对比文件名称：2014-10-08_CN102723306B_发明授权_CN102723306B 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板**<br>《直接公开》 | [0001] 本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法。<br>[0091] 提供一高阻双抛硅晶圆10... | 对比文件明确公开了封装结构包含基板“硅晶圆10”（参见[0091]）。该硅晶圆作为整个封装结构的支撑基底，与目标专利中“基板”的作用相同，都是用于承载无源器件、互连结构等。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷**<br>《直接公开》 | [0094] ...将所述晶圆10浸入...KOH腐蚀液中进行湿法刻蚀，并控制刻蚀的速度以形成95μm～105μm的埋置槽101...<br>[0095] 需要说明的是本实施例中的埋置槽101用来埋置MMIC芯片... | 对比文件明确公开了在基板（硅晶圆10）中形成“埋置槽101”（参见[0094]）。该“埋置槽”是基板表面的凹入结构，即一种“凹陷”。虽然在对比文件中该凹陷（埋置槽）用于容纳芯片，而在目标专利中用于容纳互连，但两者均为基板表面形成的凹入结构，结构特征相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“在基板的第一表面中的第一凹陷”。 |
| **C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分**<br>《直接公开》 | [0093] ...利用反应离子刻蚀工艺对露出的所述硅晶圆10进行刻蚀以形成穿硅通孔100...<br>图2显示了贯穿硅晶圆40的TSV垂直互连结构400。 | 对比文件明确公开了“穿硅通孔100”（即TSV）（参见[0093]、图2）。该穿硅通孔延伸穿过整个硅晶圆基板。虽然对比文件未明确限定这些通孔是否位于“非凹陷部分”，但根据其制作方法，穿硅通孔（TSV）的形成步骤（步骤S2）先于凹陷（埋置槽）的形成步骤（步骤S3），并且图示（图1c, 1d, 2）中TSV与埋置槽是独立的结构。因此，这些穿硅通孔必然延伸穿过基板中除埋置槽占据区域之外的部分，即“非凹陷部分”。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该结论。 |
| **D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端**<br>《未公开》 | 对比文件未明确描述穿硅通孔（TSV）的端部位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。图2所示TSV 400的端部位于基板表面，但并未明确其与埋置槽101的相对位置关系。 | 对比文件虽然公开了穿硅通孔和凹陷（埋置槽），但并未描述或暗示穿硅通孔的端部位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。该技术特征限定了通孔端部与凹陷之间特定的位置关系（毗邻），这在对比文件中没有相应的记载。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中毫无疑义地得出或合理推断出该位置关系。 |
| **E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器**<br>《隐含公开》 | [0106] ...所述无源器件暂选为电阻23、**电感24**、电容25、以及功分器26...<br>[0041] ...所形成的无源器件至少包括：电阻、**电感**、电容...<br>[0044] 布线层...具有多个两个电气连接点，与所述TSV互连结构...的互连，包括多个**无源器件**... | 对比文件明确公开了在封装结构中集成了电感等无源器件（参见[0106]、[0041]），并且布线层（相当于重分布层）用于实现TSV（相当于穿基板通孔）与无源器件等的互连（参见[0044]）。虽然对比文件未明确描述电感器的具体构成，但本领域技术人员公知，在封装结构中，利用两个穿基板通孔（TSV）并通过基板某一表面上的导体（如布线层中的金属走线）将二者连接起来，是形成三维嵌入式电感器的一种常见且常规的技术手段。对比文件公开了TSV、电感以及连接TSV和元器件的布线层，这使得本领域技术人员有充分的技术启示和可能性，通过布线层在基板的某一表面上连接两个TSV来构成电感器。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷**<br>《未公开》 | [0105] ...以及最终形成于顶层的若干**焊盘或焊球21**...<br>图2显示了焊盘或焊球46。 | 对比文件公开了“焊球21”或“焊盘或焊球46”作为互连结构（参见[0105]、图2）。然而，这些焊球/焊盘是形成于顶层布线之上的凸起结构（参见图1m、图2），并非位于如特征B所述的“第一凹陷”（即埋置槽101）内。目标专利中“被包括在所述第一凹陷内”是指互连结构至少部分嵌入凹陷中，以降低封装高度，而对比文件的焊球位于平坦的介质层表面之上。两者结构不同，作用（降低高度 vs. 表面凸点互连）也不同。因此，对比文件未公开此特征。 |
