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技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A《直接公开》<br>包括：基板	[0032]段: "Inductors 20 may sometimes be referred to as on-chip inductors, because inductors 20 are formed directly on an integrated circuit substrate (i.e., in a dielectric stack above the surface of the silicon substrate from which the circuitry of integrated circuit 10 is formed)."<br>译文：电感器20有时可被称为片上电感器，因为电感器20直接形成在集成电路衬底上（即，在硅衬底表面之上的介电堆叠中，集成电路10的电路由该硅衬底形成）。	对比文件明确公开了电感器形成在集成电路衬底（substrate）上。该衬底在对比文件中作为电感器及整个电路结构的物理支撑基础，其作用与目标专利中作为电感器载体的“基板”相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B《未公开》<br>以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，	[0038]段: "To reduce the footprint of an inductor to improve area efficiency, a series-connected inductor may be formed using multiple metal routing layers connected through metal vias. Inductors formed using this approach may sometimes be referred to as series-connected spiral inductors or multi-level stacked inductors."<br>译文：为了减少电感器的占用面积以提高面积效率，可以使用通过金属通孔连接的多个金属布线层来形成串联连接的电感器。使用这种方法形成的电感器有时可被称为串联连接的螺旋电感器或多层堆叠电感器。<br>[0050]段: "Conductive lines 24 and 36 in respective portions 22A and 22B may each be formed using two (or more) metal routing layers shorted in parallel to reduce resistance and thereby improve Q, as shown in FIG. 4."<br>译文：如图4所示，相应部分22A和22B中的导电线路24和36可以各自使用两个（或更多）并联短路的金属布线层来形成，以降低电阻从而提高Q值。	对比文件公开了布置在衬底上的螺旋电感器（series-connected spiral inductors），并且该电感器可以是多层堆叠（multi-level stacked）的结构。然而，目标专利明确限定该螺旋电感器是“梯度层堆叠电感器”。根据目标专利说明书[0027]、[0036]段及图2的描述，“梯度层堆叠”的核心在于电感器在垂直于基板方向上的厚度沿着最内匝（或从内到外）连续地、成比例地变化（如斜坡状）。对比文件虽然公开了多层堆叠，但其所描述的堆叠（例如图4中金属线68和70通过通孔66并联短路）是为了形成并联结构以降低电阻，其每层金属线的厚度本身是均匀的，堆叠后形成的是阶梯状的厚度变化，而非目标专利所强调的、在单匝（如最内匝）内部厚度连续渐变的“梯度层堆叠”。两者结构原理和作用不同。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型。
技术特征C《未公开》<br>其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度	对比文件未明确描述“最内匝的第一部分”及其在垂直方向上的“第一厚度”。	对比文件公开了具有多匝的螺旋电感器（例如图2A/B的三匝），因此必然存在“最内匝”。同时，电感器由形成于不同金属布线层（如层40、42）的金属线构成，这些金属线必然具有在垂直于衬底方向上的厚度。然而，目标专利权利要求将“最内匝”进一步划分为“第一部分”，并限定该“第一部分”具有一个特定的“第一厚度”。对比文件通篇没有对最内匝进行如此具体的区域划分和厚度限定。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或必然推理出“最内匝的第一部分具有第一厚度”这一具体技术特征。因此，该特征未被公开。
技术特征D《未公开》<br>，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，	对比文件未明确描述“最内匝的第二部分”及其在垂直方向上的“第二厚度”。	理由同技术特征C。对比文件没有对最内匝进行“第一部分”、“第二部分”的划分，也没有为这些部分分别定义厚度。该特征未被公开。
技术特征E《未公开》<br>其中所述第二厚度大于所述第一厚度，	对比文件未公开最内匝不同部分的厚度比较关系。	由于对比文件未公开技术特征C和D（最内匝第一部分和第二部分的特定厚度），因此更不存在这两个厚度之间的大小比较关系。该特征是目标专利实现减少最内匝涡流损耗的核心之一，对比文件完全没有涉及。
技术特征F《未公开》<br>所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，	对比文件未明确描述“最内匝的第三部分”及其在垂直方向上的“第三厚度”。	理由同技术特征C和D。对比文件没有对最内匝进行如此详细的三部分划分。该特征未被公开。
技术特征G《未公开》<br>其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，	对比文件未公开最内匝不同部分的厚度比较关系。	由于对比文件未公开技术特征C、D、F，因此不存在这些厚度之间的大小比较关系。该特征未被公开。
技术特征H《未公开》<br>并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。	对比文件未公开在单匝（最内匝）内部厚度连续渐变（梯度增大）的结构。	这是目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心定义特征。对比文件公开的电感器，其厚度变化来源于不同金属层的堆叠（可能形成阶梯状），但并未描述或暗示在单个匝（如最内匝）的范围内，厚度会沿着该匝从一点到另一点连续地、梯度地增大。目标专利图2及说明书[0036]段明确描述了这种梯度厚度。对比文件缺乏实现该梯度结构的任何教导或启示。因此，该特征未被公开。
