿整个基板厚度）和制造方法（先减薄基板再打孔，见图2E-2F）可以明确，这些通道是穿过基板材料本身的，即穿过了基板的“非凹陷部分”（因为“凹陷”是指整个表面的减薄区域，而通孔是穿过该减薄后的基板实体）。本领域技术人员阅读对比文件后，能够理解其公开的“channels”或“vias”就是延伸穿过基板（包括其非凹陷实体部分）的导电结构，其作用与目标专利的“穿基板通孔”相同，用于建立基板两面的电连接。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** | [0031] “...one or more channels 104... are formed through the recessed surface (e.g., the second surface A2) of the semiconductor substrate 102.” <br>附图1，2I，3。 | **未直接公开，且未隐含公开**。目标专利该特征限定了第一穿基板通孔在第一表面的端部位置——“毗邻所述第一凹陷的区域中”。根据目标专利说明书[0027]及附图2，其第一穿基板通孔（如202a-d）的端部位于基板的第一表面（208）上，且该表面是设置有凹陷（214）的表面。通孔端部位于凹陷之间的区域或“毗邻”凹陷。对比文件中的通道（104）贯穿基板，其一端必然终止于基板的某个表面。在对比文件附图1、2I、3中，通道104的一端开口于被减薄（凹陷）的第二表面A2。然而，对比文件完全没有描述或图示通道104的另一端（即靠近第一表面A1的一端）与基板上的任何“凹陷”之间存在“毗邻”关系。事实上，对比文件的第一表面A1是平坦的，用于承载芯片和重分布层，并未设置用于容纳互连结构的凹陷（凹陷只在第二表面A2）。因此，对比文件没有公开，也无法合理推断出“穿基板通孔在第一表面中毗邻第一凹陷的区域中具有第一端”这一具体结构关系。该特征涉及目标专利中通孔与凹陷在**同一表面**上的特定位置关系，对比文件未提供任何教导或启示。 |
| **技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** | 对比文件全文中未提及“电感器”（inductor）、“嵌入式电感器”（embedded inductor）或通过基板另一面上的导体将两个通孔连接形成电感结构。 | **未公开**。这是目标专利的核心发明点之一。目标专利说明书[0007]-[0008]、[0025]明确描述了通过基板第二表面（206）上的导体（203a, 203b）连接两个穿基板通孔（202a-b, 202c-d）以形成嵌入式电感器（215, 217），从而在维持基板厚度（保证机械强度和电感值）的同时降低封装高度。对比文件中的通道（104）用于将重分布层（106）的信号路由至互连结构（114）或用于热管理（[0031]），其作用是为芯片提供输入/输出或电源/地连接。对比文件没有任何地方描述或暗示这些通道可以两两通过基板另一面的导体连接起来以形成电感器。形成电感器需要特定的环路设计，而对比文件通篇关注的是互连和信号路由，未涉及无源器件（如电感器）的集成。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件中隐含得出。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** | [0031] “...one or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls or posts are disposed in the one or more channels 104...” <br>[0032] “The one or more package interconnect structures 114 are electrically coupled to the one or more redistribution layers 106 through the one or more channels 104.” | **直接公开**。目标专利的“第一互连”（如焊球212）被容纳在凹陷（214）内。对比文件明确公开了“package interconnect structures 114”（如焊球）被设置在通道（channels 104）内（[0031]）。这些通道形成于基板的凹陷表面（recessed surface），实质上就是“凹陷”。并且，互连结构114通过通道104内的导电材料与重分布层106电连接（[0032]），即被“耦合至”其所在的通道/凹陷。作用相同：提供外部电连接并部分容纳于基板内以降低高度。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。** | [0022] “One or more redistribution layers 106 are formed on the dielectric film 105...” <br>[0032] “The one or more package interconnect structures 114 are electrically coupled to the one or more redistribution layers 106 through the one or more channels 104.” | **直接公开**。目标专利的重分布层（220）位于基板第一表面（208），用于将互连（212）电耦合至特定的穿基板通孔（如202b）。对比文件明确公开了重分布层（106）形成在基板的第一表面A1上（[0022]，图1），并且互连结构（114）通过填充通道（104）的导电材料电耦合至该重分布层（[0032]）。虽然对比文件未明确说明重分布层将互连耦合至“多个第一穿基板通孔之一”（因为其通孔未作此区分和定义），但其公开的结构本质是：重分布层（106）通过导电通道（104）与互连结构（114）电连接。由于对比文件的通道104相当于目标专利的“穿基板通孔”，因此“重分布层将第一互连电耦合至穿基板通孔”这一电连接关系已被对比文件直接公开。两者的作用都是实现芯片与外部互连之间的信号重新分布和连接。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。** | 对比文件全文中未提及在基板第二表面集成电容器（capacitor），也未提及有“第二穿基板通孔”电耦合至电容器。 | **未公开**。目标专利说明书[0027]、[0038]描述了在基板第二表面（206）集成电容器（如MIM电容器207），并通过比第一穿基板通孔更短的“第二穿基板通孔”（202e）电耦合至该电容器，以减少寄生参数。