| **G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一**<br>《隐含公开》 | [0044] ...**布线层**，形成于所述硅晶圆双面上的介质层之上，具有多个两个电气连接点，与所述**TSV互连结构**、埋置于其内部的芯片、以及地屏蔽布线层的互连...<br>[0104] ...布线层19、层间互连线20... | 对比文件公开了“布线层19/43”（参见[0044]、[0104]），其功能是实现TSV（穿硅通孔）、芯片、无源器件及外部焊盘/焊球之间的电连接，这与目标专利中“重分布层”的配置和电耦合功能相同。虽然对比文件的布线层位于介质层（如BCB）之上，而目标专利的重分布层位于“基板的第一表面上”，但本领域技术人员理解，在基板表面形成介质层和金属布线以重新分布电连接是封装技术的常规手段，两者在功能上实质相同。因此，对比文件的布线层相当于目标专利的重分布层，并被配置用于电耦合。虽然特征F的“第一互连”未被公开，但重分布层的耦合配置本身已被隐含公开。 |
| **H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面**<br>《未公开》 | [0106] ...所述无源器件暂选为电阻23、电感24、**电容25**、以及功分器26... | 对比文件确实公开了电容器（电容25）作为集成无源器件之一。然而，对比文件未描述该电容器的具体位置。说明书[0106]及附图1l显示电容器25形成于布线层中，并未明确其“毗邻所述基板的对向的第二表面”。目标专利中强调电容器“毗邻第二表面”是为了与从凹陷延伸的第二穿基板通孔配合，以减小寄生参数，这是一个特定的位置限定。对比文件未给出电容器位于此特定位置的任何教导或暗示。 |
| **I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔**<br>《隐含公开》 | [0106] ...所述无源器件暂选为电阻23、**电感24**、电容25、以及功分器26...<br>[0044] ...布线层...与所述**TSV互连结构**...的互连，包括多个**无源器件**... | 基于对特征E的隐含公开判断（即电感器由连接两个TSV的导体形成），可以进一步推断该电感器必然包括至少两个穿基板通孔（TSV）。这是形成此类电感器的必然要求。因此，本领域技术人员从对比文件公开的TSV互连结构和电感器可以合理推断出该技术特征。 |
| **J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器**<br>《未公开》 | 对比文件未明确描述或图示存在多个电感器。 | 对比文件虽然提到了电感作为无源器件的一种，但并未明确公开封装中包含“多个”嵌入式电感器。图1l仅示出了一个电感符号（24）。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出存在多个嵌入式电感器。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | [0091] 提供一高阻双抛**硅晶圆**10...<br>[0105] ...**焊球21**... | 对比文件明确公开基板为“硅晶圆”（半导体基板），而非“玻璃基板”。虽然公开了“焊球”，但如特征F所述，该焊球并非位于凹陷内。因此，对比文件未公开“基板包括玻璃基板”这一限定，也未公开“第一互连包括焊球”且该焊球位于凹陷内的组合特征。 |
| **L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱**<br>《未公开》 | [0091] 提供一高阻双抛**硅晶圆**10...<br>[0098] ...在所述穿硅通孔100中形成高于所述硅晶圆10表面的**铜柱15**... | 对比文件公开了基板为“硅晶圆”，即半导体基板。同时，公开了“铜柱15”，但该铜柱是用于填充穿硅通孔（TSV）的导电柱，其功能是实现垂直互连，而非目标专利中作为“第一互连”用于与外部电路板连接的“金属柱”。两者结构、位置和功能均不同。因此，对比文件未公开“第一互连包括金属柱”这一特征。 |
| **M/N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球**<br>《未公开》 | [0091] 提供一高阻双抛**硅晶圆**10... | 对比文件明确公开基板为“硅晶圆”，而非“有机基板”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷**<br>《未公开》 | 对比文件仅公开了用于埋置芯片的“埋置槽101”。未提及或暗示存在第二个具有不同目的（如容纳仅具机械功能的互连）的凹陷。 | 对比文件未公开在基板第一表面中存在除了用于埋置芯片的凹陷（埋置槽）之外的“第二凹陷”。目标专利中的第二凹陷用于容纳仅具机械功能的互连，这是一个附加的、特定的结构特征，在对比文件中没有对应记载。 |
| **P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球**<br>《未公开》 | 无对应内容。 | 由于对比文件未公开特征O（第二凹陷），因此自然也未有被包括在该第二凹陷内、且仅具机械紧固功能的“第二互连”。该技术特征未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<e>>><<<g>>><<<i>>>