技术特征I《未公开》<br>其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。	[0050]段及图4: "Metal lines 24 of FIG. 2A may include metal loop-shaped lines 68 and 70 which run parallel to each other and are shorted in parallel by interposed vias 66. Metal lines 68 and 70 may be respectively formed in metal routing layers 40 and 42..."<br>译文：图2A的金属线路24可包括彼此平行延伸并通过居间的通孔66并联短路的金属环状线路68和70。金属线路68和70可分别形成在金属布线层40和42中……	对比文件图4公开了由两个金属层（40，42）中的导电线路（68，70）通过通孔并联短路形成的结构，这可以理解为包含两个“导电螺旋”（或螺旋部分），且上层（68）覆盖下层（70）。然而，目标专利特征I详细限定了最内匝的第一部分、第三部分以及最外匝部分分别由哪个导电螺旋的哪些特定部分构成。这是一种非常具体和限定的堆叠与覆盖关系，旨在实现特定的厚度分布。对比文件仅公开了并联短路的整体结构，目的是降低电阻，并未描述或暗示这种针对匝内不同区域的、精细的导电螺旋部分覆盖与排布关系。因此，该具体结构特征未被对比文件公开。
技术特征J《未公开》<br>其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。	对比文件未比较不同导电螺旋的长度。	对比文件没有提及或暗示不同金属层中导电螺旋的长度存在特定的大小关系。该特征未被公开。
技术特征K《未公开》<br>其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。	[0050]段及图4描述了在金属线路68和70之间存在通孔66和相应的金属层，但未明确将其定义为独立的“导电层”，且其作用是通过通孔实现并联短路，而非作为独立螺旋的一部分。<br>对比文件未描述“最内匝的第二部分”的具体构成。	首先，对比文件图4中连接线路68和70的通孔66及其所在层，是实现并联短路的互连结构，并非目标专利中所指的、作为螺旋电感器组成部分之一的“导电层”。其次，即使将其宽泛地视为“层”，对比文件也完全没有公开该“层”与“最内匝的第二部分”具有目标专利所限定的包含关系（即第二部分包括第二导电螺旋的一部分和该导电层的第一端部且不覆盖第一导电螺旋）。该特征未被公开。
技术特征L《未公开》<br>其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。	对比文件未描述任何“导电层”具有“非连续螺旋”的形状。	该特征完全依赖于技术特征K中“导电层”的引入。由于对比文件未公开该“导电层”，自然也未曾公开其形状为“非连续螺旋”。该特征未被公开。
技术特征M《未公开》<br>其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。	对比文件未描述任何“导电层”集成了输入/输出引线。	该特征完全依赖于技术特征K中“导电层”的引入。由于对比文件未公开该“导电层”，自然也未曾公开其包含引线。对比文件中的输入/输出端口（如PORTA， PORTB）是连接到螺旋端部的独立结构（参见图2A，2B）。该特征未被公开。
技术特征N《未公开》<br>其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。	[0044]段: "The dielectric stack may include multiple metal routing layers that are separated by via layers. The metal routing layers may include metal routing wires formed in dielectric material such as silicon dioxide or other insulating material."<br>译文：介电堆叠可包括由通孔层分隔的多个金属布线层。金属布线层可包括形成在介电材料（诸如二氧化硅或其他绝缘材料）中的金属布线。	对比文件公开了金属布线层之间由介电材料（如二氧化硅）分隔。虽然“钝化层”通常是一种特定的介电层，用于保护和隔离，但对比文件中分隔金属层的介电材料可以起到类似的绝缘和隔离作用。然而，目标专利明确限定了“钝化层”位于“第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间”。对比文件图4中，在并联短路的线路68和70之间，存在通孔66和相应的连接，其间的介电层是通孔层的一部分，结构上与目标专利可能设想的、位于两个完整导电螺旋之间的连续钝化层有所不同。鉴于该特征为从属特征，且其所依附的上一级特征（如两个导电螺旋的特定设置）未被公开，此处从严考虑，认为该具体限定的“钝化层”未被对比文件直接或隐含公开。
技术特征O《隐含公开》<br>其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。	[0050]段及图4: "Metal lines 24 ... may include metal loop-shaped lines 68 and 70 which run parallel to each other and are shorted in parallel by interposed vias 66."<br>译文：金属线路24……可包括彼此平行延伸并通过居间的通孔66并联短路的金属环状线路68和70。	对比文件明确公开了位于不同金属层（40，42）中的导电线路（68，70）通过“通孔（vias）66”电连接。虽然对比文件未明确称介电层为“钝化层”，但连接不同金属层的通孔必然需要穿过其间的介电材料（绝缘层）。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的“通过通孔连接不同层金属线”这一技术手段，合理推断出“导电螺旋通过延伸穿过其间绝缘层（可视为钝化层）的通孔电连接”这一技术方案。两者作用相同，都是实现垂直方向的电连接。因此，该特征被对比文件隐含公开。
技术特征P《未公开》<br>其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。	对比文件未公开最内匝存在“第一部分”和“第二部分”，也未公开这两个部分之间的厚度变化关系。	该特征是对技术特征C、D、E的进一步限定和总结，要求在最内匝内部实现厚度的单调递增。由于对比文件未公开最内匝的特定部分划分，也未公开这些部分之间的厚度大小关系，因此更不可能公开厚度“单调递增”这一动态变化关系。该特征是目标专利梯度层堆叠概念的体现，未被对比文件公开。