对比文件名称：2004-02-26_US2004036170A_发明申请_US20040036170A1 Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用的模型名称：深度分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | “an interposer substrate 110 including a first surface 112 and a second surface 114 is depicted.” (说明书段落[0033]) | 对比文件明确公开了“interposer substrate 110”，即中介层基板，其作用同样是作为电子器件（如半导体芯片）的载体和电互连的基础结构。这与目标专利中作为封装载体的“基板”作用相同，被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷<br>**《直接公开》** | “the conductive bumps may be formed in recesses 136” (说明书段落[0041])；“FIG. 3A illustrates ... conductive bumps 130 formed in recesses 136” (图3A及其描述) | 对比文件明确公开了在基板的第一表面（112）上形成有凹陷（recesses 136），用于容纳导电凸块（conductive bumps 130）。这与目标专利中“第一凹陷”的作用（容纳互连、降低剖面高度）相同，被直接公开。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分<br>**《直接公开》** | “The interposer substrate 110 may include through holes 116 extending between the first surface 112 and second surface 114 thereof” (说明书段落[0034]) | 对比文件明确公开了延伸穿过基板（interposer substrate 110）的“through holes 116”，即穿基板通孔。这些通孔形成于基板整体中，其位置（非凹陷部分）由凹陷（136）的形成区域决定，属于本领域技术人员能够毫无疑义地理解的范围。作用均为提供穿过基板的电连接，被直接公开。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端<br>**《直接公开》** | “a first portion 122 [of conductive lines] extends over a through hole 116” (说明书段落[0039])；“the conductive lines 120 ... extend from and/or over a through hole 116 to a predetermined remote position on the first surface 112” (说明书段落[0039]) | 对比文件公开了导电线路（120）的第一部分（122）延伸至并覆盖通孔（116）上方，这意味着通孔（116）的端部位于第一表面（112）上。同时，凹陷（136）也形成于第一表面（112）上。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，通孔（116）在第一表面的开口端（第一端）所在的区域与凹陷（136）所在的区域是相邻的，均位于第一表面上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器<br>**《未被直接或隐含公开》** | 对比文件全文未提及“inductor”（电感器）或通过基板第二表面上的导体将两个通孔耦合以形成电感器结构。对比文件的通孔（116）通过第一表面上的导电线路（120）连接到不同位置，或者用于将第一表面的凸块（130）连接到第二表面的凸块（132）以实现垂直互连。 | 目标专利中，通过第二表面上的导体连接两个通孔以形成“嵌入式电感器”是其核心发明点之一，用于在维持基板厚度的同时获得所需的电感值。对比文件完全没有公开或暗示任何利用通孔形成电感器的构思或结构。两者作用完全不同（对比文件：垂直互连；目标专利：形成电感元件）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷<br>**《直接公开》** | “the conductive bumps may be formed in recesses 136” (说明书段落[0041])；“conductive bumps 130 ... as a first level interconnect” (说明书段落[0042]) | 对比文件明确公开了“conductive bumps 130”（导电凸块）形成在凹陷（136）内，并且这些凸块作为第一级互连（first level interconnect）。这对应于目标专利中容纳在凹陷内的“第一互连”。作用均为实现电连接，被直接公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一<br>**《直接公开》** | “conductive lines 120 formed on a first surface 112 thereof” (说明书段落[0037])；“The conductive lines 120 may extend over the first surface 112 so that a first portion 122 extends over a through hole 116 and a second portion 124 extends to a predetermined position remote from the associated through hole 116 ... corresponding with a bond pad pattern of a semiconductor die.” (说明书段落[0039])；“conductive bumps 130 may be formed on the exposed second portion 124 of the conductive lines 120” (说明书段落[0041]) | 对比文件公开了在第一表面（112）上形成的“conductive lines 120”（导电线路）。