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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板《隐含公开》	对比文件多处提及“基板”（substrate）或作为组件载体的层压材料。例如，在[0016]段描述实施例时提到了电感元件，其整体结构构建在层压材料上。说明书[0029]段描述了将“金属箔片2A与绝缘层4A”切割并层压成“层压基材13”。[0030]段进一步说明将该基材切割成“片状原材料17”，其厚度t等于一个电感元件的厚度。该原材料17在后续工艺中作为形成线圈的载体，其作用与目标专利中承载螺旋电感器的“基板”相同。	对比文件虽未明确使用“基板”一词定义其载体，但其描述的“片状原材料17”或构建电感元件的层压材料（由绝缘层和金属箔交替层压而成，见[0020], [0029]-[0030]段）在制造过程中及最终元件中，起到了支撑和承载导电螺旋结构的作用，这与目标专利中“基板”的作用（承载螺旋电感器，见图1/2及相应描述）本质相同。本领域技术人员能够毫无疑义地理解该层压材料即为电感器的基板或基底。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，《未公开》	对比文件描述了“螺旋线圈”（helical coil）或“矩形螺旋线圈”（rectangular helical coil），例如在[0017]段：“线圈1包括成对的平行导体片2a和2b，以及成对的桥接导体片3a和3b...相邻的平行导体片2a和2b分别通过桥接导体片3a和3b相互连接，从而形成矩形螺旋线圈1。”其通过切割层压材料形成平行的导体片（2a, 2b），再通过光刻形成桥接导体片（3a, 3b）连接而成。	对比文件公开了“螺旋电感器”这一上位概念，但其具体公开的是一种通过特定切割和图案化工艺形成的螺旋线圈，其导体片（2a, 2b）的厚度在制造过程中被描述为是均匀的（例如，金属箔的厚度，见[0021]段），且整个线圈结构是沿着层压方向（即垂直于基板平面的方向）延伸的多个平行导体片通过桥接片连接形成，并未描述其厚度沿着螺旋路径（从最内匝到最外匝）发生变化。目标专利明确限定为“梯度层堆叠电感器”，其核心特征在于厚度沿螺旋方向梯度变化。对比文件既未直接描述也未暗示这种梯度变化的厚度结构。因此，技术特征B未被公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	对比文件描述了平行导体片（2a, 2b）的厚度。例如，[0021]段：“金属箔2A的厚度优选在5µm至75µm的范围内。绝缘层4A的厚度优选在5µm至100µm的范围内。”这些导体片构成了线圈的“边”。然而，对比文件未将线圈划分为“匝”（turn），更未区分“最内匝”及其“第一部分”。其线圈由一系列在层压方向上层叠的平行导体片通过桥接片连接而成，每个“匝”由位于不同层的一对平行导体片和连接它们的桥接片构成，但所有平行导体片是通过同一工艺步骤形成的，厚度是均匀的，不存在同一匝内不同部分具有不同厚度的情况。	目标专利的“最内匝的第一部分”特指沿螺旋路径上，最内侧一圈的某一段在垂直方向上的特定厚度（第一厚度）。对比文件的结构完全不同，其线圈的“匝”是沿着垂直于基板的方向（Z轴）层叠的，而不是在基板平面内（XY平面）螺旋盘绕。因此，对比文件中不存在目标专利所定义的“最内匝”以及在基板平面内沿螺旋路径划分的“第一部分”。此外，对比文件的平行导体片厚度是均匀的，不具备目标专利中同一匝内厚度变化的特征。因此，技术特征C未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，《未公开》	同上，对比文件未公开“最内匝”及其“第二部分”的概念。其平行导体片的厚度是均匀的。	基于与技术特征C相同的理由，对比文件未公开“最内匝的第二部分”这一概念，更未公开该部分具有一个在垂直方向上的“第二厚度”。其结构决定了同一层（或同一“边”）的导体厚度是恒定的。因此，技术特征D未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，《未公开》	对比文件中未公开同一线圈结构中存在两个不同的垂直厚度（第一厚度和第二厚度），且第二厚度大于第一厚度。	由于对比文件未公开技术特征C和D（最内匝的第一部分和第二部分及其各自厚度），因此“第二厚度大于第一厚度”这一厚度比较关系也无从谈起。对比文件所有平行导体片的厚度是相同或类似的（由同一金属箔定义）。因此，技术特征E未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，《未公开》	对比文件未公开“最内匝的第三部分”这一概念。	与技术特征C、D同理，对比文件的结构中不存在目标专利所述的沿平面螺旋路径划分的“最内匝的第三部分”。因此，技术特征F未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，《未公开》	对比文件中未公开“第一厚度”、“第二厚度”和“第三厚度”，更未公开它们之间的大小关系。	由于技术特征C、D、F均未被公开，它们之间的厚度比较关系（第三厚度最大）自然也未被公开。因此，技术特征G未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》	对比文件未描述螺旋电感器（或其最内匝）的厚度沿着螺旋路径以梯度方式变化。其线圈的厚度（由平行导体片和绝缘层的层叠厚度决定）在给定的层或区域内是基本恒定的。	