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技术特征描述及公开性判断	对比文件原文引用	公开性论述
A：包括：基板<br>《隐含公开》	第[0042]段：“These inductors are created using integrated circuit etching processes known to a person skilled in the art, for example by photolithography.” （这些电感器是使用本领域技术人员已知的集成电路蚀刻工艺，例如通过光刻法来制造的。）	对比文件公开的变压器和电感器是集成在集成电路中的。本领域技术人员公知，集成电路中的器件（如电感器）是制造在基板（例如硅衬底）之上的。虽然对比文件没有明确提及“基板”一词，但根据其描述的集成电路制造工艺（光刻蚀刻），可以毫无疑义地推断出电感器是布置在某种基板（如半导体基板）上的。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。
B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器<br>《未公开》	第[0042]段：“These inductors are substantially flat inductors ... each comprising a given number of octagonal turns.” （这些电感器基本上是扁平的电感器...每个包含给定数量的八边形匝。）<br>第[0020]段：“For example, the inductors used are substantially flat and each is substantially comprised in a layer of the circuit.” （例如，所使用的电感器基本上是扁平的，并且每个基本上包含在电路的一个层中。）	对比文件明确描述了其电感器是“扁平的”并且基本上位于一个层内（可能包含相邻层中的桥接部分）。这与目标专利中明确限定的“梯度层堆叠电感器”结构完全不同。目标专利的“梯度层堆叠”指电感器在垂直于基板方向上的厚度沿其路径（尤其在最内匝）呈梯度变化。对比文件完全没有提及或暗示电感器的厚度变化，更未公开其结构是“梯度层堆叠”的。因此，该技术特征未被公开。
C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》	未公开。	对比文件仅描述了电感器的平面形状（如八边形）和匝数，以及它们位于不同层以实现磁耦合。对于电感器“匝”的“厚度”，尤其是“在垂直于基板方向上的厚度”，以及该厚度在不同部分存在差异，对比文件完全没有涉及。因此，该技术特征未被公开。
D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度<br>《未公开》	未公开。	同上。对比文件未描述电感器匝的厚度，更没有描述同一匝的不同部分具有不同的厚度。因此，该技术特征未被公开。
E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度<br>《未公开》	未公开。	对比文件未描述电感器的厚度，因此无法得出其不同部分的厚度大小关系。该技术特征未被公开。
F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度<br>《未公开》	未公开。	对比文件未描述电感器匝的厚度，更没有描述同一匝具有三个不同厚度的部分。因此，该技术特征未被公开。
G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度<br>《未公开》	未公开。	对比文件未描述电感器的厚度，因此无法得出其不同部分的厚度大小关系。该技术特征未被公开。
H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大<br>《未公开》	未公开。	该特征是目标专利的核心创新点之一，即电感器厚度沿最内匝呈梯度变化。对比文件仅描述了电感器在不同导电层中堆叠以实现不同的初级绕组，但未提及任何关于电感器本身（无论是单个绕组还是整个电感器）的厚度变化，更没有公开厚度沿匝呈“梯度”变化的结构。因此，该技术特征未被公开。
I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》	第[0020]段：“When creating the inductor, it may be necessary to create a bridge on an adjacent layer in order to intersect two tracks of the inductor. Thus, ‘substantially comprised in a layer of the circuit’ is understood to mean that the major portion of the inductor is located in a layer and that, for example, the parts acting as bridges are comprised in adjacent layers.” （在创建电感器时，可能需要在相邻层上创建一个桥以交叉电感器的两条走线。因此，“基本上包含在电路的一个层中”应理解为电感器的主要部分位于一个层中，并且例如，充当桥的部分包含在相邻层中。）<br>第[0042]段：“The turns of each of the inductors are mostly coplanar. These coplanar parts can therefore be in the same circuit layer. The inductors also comprise certain parts which form bridges between different turns. These bridge-forming parts may be comprised in layers adjacent to those which comprise the substantially coplanar turns.” （每个电感器的匝大部分是共面的。因此，这些共面部分可以在同一电路层中。电感器还包括在某些部分，这些部分形成不同匝之间的桥。这些形成桥的部分可以包含在包含基本上共面匝的层相邻的层中。）	对比文件确实提到了电感器的不同部分可能位于不同的层（例如，匝的主体在一个层，桥接部分在相邻层）。然而，这仅是为了解决平面螺旋电感器走线交叉的问题，与目标专利中为了形成“梯度层堆叠”而特意设置的第一导电螺旋覆盖第二导电螺旋的结构完全不同。对比文件没有描述两个完整的“导电螺旋”之间的覆盖关系，也没有描述最内匝的不同部分分别仅包含一个螺旋的端部或同时包含两个螺旋的一部分。其“桥”是用于连接同一电感器的不同匝，而非构成不同厚度的层叠结构。因此，该技术特征未被公开。
J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》	未公开。	对比文件描述了不同电感器（IND1， IND2， IND）具有不同的匝数，但并未描述同一个电感器中不同导电螺旋（或层）的长度关系。目标专利中“第一长度”和“第二长度”的限定是为了构建厚度变化的阶梯或梯度结构。对比文件完全没有涉及此类结构。因此，该技术特征未被公开。
K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	未公开。	对比文件没有提及在电感器的两个螺旋之间存在一个额外的“导电层”。其描述的层结构仅涉及电感器主体所在的层和用于桥接的相邻层，且桥接部分属于同一电感器的一部分，并非一个独立的、用于构建厚度梯度的导电层。因此，该技术特征未被公开。
L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》	未公开。	对比文件未提及任何“导电层”，更未描述该导电层是否为“非连续螺旋”。因此，该技术特征未被公开。
M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》	未公开。	对比文件未提及任何“导电层”，更未描述该导电层是否包含引线。因此，该技术特征未被公开。
N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《未公开》	未公开。	对比文件没有描述在电感器的不同螺旋或层之间设置“钝化层”。其仅提及不同部分位于不同层，但未说明层间介质的具体性质。因此，该技术特征未被公开。
O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《未公开》	未公开。	对比文件未描述任何通过“通孔”连接不同螺旋的结构。其描述的桥接结构可能涉及层间连接，但并未明确为“通孔”，且连接目的（解决走线交叉）与目标专利中构建层叠导电通路的目的不同。因此，该技术特征未被公开。
P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》	未公开。	该特征限定了最内匝厚度单调递增，是梯度层堆叠的具体表现。如前述，对比文件完全没有描述电感器匝的厚度变化，因此该技术特征未被公开。