对比文件关注的是将芯片信号路由至外部，并未提及在基板内部或表面集成任何无源器件（如电容器）。虽然[0029]提到“其他有源或无源组件”可以安装在半导体基板上，但这是非常宽泛的陈述，并未具体公开“电容器毗邻基板第二表面并由特定通孔耦合”这一具体技术方案。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体特征。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。** | 同特征E，对比文件未公开“嵌入式电感器”。 | **未公开**。该特征是对特征E中嵌入式电感器具体构成的进一步限定。由于对比文件根本未公开“嵌入式电感器”这一概念，因此更不可能公开其由至少两个穿基板通孔构成。该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。** | 同特征E，对比文件未公开“嵌入式电感器”。 | **未公开**。该特征是对嵌入式电感器数量的进一步限定。由于基础特征（嵌入式电感器）未被公开，其数量特征自然也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** | [0017] “...semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” <br>[0031] “...one or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls...” | **部分直接公开，部分未公开**。对比文件明确公开了基板是“半导体基板”（如硅），以及互连结构可以是“焊球”（solder balls）。因此，“第一互连包括焊球”这一部分被直接公开。然而，对比文件明确限定其基板为半导体材料（硅、锗等），并未提及“玻璃基板”。目标专利说明书[0006]明确将玻璃基板作为其技术方案的关键基板类型之一，以区别于昂贵且易碎的半导体基板。因此，“基板包括玻璃基板”这一具体限定未被对比文件公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。** | [0017] “...semiconductor substrate 102, which is a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” <br>[0031] “...one or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls or posts...” | **直接公开**。对比文件明确公开了基板是“半导体基板”（semiconductor substrate），并且互连结构可以是“posts”（柱）[0031]。在封装领域，“post”通常指金属柱（如铜柱）。因此，“基板包括半导体基板”和“第一互连包括金属柱”这两个限定均被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** | 对比文件未提及“有机基板”（organic substrate）。其背景部分[0004]提到“laminate substrate technologies”可能无法产生足够小的特征，暗示其基板并非有机层压板。全文均围绕“semiconductor substrate”展开。 | **未公开**。目标专利说明书[0006]将有机基板列为可选基板类型之一。对比文件全篇聚焦于半导体基板（硅基），并未提及或暗示使用有机基板。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** | （同特征M） | **未公开**。该特征与特征M相同，未被对比文件公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** | 同特征B。对比文件公开了在基板表面（第二表面A2）形成凹陷区域并设置多个通道（channels 104）以容纳多个互连结构（114）。这相当于公开了基板表面有多个凹陷（每个通道入口可视为一个凹陷区域）用于容纳互连。 | **隐含公开**。基于与特征B相同的理由，对比文件公开了在基板（第二）表面形成多个通道（104）以容纳多个互连结构（114）。每个通道（104）的入口区域都构成基板表面的一个“凹陷”。因此，“第二凹陷”的存在是必然的。本领域技术人员从对比文件图1、2I、3中可以看到多个通道/凹陷结构。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。** | [0031] “...one or more package interconnect structures 114 such as, for example, one or more solder balls or posts are disposed in the one or more channels 104...” | **未直接公开，但隐含公开**。目标专利该特征限定了存在一个仅用于机械紧固（非电功能）的焊球。对比文件公开了多个互连结构（114）被放置在多个通道（104）中，并且它们都电耦合至重分布层（106）以路由芯片的电信号（[0031]-[0032]）。对比文件没有明确描述存在一个“仅”用于机械紧固而无电功能的互连。**但是**，在封装结构中，部分焊球仅用于机械加固是公知常识。本领域技术人员知道，在BGA等封装中，为了增强机械可靠性，可以设置不连接任何信号的“接地焊球”或“虚拟焊球”（dummy balls），它们主要起机械支撑作用。虽然对比文件说明书描述了互连结构用于路由电信号，但并未排除其中一些互连可以仅用于机械目的。从对比文件附图看，互连结构114的布置是阵列式的，本领域技术人员可以根据实际设计需要，将其中某些互连指定为仅具机械功能，而不改变其物理结构。因此，尽管对比文件没有明确文字记载，但“存在仅具机械功能的焊球”这一特征，是本领域技术人员基于对比文件公开的具有多个互连的结构，结合公知常识能够合理推断出的可选设计。因此，该特征被**隐含公开**。 |
### 总结与代码输出
根据以上分析：
- **直接公开**的技术特征有：A, F, G, L。
- **隐含公开**的技术特征有：B, C, O, P。
- **未公开**的技术特征有：D, E, H, I, J, K（部分未公开），M, N。
因此，在回答结尾插入的代码应为代表直接公开的大写字母和代表隐含公开的小写字母。
<<<A>>><<<F>>><<<G>>><<<L>>><<<b>>><<<c>>><<<o>>><<<p>>>