这些线路的一端（第一端122）延伸至/覆盖通孔（116），另一端（第二端124）延伸至预定位置，并在该位置形成导电凸块（130）。这清楚地构成了一个重分布结构（即重分布层），其将位于凹陷（136）内的互连（凸块130）电耦合至穿基板通孔（116）之一。作用完全相同，被直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器<br>**《未被直接或隐含公开》** | 对比文件全文未提及“capacitor”（电容器），也未提及从凹陷延伸到第二表面的“第二穿基板通孔”。对比文件的通孔（116）均为从第一表面贯穿至第二表面的通孔。 | 目标专利中“电容器”和“第二穿基板通孔”（从凹陷延伸至第二表面）是其另一个重要特征，用于降低寄生参数。对比文件完全没有涉及任何集成无源器件（如电容器）或具有不同长度（一端始于凹陷）的通孔结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔<br>**《未被直接或隐含公开》** | 同特征E，对比文件未公开“嵌入式电感器”。 | 由于作为前提的“嵌入式电感器”（特征E）未被对比文件公开，因此该进一步限定的特征“包括至少两个第一穿基板通孔”也未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器<br>**《未被直接或隐含公开》** | 同特征E，对比文件未公开“嵌入式电感器”。 | 由于作为前提的“嵌入式电感器”（特征E）未被对比文件公开，因此该进一步限定的特征“包括多个嵌入式电感器”也未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未被直接或隐含公开》** | 对比文件公开的基板材料为“flexible material such as, for example, a polyimide or other polymeric material”（柔性材料，例如聚酰亚胺或其他聚合物材料）（段落[0033]），未提及玻璃基板。互连为“conductive bumps”（导电凸块），其材料可以是金属镀层（如铜、镍、金等）或焊料（见段落[0045]-[0047]），但未明确限定“第一互连”为“焊球”。 | 目标专利中“玻璃基板”和“焊球”是具体实施例的限定。对比文件公开的是柔性有机基板，且互连形式不限于焊球（也可以是金属柱等）。因此，该具体组合的技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱<br>**《未被直接或隐含公开》** | 对比文件未提及基板为“半导体基板”。对比文件中的互连为“conductive bumps”（导电凸块），未明确限定为“金属柱”。 | 目标专利中“半导体基板”和“金属柱”是另一个具体实施例的限定。对比文件未公开半导体基板，也未明确互连为金属柱。因此，该具体组合的技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未被直接或隐含公开》** | 同特征K，对比文件公开了基板可以是“polyimide or other polymeric material”（聚酰亚胺或其他聚合物材料），这属于有机基板。但“第一互连”并未被明确限定为“焊球”。对比文件中的“conductive bumps 130”可通过电镀形成，材料包括金属（如铜、镍、金等）或焊料合金（如锡/银/铜）（段落[0045]），但未明确其具体为“焊球”这一形态。焊球通常指预成型的球形焊料体，而对比文件中的凸块主要通过电镀形成。 | 虽然对比文件隐含了基板可能是有机材料，并且互连材料可以包含焊料成分，但并未明确且毫无疑义地公开“第一互连”是“焊球”这一具体互连形态。因此，该具体组合的技术特征未被直接公开。从宽松的隐含公开标准判断，对比文件公开了有机基板和导电凸块，但凸块的具体形态（焊球）未明确，且形成方式（电镀）与典型焊球（预成型放置）不同。因此，本领域技术人员不能必然推断出其第一互连就是“焊球”。故该特征也未被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未被直接或隐含公开》** | 同特征M。 | 此特征与特征M的文字描述完全相同。基于与特征M相同的理由，该特征也未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷<br>**《直接公开》** | 图3A及其描述显示了多个“recesses 136”。说明书段落[0041]提到“the conductive bumps may be formed in recesses 136”，复数形式表明存在多个凹陷。 | 对比文件公开了在基板第一表面形成多个凹陷（recesses 136）以容纳凸块。这必然包括至少一个“第一凹陷”和一个“第二凹陷”。该特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球<br>**《未被直接或隐含公开》** | 对比文件中所有在凹陷（recesses 136）内的凸块（130）都是用于电连接半导体芯片的“first level interconnect”（第一级互连）（段落[0042]）。对比文件未提及任何仅具有机械紧固功能而无电功能的互连。 | 目标专利中“仅具有机械功能的焊球”是一个特定设计，用于纯机械固定。对比文件中所有公开的互连均具有电互连功能，作用不同。因此，该技术特征未被公开。 |
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