目标专利的核心创新点之一在于螺旋电感器的厚度沿着螺旋路径（特别是在最内匝内）梯度增大，以减少涡流损耗。对比文件完全没有提及或暗示这种梯度厚度设计。其解决的技术问题（如[0007]-[0011]段所述）是减少制造公差、获得高Q值和高电感值，采用的手段是精确切割和图案化，而非改变导体厚度分布。因此，技术特征H未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》	对比文件中的螺旋线圈由“平行导体片”（2a, 2b）和“桥接导体片”（3a, 3b）构成。这些导体片位于不同的层，并通过桥接片连接。例如，[0017]段描述了平行导体片和桥接导体片如何连接形成线圈。然而，这种结构并非目标专利中定义的“第一导电螺旋覆盖第二导电螺旋”的层堆叠关系。对比文件的“平行导体片”是线圈的垂直边，而“桥接导体片”是连接这些边的水平部分，它们共同构成一个单一的、三维的螺旋结构，而非两个独立的、一个覆盖另一个的螺旋导体。	目标专利的特征I描述了一种阶梯或梯度层堆叠的具体实现方式，涉及两个独立的导电螺旋，一个覆盖另一个，并且它们在不同匝的部分参与构成不同的厚度区域。对比文件的结构完全不同：其线圈是由在Z方向上层叠的平行导体片（可视为线圈的“立柱”）和在XY平面内图案化的桥接片（可视为线圈的“横梁”）连接而成的整体。不存在两个独立的、完整的、一个在另一个之上的螺旋形导体。因此，特征I中关于两个覆盖的导电螺旋及其在不同部分的具体构成均未被对比文件公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》	对比文件未公开“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”这两个实体，因此也不存在它们的“第一长度”和“第二长度”及其比较关系。	由于技术特征I未被公开，其中定义的两个导电螺旋不存在于对比文件中，因此它们长度的比较关系（J）也未被公开。对比文件中平行导体片的长度由切割决定，桥接片的长度由图案化决定，但这不是目标专利所定义的两个螺旋的长度关系。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件在层压结构中包含“电气绝缘层4”（[0017], [0020]段）和填充凹槽的“电气绝缘材料5”（[0017]段），这些是绝缘材料，而非“导电层”。其线圈导体由平行导体片和桥接导体片构成，没有提及在两层螺旋导体之间还存在一个额外的、作为螺旋电感器一部分的“导电层”。	目标专利的特征K限定了在两个导电螺旋之间还有一个“导电层”，并且该层参与构成了最内匝的第二部分。对比文件中没有这样的导电层。其层间的绝缘层（4）和填充材料（5）是起绝缘作用的，与目标专利中增加导电材料以形成厚度梯度的“导电层”作用和构成均不同。因此，技术特征K未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》	对比文件未公开如技术特征K所定义的“导电层”。	由于技术特征K（导电层）未被公开，因此该导电层是否包括“非连续螺旋”（L）也未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》	对比文件未公开如技术特征K所定义的“导电层”。	由于技术特征K（导电层）未被公开，因此该导电层是否包括输入/输出引线（M）也未被公开。对比文件有独立的电极焊盘（7）和端子电极（12）用于连接，但它们并非集成在所述“导电层”中。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《未公开》	对比文件提到了“电气绝缘层”，例如覆盖元件顶部和底部的层9和10（[0017], [0039]段），以及可能位于层间的绝缘层4。但这些层是作为基板材料的一部分或封装保护层，其目的和位置与目标专利中特意设置在两个导电螺旋之间、用于电气隔离的“钝化层”不一定相同。更重要的是，对比文件未公开“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，因此也就不存在它们之间的“钝化层”。	目标专利的特征N明确限定了钝化层位于两个特定的导电螺旋之间。对比文件既未公开这两个导电螺旋，也未明确描述存在一个专门位于这样两个螺旋导体之间的钝化层结构。其绝缘层是整体层压结构或封装的一部分。因此，技术特征N未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《未公开》	对比文件描述了通过“桥接导体片”（3a, 3b）连接“平行导体片”（2a, 2b）（[0017]段）。这些桥接片形成在绝缘材料填充的凹槽表面（[0017], [0036]段），其连接方式类似于通孔连接，但连接的对象是构成单一线圈结构的不同部分的导体片，而非两个独立的、层叠的螺旋导体。	目标专利的特征O限定了通孔连接的是“第二导电螺旋”和“第一导电螺旋”。对比文件未公开这两个实体。其桥接片连接的是同一线圈的平行导体片，作用是实现螺旋路径的连续性，而非用于连接两个覆盖的螺旋。因此，尽管对比文件有导体间通过类似通孔结构连接的技术，但该技术应用的具体对象和结构关系与特征O不同。技术特征O未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》	对比文件未公开“最内匝”、“第一部分”、“第二部分”这些概念。其平行导体片的厚度是均匀的。	由于技术特征C、D（定义了最内匝的第一部分和第二部分及其厚度）未被公开，且对比文件本身不具备沿平面螺旋路径厚度变化的特征，因此“厚度单调递增”这一关系（P）也未被公开。